Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Визначення фактичної площі контакту і контактних деформацій





Експериментальне визначення фактичної площі контакту представляє собою значні труднощі. Ознайомимося з двома найбільш використовуваними методами.

Метод порушення повного внутрішнього відбивання світла полягає в наступному. Шорстка поверхня контактує з скляною призмою. На призму падає пучок світла, який притерпіває на грані аб (рисунок 3.13) повне внутрішнє відбивання. У місцях контакту виступу з поверхнею призми відбивання порушується, і спостерігач бачить на дзеркальному фоні темні плями фактичного контакту.

Рисунок 3.13 - Схема оптичного методу визначення фактичної площі контакту

За допомогою фотоелементу по зміні світлового потоку можна оцінити значення фактичної площі контакту.

Недолік методу полягає в тому, що контакт здійснюється із скляною призмою, що відрізняється по своїх механічних властивостях від металу.

Для вивчення площі контакту двох шорстких непрозорих поверхонь Н. Б. Дьомкіним і А. А. Ланковим розроблений метод тонких вугільних плівок. На одну з поверхонь, що контактують у вакуумі напилюють вугільну плівку. Потім на напилену поверхню накладають другу деталь пари і стискують їх прикладаючи нормальне навантаження. Напилені плівки дуже однорідні, мають малу товщину (0,03 - 0,5 мкм), легко руйнуються в місцях контакту, і світлі плями дотику чітко помітні на чорному фоні. Їхню площу легко виміряти планіметруванням.

Існують і інші методи визначення фактичної площі контакту, наприклад, метод фарб, метод радіоактивних ізотопів, низка методів пов’язаних із вимірюванням фактичної площі контакту по електро- і теплопровідності контакту, ультразвуковий та оптичний методи.

При експериментальному визначенні деформації контакту шорстких поверхонь необхідна велика точність через мале значення вимірюваних величин. Тому необхідно усунути вплив сторонніх факторів на результати вимірювань. До них відносяться деформації контактуючих тіл, деформації у вимірювальній системі, перекоси, термічні деформації і т. д.

На рисунку 3.14 показана принципова схема приладу, розробленого російськими вченими М. Б. Дьомкіним і П. Д. Нетяговим, в якому різного роду похибки зведені до мінімуму завдяки використанню інтерференційного методу. Контактуючі зразки мають базові площини, оброблені до високої якості А1 і А2, які розміщені на одному рівні. В результаті контактних деформацій базові площини А1 і А2 зміщуються одна відносно другої. Спостерігаючи поверхні А1 і А2 за допомогою мікроінтерферометра Лінника (М), по зсуву інтерференційних ліній можна вимірювати контактні деформації з точністю до 0,03 мкм.

 

Рисунок 3.14 – Схема приладу для вимірювання контактних деформацій

На рисунку 3.15 показана залежність контактних деформацій – зближення від тиску у контакті двох стальних поверхонь (Rz =20 мкм). ОВ – перше прикладання навантаження до контакту, ВС – розвантаження. При повторному прикладенні навантаження деформація описується кривою СВ.

 

 

Рисунок 3.15Залежність зближення від тиску







Дата добавления: 2015-10-19; просмотров: 556. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...


Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...


Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...


Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Йодометрия. Характеристика метода Метод йодометрии основан на ОВ-реакциях, связанных с превращением I2 в ионы I- и обратно...

Броматометрия и бромометрия Броматометрический метод основан на окислении вос­становителей броматом калия в кислой среде...

СИНТАКСИЧЕСКАЯ РАБОТА В СИСТЕМЕ РАЗВИТИЯ РЕЧИ УЧАЩИХСЯ В языке различаются уровни — уровень слова (лексический), уровень словосочетания и предложения (синтаксический) и уровень Словосочетание в этом смысле может рассматриваться как переходное звено от лексического уровня к синтаксическому...

Плейотропное действие генов. Примеры. Плейотропное действие генов - это зависимость нескольких признаков от одного гена, то есть множественное действие одного гена...

Методика обучения письму и письменной речи на иностранном языке в средней школе. Различают письмо и письменную речь. Письмо – объект овладения графической и орфографической системами иностранного языка для фиксации языкового и речевого материала...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.014 сек.) русская версия | украинская версия