Найденные документы

Заявка 1. ОСТРИЙНЫЕ СТРУКТУРЫ, ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ И МЕТОДЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (2001 135 713)

Заявка: 2001135713/28, 31.05.2000

МПК: G01L1/00

Дата публикации заявки: 20.11.2003

Дата перевода заявки РСТ на национальную фазу: 03.01.2002

Заявка РСТ: RU 00/00209 (31.05.2000)

Публикация РСТ: WO 00/74107 (07.12.2000)

Адрес для переписки: 117421, Москва, ул. Обручева, 20, кв.12, Е. И. Гиваргизову

Заявитель(и): Гиваргизов Евгений Инвиевич, Гиваргизов Михаил Евгеньевич

Автор(ы): Гиваргизов Евгений Инвиевич, Гиваргизов Михаил Евгеньевич

Формула изобретения

1. Острийная структура, которая включает монокристаллическую подложку и монокристаллическое острие, эпитаксиальное к подложке, отличающаяся тем, что ось острия образует данный угол по отношению к вертикали, которая проходит через его основание.

2. Острийная структура по п.1, отличающаяся тем, что подложка имеет плоскую поверхность.

3. Острийная структура по п.1, отличающаяся тем, что подложка представляет собой монокристаллическое острие, эпитаксиальное к плоской монокристаллической поверхности.

4. Острийная структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что единственная точка подложки служит основанием для, по меньшей мере, двух острий.

5. Острийная структура по любому из пп.1-4, отличающаяся тем, что острие имеет форму, которая включает, по меньшей мере, одну ступень и два звена, ось каждого последующего звена может образовывать свой собственный угол по отношению к оси предшествующего звена.

6. Острийная структура по п.5, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одна из ступеней служит базисом для, по меньшей мере двух, звеньев и, по меньшей мере, одно из них может быть не эпитаксиальным по отношению к предыдущему.

7. Острийная структура по любому из пп.5 и 6, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев образовано нанотрубкой.

8. Острийная структура по п.7, отличающаяся тем, что нанотрубка скомбинирована слоями разных материалов, один из которых углерод.

9. Острийная структура по любому из пп.5-8, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев образовано, по меньшей мере, одним атомным рядом.

10. Острийная структура по любому из пп.1-9, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно острие имеет частицу на его вершине, которое содержит, помимо материала острия, по меньшей мере, еще один химический элемент, причем частица может быть покрыта пленкой этого или иного элемента.

11. Острийная структура по п. 10, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один химический элемент, содержащийся в частице, участвует в выращивании острийной структуры, и частица может быть покрыта пленкой этого или иного элемента.

12. Острийная структура по пп.10 и 11, отличающаяся тем, что на пленку осаждаются химические функциональные группы.

13. Острийная структура по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что немагнитное острие имеет плоскую вершину, монодоменная магнитная частица конической формы помещена на плоскую вершину острия, причем частица контактирует c плоской вершиной острия.

14. Острийная структура по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что электропроводящее острие имеет плоскую вершину перпендикулярную

15. Острийная структура, которая включает подложку и монокристаллическое острие, отличающаяся тем, что острие не эпитаксиально подложке.

16. Острийная структура по п. 15, отличающаяся тем, что ось острия образует некоторый угол по отношению к вертикали, которая проходит через его основание.

17. Острийная структура по любому из пп.15 и 16, отличающаяся тем, что подложка имеет плоскую поверхность.

18. Острийная структура по любому из пп.15-17, отличающаяся тем, что подложкой служит монокристаллическое острие, по отношению плоской монокристаллической поверхности.

19. Острийная структура по любому из пп.15-18, отличающаяся тем, что одна точка подложки служит базисом, по меньшей мере, двух острий.

20. Острийная структура по любому из пп.15-19, отличающаяся тем, что острие имеет форму, которая содержит, по меньшей мере, одну ступень и два звена, причем ось каждого последнего звена образует свой собственный угол по отношению к оси предыдущего звена.

21. Острийная структура по п.20, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одна ступень служит базисом для двух звеньев, причем, по меньшей мере, одно из них может быть не эпитаксиальным по отношению к предшествующему.

