Определение НЧ Y-параметров по статическим характеристикам

 

Низкочастотные Y-параметры могут быть определены по входным и выходным характеристикам транзистора. Y-параметры определяют в рабочей точке транзистора при отсутствии сигнального воздействия на входе, т.е. в

 

режиме покоя (токи и напряжения в рабочей точке отмечают дополнительным индексом «0»).

 

 

Рис.3.6. Использование статических характеристик биполярного транзистора для

 

определения Y -параметров: Y ₁₁ и Y ₂₂

 

Входная проводимость Y ₁₁ определяется по входной характеристике (рис.

 

3.6).

Y 11

I Вх

dI Б

.

(3.9)

U

Вх

U

Вых

dU

БЭ

U

const U

КЭ

КЭ0

 

Чем меньше берется приращение при построении и расчете, тем точнее получается значение Y ₁₁. Для повышения точности расчета берут среднеарифметическое приращение вверх и вниз.

 

Выходная проводимость Y ₂₂ определяется по выходной характеристике

 

(рис. 3.6).

Y 22

I Вых

dI К

,

(3.10)

U

Вых

U Вх

dU

КЭ

I Б

const I Б0

 

 

где изменение d U _КЭ dE _К берут в пределах всего линейного участка.

 

Рис.3.7. Использование статических характеристик биполярного транзистора для

 

определения Y -параметров: Y ₁₂ и Y ₂₁

 

Проводимость обратной связи Y ₁₂ определяется по входной характеристике при изменении параметра Е _К (рис.3.7).

Y 12		dI БОС						.	(3.11)
Е К 1	Е К2		U		const U
			БЭ	БЭ0

 

Крутизна Y ₂₁ определяется по входной и выходной характеристикам (рис.

 

3.7).

 

	Y 21 S			dI К s				,	(3.12)
		dU БЭ
					E const E
							К
где dI К s –	определяется по выходной характеристике при	E К const E 0.
Изменению	параметра		I Бот значения	I Б2 I Б0 до I Б3	соответствует

изменение напряжения база-эмиттер dU _БЭ при E _К const E ₀.