22. Острийная структура по пп.20 и 21, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев сформировано нанотрубкой.

23. Острийная структура по п.22, отличающаяся тем, что нанотрубка скомбинирована из слоев разных материалов, причем один из них углерод.

24. Острийная структура по любому из пп.20-23, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно из звеньев образовано, по меньшей мере, одним рядом атомов.

25. Острийная структура по любому из пп. 15-24, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, одно острие имеет частицу на вершине, которая содержит, кроме острийного материала, по меньшей мере, еще один химический элемент, причем частица покрыта пленкой этого или иного элемента.

26. Острийная структура по п.25, отличающаяся тем, что, по меньшей мере, один химический элемент, содержащийся в частице, участвует в выращивании острийной структуры, и эта частица может быть покрыта пленкой этого или иного элемента.

27. Острийная структура по любому из пп.25, 26, отличающаяся тем, что на пленку осаждают химические функциональные группы.

28. Острийная структура по любому из пп. 15-24, отличающаяся тем, что немагнитное острие имеет плоскую вершину, на этой плоской вершине расположена монодоменная магнитная частица конической формы, причем основание частицы контактируете плоской вершиной.

29. Острийная структура согласно любому из пп. 15-24, отличающаяся тем, что электропроводящее острие имеет плоскую вершину, перпендикулярную к его оси, плоская вершина покрыта диэлектрической пленкой, причем р-п переходе верхней части острия параллелен и близок к плоской вершине.

30. Метод изготовления острийной структуры посредством эпитаксиального выращивания острия по механизму пар-жидкость-кристалл на подложке путем осаждения паро-газовой и/или газовой смеси с использованием, по меньшей мере, одного металлического растворителя, отличающийся тем, что острийную структуру выращивают как, по крайней мере, одно острие такое, что ось острия образует некоторый угол по отношению к вертикали, которая проходит через его основание.

31. Метод по п.30, отличающийся тем, что в качестве подложки используется монокристаллическая пластинка ориентированная по определенной кристаллографической плоскости, причем эта пластинка позволяет изготовить острийную структуру как, по меньшей мере, одно острие эпитаксиальное подложке под некоторым углом к ее поверхности.

32. Метод по п.30, отличающийся тем, что в качестве подложки используется монокристаллическое острие эпитаксиальное к плоской монокристаллической поверхности.

33. Метод по любому из пп.30-32, отличающийся тем, что острийная структура для пп.3-14 изготовляется изменением температуры выращивания и/или концентраций соединений в парогазовой или газовой смеси, и/или давлений парогазовой или газовой смеси, и/или добавлением, по меньшей мере, одного металла-растворителя и/или его испарением.

34. Метод по любому из пп.30-33, отличающийся тем, что после выращивания острийной структуры проводится диффузия, по меньшей мере, одного химического элемента в эту структуру с сохранением структуры, по меньшей мере, одного металла-растворителя.

35. Метод по любому из пп.30-34, отличающийся тем, что после изготовления острийной структуры она погружается в аморфный материал, полученный композит полируется вместе с, по меньшей мере, одной вершиной до образования плоской поверхности, и аморфный материал может быть вытравлен (удален).

36. Метод по любому из пп.30-35, отличающийся тем, что после вытравливания аморфного материала проводится диффузия, по меньшей мере, одного химического элемента в материал острийной структуры.

37. Метод по любому из пп.30-36, отличающийся тем, что проводится диффузия, по меньшей мере, одного химического элемента в, по меньшей мере, один металлический растворитель.

38. Метод по п.37, отличающийся тем, что стравливанием материала, который продиффундировал в, по меньшей мере, один металл-растворитель, этот металл-растворитель удаляют.

39. Метод по любому из пп.30-38, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один химический элемент испаряют на всю поверхность острийной структуры.

40. Метод по п.39, отличающийся тем, что часть испаренного химического элемента удаляют стравливанием диффузионного слоя с поверхности острийной структуры, или стравливанием аморфного слоя с сохранением химического элемента, по меньшей мере, на одной вершине.

41. Метод по любому из пп.30-40, отличающийся тем, что выполняют эпитаксиальное выращивание острийной структуры, по меньшей мере, на одной вершине создают ступень и/или плато путем изменения температуры выращивания и/или концентрации соединений в паро-газовой или газовой смеси и/или давлений паро-газовой или газовой смеси, и/или добавлением, по меньшей мере, одного металла-растворителя и/или его испарения, после чего закристаллизовавшаяся глобула может быть удалена.

42. Метод по любому из пп.34-41, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одна из процедур, описанных в пп.33-41 используется, по меньшей мере, еще один раз.

43. Метод по любому из пп.39-41, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один раз используют магнитный материал для испарения, образовавшуюся магнитную частицу заостряют бомбардировкой ускоренными ионами и проводят ее монодоменизацию.

44. Метод по п.43, отличающийся тем, что монодоменизацию проводят выдерживанием частицы в постоянном магнитном поле определенного направления.

45. Метод по пп.43 и 44, отличающийся тем, что монодоменизацию проводят при высокой температуре магнитной частицы, причем эта температура может быть достигнута пропусканием полевого эмиссионого тока через острийную структуру.

46. Метод изготовления, по меньшей мере, одной острийной структуры направленным выращиванием по механизму пар-жидкость-кристалл на подложке при осаждении материала из паро-газовой и/или газовой смеси с использованием, по меньшей мере, одного металла-растворителя, отличающийся тем, что острийную структуру выращивают не эпитаксиально подложке.

47. Метод по п.46, отличающийся тем, что острийную структуру создают в соответствии с пп.15-29.

48. Метод по любому из пп.46 и 47, отличающийся тем, что для выращивания острия в подложке создают полость.

49. Метод по п.48, отличающийся тем, что полость имеет форму, которая соответствует кристаллографической структуре острийного материала

 

Заявка 2. СИЛОВОЙ ЗОНД НА ОСНОВЕ КВАРЦЕВОГО РЕЗОНАТОРА (2003 116 595)

Заявка: 2003 116 595, 05.06.2003

МПК: G01B7/00

Дата публикации заявки: 10.12.2004

Адрес для переписки: 124482, Москва, Зеленоград, корп.317А, а/я 158, ЗАО "НТ-МДТ", В.А.Быкову

Заявитель (и): ЗАО «НТ-МДТ»

Авторы: Быков Виктор Александрович (RU), Медведев Борис Константинович (RU), Саунин Сергей Алексеевич (RU), Михайлов Геннадий Михайлович (RU).

Формула изобретения

1. Силовой зонд на основе кварцевого резонатора для сканирующего зондового микроскопа, содержащий кварцевый резонатор с иглой, закрепленной на плоскости одного из плеч кварцевого резонатора, отличающийся тем, что как минимум одна игла закреплена за счет сил химического взаимодействия между иглой и плоскостью.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве иглы используют нитевидный углеродный кристалл.

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве иглы используют нанотрубку.

4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве иглы используют металлический нитевидный кристалл.

5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве иглы используют нитевидный кристалл из полупроводника.

6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве иглы используют нитевидный кристалл из изолятора.

7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что игла может быть закреплена на внешнюю плоскость плеча кварцевого резонатора перпендикулярно его оси симметрии.

8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что игла может быть закреплена на одну из боковых плоскостей плеча кварцевого резонатора перпендикулярно его оси симметрии.

9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что игла может быть закреплена на торцевую плоскость плеча кварцевого резонатора перпендикулярно его оси симметрии.

10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что игла может быть закреплена на внешнюю плоскость плеча кварцевого резонатора параллельно его оси симметрии.

11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что игла может быть закреплена на торцевую плоскость плеча кварцевого резонатора параллельно его оси симметрии.

12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что игла может быть закреплена под произвольным углом к плоскости одного из плеч кварцевого резонатора.

13. Устройство по п.1, отличающееся тем, что на плоскости одного из плеч кварцевого резонатора закреплены несколько игл с различной длиной.

 

Заявка 3. ОСТРИЙНАЯ СТРУКТУРА С НАНОТРУБКОЙ (2006 133 011)

Заявка: 2006133011/28, 15.09.2006

МПК G12В 21/00

Дата публикации заявки: 20.03.2008 Бюл. № 8

Адрес для переписки: 127562, Москва, Алтуфьевское ш., 18В, кв.292, М.М. Томишко

Заявитель(и): Федеральное государственное унитарное предприятие ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический Институт им. Л.Я. Карпова (RU)

Автор(ы): Томишко Мария Михайловна (RU), Демичева Ольга Валентиновна (RU), Клинова Лидия Львовна (RU), Томишко Александр Георгиевич (RU), Алексеев Аркадий Мефодьевич (RU).

Формула изобретения

1. Острийная структура, состоящая из магнитной иглы и магнитной нанотрубки на конце иглы, расположенных соосно.

2. Острийная структура по. п.1, отличающаяся тем, что нанотрубка образована углеродом.

3. Острийная структура по п.1, отличающаяся тем, что она предназначена для использования в качестве универсального нанотехнологического оборудования.

4. Острийная структура по п.3, отличающаяся тем, что она предназначена для использования в качестве зонда для сканирующей микроскопии.

5. Острийная структура по п.4, отличающаяся тем, что она предназначена для использования в качестве зонда для туннельного микроскопа.

6. Острийная структура по п.3, отличающаяся тем, что она предназначена для использования в качестве рабочей части наносенсора.

 

Заявка 4. СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫХ И НАНОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ (2007 137 024)

Заявка: 2007137024/28, 08.10.2007

МПК: В82В3/00

Дата публикации заявки: 20.04.2009 Бюл. № 11

Адрес для переписки: 109028, Москва, Большой Трехсвятительский пер., 3, МИЭМ, ком. 508, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат. пов. Т.В. Григорьевой

Заявитель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники (технический университет)" (RU)

Автор(ы): Петров Владимир Семенович (RU), Логинов Борис Альбертович (RU), Логинов Павел Борисович (RU)

Формула изобретения

Способ производства наноэлектронных и наномеханических приборов путем адсорбции отдельных атомов на поверхность подложки и путем десорбции отдельных атомов с поверхности подложки для формирования наноэлектронного или наномеханического прибора с визуализацией результатов процесса на всех этапах, отличающийся тем, что адсорбирующиеся на поверхности подложки атомы поступают из структурных каналов нанотрубок зонда при пропускании электрического тока вдоль структурных каналов за счет электродиффузии в структурных каналах нанотрубок и испарения из зонда с последующей адсорбцией на поверхности подложки, а десорбирующиеся атомы с поверхности подложки поступают в структурные каналы нанотрубок зонда при пропускании электрического тока вдоль структурных каналов за счет ориентированного по направлению структурных каналов полевого испарения с поверхности подложки, внедрения атомов в структурные каналы и дальнейшей электродиффузии внедренных атомов в структурных каналах нанотрубок.

 

Заявка 5. МИКРОФЛЮИДНЫЕ ПЛАТФОРМЫ ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ МНОЖЕСТВЕННЫХ МИШЕНЕЙ (2010 118 611)

Заявка: 2010118611/10, 07.10.2008

МПК C12M 1/34

Приоритет(ы): Конвенционный приоритет: 09.10.2007 03 60/978,544 15.05.2008 118 61/127,812

Дата публикации заявки: 20.11.2011 Бюл. № 32

Дата начала рассмотрения заявки РСТ на национальной фазе: 11.05.2010

Заявка РСТ: 08 2008/079094 (07.10.2008)

Публикация заявки РСТ: WO 2009/048878 (16.04.2009)

Адрес для переписки: 129090, Москва, ул.Б.Спасская, 25, стр.3, ООО "Юридическая фирма Городисский и Партнеры", пат.пов. А.В.Мицу, рег.№ 364

Заявитель(и): ЮНИВЕРСИТИ ОФ НОТР ДАМ ДЮ лак (US)

Автор(ы): ЧАНГ Хсуех-чиа (US), ГОРДОН Джейсон (US), СЕНАПАТИ Сатьяджиоти (US), ГАНЬОН Захари (US).

Формула изобретения

1. Способ детектирования одной или более мишеней, причем способ включает: помещение образца, включающего первую мишень, внутрь микрофлюидного устройства; гибридизацию множества копий первой мишени с множеством наноструктур; подведение электрического тока к множеству наноструктур; применение электрического поля, созданного электрическим током, для перемещения множества наноструктур; сортировку множества наноструктур; и оценку сортированного множества наноструктур для определения по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества первой мишени.

2. Способ по п.1, в котором электрический ток подводят с использованием диэлектрофореза.

3. Способ по п.1, в котором наличие повышенного давления не препятствует исполнению способа.

4. Способ по п.1, в котором множество копий первой мишени получают путем полимеразной цепной реакции.

5. Способ по п.1, в котором электрическое поле имеет первую частоту при первом электрическом токе и вторую частоту при втором электрическом токе, и в котором по меньшей мере одна из множества наноструктур перемещается в первом направлении при первой частоте и во втором направлении при второй частоте.

6. Способ по п.1, в котором множество наноструктур формирует картину в зависимости от частоты электрического поля.

7. Способ по п.1, в котором присутствие или отсутствие первой мишени является показателем присутствия или отсутствия патогена, раковой клетки, биологических везикул, пептидов, ДНК, РНК или не относящихся к ДНК молекул.

8. Способ по п.1, далее включающий подведение множества электрических токов в различных точках к микрофлюидному устройству.

9. Способ по п.8, в котором множество электрических токов создает неоднородное электрическое поле в пределах микрофлюидного устройства.

10. Способ по п.1, в котором множество наноструктур представляет собой одно или более из углеродных нанотрубок, нанобусинок, нанопроволок, наноколлоидов, наночастиц, наностержней, квантовых точек, нанокристаллов, липосом, бусинок из оксида кремния, латексных бусинок, коллоидного золота или других структур с размерами менее одного микрона (мкм).

11. Способ по п.1, далее включающий функционализацию одного или более молекулярных зондов на множестве наноструктур.

12. Способы по п.11, в которых один или более молекулярных зондов включают одно или более из олигомера, флюорофора, карбоксильной группы или стрептавидина.

13. Способ по п.1, далее включающий предварительную обработку образца.

14. Способ по п. 13, в котором предварительная обработка включает по меньшей мере одно из фильтрования или удаления ингибиторов.

15. Способ по п.1, в котором оценка сортированного множества наноструктур включает одно или более из определения значения импеданса, наблюдения картины или детектирования флуоресценции.

16. Способ по п.1, далее включающий фокусирование множества наноструктур перед сортировкой.

17. Способ по п.1, далее включающий: детектирование второй мишени, содержащейся в образце;

гибридизацию множества копий второй мишени с множеством наноструктур; и оценку сортированного множества наноструктур для определения по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества второй мишени, в котором подведение электрического тока к множеству наноструктур побуждает множество наноструктур, гибридизированных первой мишенью, перемещаться в первом направлении, и побуждает множество наноструктур, гибридизированных второй мишенью, перемещаться во втором направлении, и в котором первую мишень и вторую мишень сортируют, основываясь на первом направлении или втором направлении.

18. Детектор мишени, включающий: вход микрофлюидного устройства, в который помещают образец первой мишени; гибридизационную камеру для связывания множества копий первой мишени с множеством наноструктур; фокусирующее устройство для фокусирования множества наноструктур; сортировочное устройство для сортировки множества наноструктур; и ловушку для сбора множества наноструктур.

19. Детектор мишени по п. 18, в котором фокусирующее устройство включает один или более электродов для приложения электрического поля к множеству наноструктур для выстраивания копий первой мишени.

20. Детектор мишени по п. 18, в котором сортировочное устройство включает один или более электродов для приложения электрического поля к множеству наноструктур для перемещения копий первой мишени в первом направлении.

21. Детектор мишени по п. 18, в котором по меньшей мере в одном из фокусирующего устройства или сортировочного устройства используют диэлектрофорез.

22. Детектор мишени по п. 18, далее включающий репликационную камеру для продуцирования множества копий первой мишени.

23. Детектор мишени по п.22, в котором в репликационной камере применяют полимеразную цепную реакцию.

24. Детектор мишени по п. 18, в котором по меньшей мере к одному из фокусирующего устройства или сортировочного устройства подводят электрический ток для создания электрического поля, в котором электрическое поле имеет первую частоту при первом электрическом токе и вторую частоту при втором электрическом токе, и в котором множество наноструктур перемещается в первом направлении при первой частоте и во втором направлении при второй частоте.

25. Детектор мишени по п.24, в котором множество наноструктур формирует картину в зависимости от частоты электрического поля.

26. Детектор мишени по п. 18, далее включающий один или более электродов для подведения множества электрических токов в различных точках на микрофлюидном устройстве.

27. Детектор мишени по п.26, в котором множество электрических токов создает неоднородное электрическое поле в пределах микрофлюидного устройства.

28. Детектор мишени по п. 18, в котором множество наноструктур представляет собой одно или более из углеродных нанотрубок, нанобусинок, нанопроволок, наноколлоидов, наночастиц, наностержней, квантовых точек, нанокристаллов, липосом, бусинок из оксида кремния, латексных бусинок, коллоидного золота или других структур с размерами менее одного микрона (мкм).

29. Детектор мишени по п. 18, в котором один или более молекулярных зондов функционализированы на множестве наноструктур.

30. Детектор мишени по п.29, в котором один или более молекулярных зондов включают одно или более из олигомера, флюорофора, карбоксильной группы или стрептавидина.

31. Детектор мишени по п. 18, далее включающий фильтр для предварительной обработки образца.

32. Детектор мишени по п. 18, в котором ловушка включает детектор для оценки сортированного множества наноструктур по меньшей мере одним путем из определения значения импеданса, наблюдения картины или детектирования флуоресценции.

33. Детектор мишени по п.32, в котором значение импеданса, картина или флуоресценция показывает присутствие или отсутствие первой мишени.

34. Детектор мишени по п.33, в котором присутствие или отсутствие первой мишени является показателем по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества патогена, раковой клетки, биологических везикул, пептидов, ДНК, РНК или не относящихся к ДНК молекул.

35. Детектор мишени по п.18, в котором в образце содержится вторая мишень, в котором гибридизационная камера связывает множество копий второй мишени с множеством наноструктур, и в котором сортировочное устройство сортирует вторую мишень в направлении, отличающемся от такового для первой мишени.

36. Детектор мишени по п.35, в котором сортировочное устройство включает один или более электродов для приложения электрического поля к множеству наноструктур для перемещения копий первой мишени в первом направлении и копий второй мишени во втором направлении.

37. Способ детектирования мишени, причем способ включает: получение образца, включающего мишень; репликацию мишени в образце для продуцирования амплифицированной смеси; фиксирование наноструктуры в камере; функционализацию молекулярного зонда на наноструктуре; протекание амплифицированной смеси через наноструктуру для гибридизации мишени в амплифицированной смеси; и детектирование по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества мишени.

38. Способ по п.37, в котором мишень реплицируют с использованием полимеразной цепной реакции.

39. Способ по п.38, в котором в полимеразной цепной реакции используют два по-разному маркированных праймера.

40. Способ по п.39, в котором один из праймеров является биотинированным, и другой маркирован флуоресцентной меткой.

41. Способ по п.37, в котором наноструктуру фиксируют в камере с помощью одного из химической связи, физического сцепления, силы, обусловленной электрическим полем, или размещением между поверхностями фильтра.

42. Способ по п.37, в котором по меньшей мере один из стрептавидина или авидина связывается с наноструктурами, и реплицированная мишень связывается со стрептавидином или авидином.

43. Способ по п.37, далее включающий приложение электрического поля, в котором присутствие электрического поля облегчает гибридизацию мишени.

44. Способ по п.37, в котором мишень детектируют одним или более путями из определения импеданса, наблюдения картины или детектирования флуоресценции.

45. Детектор мишени, включающий: репликационную камеру, в которой мишень реплицируют для получения амплифицированной смеси; микрофлюидную камеру, содержащую наноструктуры, имеющие молекулярные зонды, функционализированные на таковых; фильтр для удержания наноструктур в микрофлюидной камере; канал, через который амплифицированная смесь протекает через наноструктуру для гибридизации мишени в амплифицированной смеси; и детектор для определения по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества мишени.

46. Детектор мишени по п.45, в котором мишень реплицируют с использованием полимеразной цепной реакции.

47. Детектор мишени по п.46, в котором в полимеразной цепной реакции используют два по-разному маркированных праймера.

48. Детектор мишени по п.47, в котором один из праймеров является биотинированным, и другой маркирован флуоресцентной меткой.

49. Детектор мишени по п.45, в котором наноструктуру фиксируют в камере с помощью одного из химической связи, физического сцепления или силы, обусловленной электрическим полем.

50. Детектор мишени по п.45, в котором по меньшей мере один из стрептавидина или авидина связывается с наноструктурами, и реплицированная мишень связывается со стрептавидином или авидином.

51. Детектор мишени по п.45, в котором детектор детектирует мишень по импедансу, картине или флуоресценции.

52. Способ детектирования одной или более мишеней, причем способ включает: введение образца, включающего одну или более мишеней, в микрофлюидное устройство; удерживание мишеней в резервуаре; пропускание мишеней через множество детектирующих трубок; гибридизацию мишеней; и детектирование по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества мишеней.

53. Способ по п.52, в котором мембрана разрушается, чтобы обеспечить мишеням возможность проходить через множество детектирующих трубок.

54. Способ по п.53, в котором мембрана разрушается при подведении электрического напряжения.

55. Способ по п.52, в котором мишени реплицируют в множестве детектирующих трубок.

56. Способ по п.55, в котором мишени реплицируют со специфическими праймерами для получения мишень-специфических ампликонов в каждой из множества детектирующих трубок.

57. Способ по п.52, в котором мишени гибридизуют с наноструктурами, функционализированными стрептавидином.

58. Способ по п.52, в котором мишени реплицируют в резервуаре.

59. Способ по п.58, в котором мишени реплицируют с неспецифическими праймерами для получения совокупности типов ампликонов для множества мишеней в резервуаре.

60. Способ по п.59, в котором пропускание мишеней ко множеству детектирующих трубок включает пропускание совокупности типов ампликонов к каждой из множества детектирующих трубок.

61. Способ по п.60, в котором каждая из множества детектирующих трубок функционализирована одиночным типом олигомера так, что только один тип из совокупности типов ампликонов, соответствующий одиночной мишени, гибридизуется в каждой из множества детектирующих трубок.

62. Способ по п.52, далее включающий приложение электрического поля для побуждения мишеней к перемещению в сторону микроэлектродной решетки; и по меньшей мере одного или более из измерения импеданса в пределах решетки или наблюдения изображения решетки для детектирования по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества мишеней.

63. Детектор мишени для детектора многочисленных мишеней, причем детектор включает:

инъекционное отверстие для внесения образца, включающего одну или более мишеней, в микрофлюидное устройство;

резервуар для хранения мишеней;

множество детектирующих трубок, находящихся в жидкостной коммуникации с резервуаром;

гибридизационную камеру в множестве детектирующих трубок; и детектор для детектирования по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества мишеней.

64. Детектор мишени по п.63, далее включающий множество мембран, встроенных между резервуаром и каждой из множества детектирующих трубок, в котором по меньшей мере одна из множества мембран разрушается, чтобы обеспечить мишеням возможность проходить через одну из множества детектирующих трубок.

65. Детектор мишени по п.64, далее включающий один или более электродов, в котором мембрана разрушается при подведении электрического напряжения к одному или более электродов.

66. Детектор мишени по п.63, в котором мишени реплицируют в множестве детектирующих трубок.

67. Детектор мишени по п.66, в котором мишени реплицируют со специфическими праймерами для получения мишень-специфических ампликонов в каждой из множества детектирующих трубок.

68. Детектор мишени по п.63, в котором мишени гибридизуют с наноструктурами, функционализированными стрептавидином.

69. Детектор мишени по п.63, в котором мишени реплицируют в резервуаре.

70. Детектор мишени по п.69, в котором мишени реплицируют с неспецифическими праймерами для получения совокупности типов ампликонов для множества мишеней в резервуаре.

71. Детектор мишени по п.70, в котором пропускание мишеней ко множеству детектирующих трубок включает пропускание совокупности типов ампликонов к каждой из множества детектирующих трубок.

72. Детектор мишени по п.71, в котором каждая из множества детектирующих трубок функционализирована одиночным типом олигомера так, что только один тип из совокупности типов ампликонов, соответствующий одиночной мишени, гибридизуется в каждой из множества детектирующих трубок.

73. Детектор мишени по п.63, в котором резервуар и множество детектирующих трубок соединены через микронасос.

74. Детектор мишени по п.63, далее включающий приложение электрического поля для побуждения мишеней к перемещению в сторону микроэлектродной решетки; и по меньшей мере одного или более из измерения импеданса в пределах решетки или наблюдения изображения решетки для детектирования по меньшей мере одного из присутствия, отсутствия или количества мишеней.

75. Детектор мишени по п.74, далее включающий камеру для регистрации изображения решетки.

76. Детектор мишени по п.63, в котором детектор мишени является портативным.

 

Полезная модель 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУР НА ПОДЛОЖКЕ (41933)

Заявка: 2004101099/22,16.01.2004

МПК: Н02М2/00

Дата начала отсчета срока действия патента: 16.01.2004

Опубликовано: 10.11.2004

Адрес для переписки: 109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат.пов. Т.В. Григорьевой, рег.№ 34

Автор(ы): Ивашов Е.Н.(РУ), Чижов А.В. (RU)

Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический университет) (RU)

Формула полезной модели

Устройство для получения наноструктур на подложке, содержащее пьезопривод, жестко связанный с системой зондов и неподвижной направляющей, и подложку, установленную на координатном столе, отличающееся тем, что зонды выполнены в виде углеродных нанотрубок, установленных в кассету, устройство снабжено источником лазерного излучения с возможностью воздействия на подложку посредством углеродных нанотрубок.

 

Полезная модель 2. МНОГОЗОНДОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР (47593)

Заявка: 2005109773/22, 05.04.2005

МПК: Н02N2/00

Дата начала действия патента: 05.04.2005 (45)

Опубликовано: 27.08.2005 Бюл. № 24

Адрес для переписки: 109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, "Отдел охраны интеллектуальной собственности", пат.пов. Т.В. Григорьевой, рег.№ 34

Автор(ы): Ивашов Е.Н. Чижов А.В. (RU)

Патентообладатель(ли): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU)

Формула полезной модели

Многозондовое устройство для выполнения технологических операций формирования наноструктур, содержащее пьезопривод, установленный на неподвижном основании, зонд, связанный с пьезоприводом, подложкодержатель с подложкой, установленный на платформе, причем подложка и зонд электрически связанны между собой, отличающееся тем, что устройство снабжено дополнительными пьезоприводами, установленными на неподвижном основании таким образом, что оси пьезоприводов параллельны, между пьезоприводами на неподвижном основании установлен шаговый двигатель, вал которого связан с диском-«ромашкой», выполненного из диэлектрического материала, на консоли каждого лепестка диска-«ромашки» расположено острие зонда, а подложкодержатель с подложкой связан с платформой посредством трехкоординатного пьезостола, выполненного с возможностью перемещения подложки по координатным осям X, У, Z., устройство снабжено дополнительными трехкоординатными пьезостолами, установленными на платформе соосно дополнительным пьезоприводам, на дополнительных трехкоординатных пьезостолах установлены вспомогательные технологические подложкодержатели с подложками, причем число всех пьезоприводов равно числу лепестков диска-«ромашки», а острия зондов выполнены из различных материалов и на каждом острие зонда установлена углеродная нанотрубка, легированная цинком, хромом и железом, с возможностью реализации ее сверх проводящего состояния.

Рис. 2

 

Полезная модель 3. УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК (66 607)

Заявка: 2007115584/22, 26.04.2007

МПК H01L41/00

Дата начала отсчета срока действия патента: 26.04.2007

Опубликовано: 10.09.2007 Бюл. № 25

Адрес для переписки:

109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 1-3/12, стр.8, МИЭМ, к.508, ООИС, пат.пов.Т.В. Григорьевой, рег.№ 34

Автор(ы): Ивашов Евгений Николаевич (КУ), Козанов Тимур Тимуро