Короткі теоретичні відомості. Транзистор – напівпровідниковий прилад, що склада­ється із двох, близько розміщен­них p-n пе­­­ре­ходів

Транзистор – напівпровідниковий прилад, що склада­ється із двох, близько розміщен­них p-n пе­­­ре­ходів. Тобто – це на­пів­­про­від­ни­ко­вий мо­но­кристал, в якому ство­­­рені три області з різними типами про­від­­нос­ті. Залежно від виконуваних функ­цій їх називають: емі­тер (від ла­т. emittio – випускаю) – область, яка є джерелом віль­них носіїв електричного заряду; колектор (від лат. colligo – збираю, з’єд­ную) – область тран­зис­то­ра, в яку по­трап­ля­ють вільні носії електрично­го заряду, випущені емітером. Між еміте­ром і колектором, котрі ма­ють один і той самий тип про­від­ності, знаходиться база (від грец. basiz – основа) – до­сить тон­ка область, концентрація віль­­них но­сіїв в якій набагато менша, ніж у емі­тері і колекторі. Якщо транзис­тор ви­­­­­­­го­тов­лений так, що база має електронну провідність, то його на­зи­вають транзистором р-n-p типу (мал. 4.59а), якщо ж база має дірко­ву провідність, то – n-p-n типу (мал. 4.59б).

Транзистор використовують для підсилення сили струму­, напруги, потужності, а також для узгодження парамет­рів у складних електричних схе­­­­мах. Залежно від призна­чен­­ня, можливі три способи вклю­­чен­ня транзистора: із спіль­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­­ною базою (мал. 4.60a), із спільним емітером (мал. 4.60б) і спільним колектором (мал. 4.60в).

Розглянемо фізичні процеси, які вібуваються в p-n-p -тран­зисто­рі, увім­кне­ному за схе­­мою із спільним емітером (мал. 4.61). Прикладемо до емі­тер­ного переходу невелику напругу в прямому напрямку, а до колекторного переходу набагато більшу напругу в зворотному напрямку. Такий спо­сіб увімк­нен­ня зменшує контактну різ­ницю потенціалів переходу емі­тер – база і виникає струм, обумовлений рухом дірок І_е. Віль­ні носії, які при цьому потрапляють в базу, частково реком­бі­нують, але, завдяки малій товщині бази і низькій концентра­ції елект­­­­­­ро­нів в ній, більшість дірок досягає колекторного переходу внаслі­док ди­фузії. Зворотна напруга, що прикладена до колектора, створює сильне електричне поле E , d – товщина p-n- перехо­ду, вона має досить ма­лі значення (типово 50–60 мкм). Це поле втягує дірки, що є в базі, в колектор, збільшу­ючи їх швид­кість. Таким чином, всі дірки, які досягли колекторного переходу, будуть брати участь в утворенні стру­му колектора I_к, їх концентрацію можна ви­ра­зити як:

n = n_е – n_б + n_к,

де п_е – концентрація дірок, випущених емітером, п_б – концентрація тих дірок, які реком­бі­нува­ли в базі, п_к – концентрація віль­них носіїв власне в колекторі.

Різниця потенціалів між емі­те­ром і колектором у десятки разів більша за різницю потенціалів між емітером і базою. А це означає, що змінами струму бази можна керувати вихідним струмом I_к, зміни якого будуть відповідними за формою I_е, але значно більшими за величиною.

Транзистори характеризуються сукупністю вхідних і вихідних статичних характеристик:

1. Вхідні характеристики відображають залежність вхід­ного струму від вхідної напруги: I_б = f (U_бе) при U_ке = const (мал. 4.62).

2. Вихідні характеристики відображають залежність вихідно­го струму від вихідної напруги при сталому вхід­ному струмі (мал. 4.63):

I_к = f (U_ке) при I_б = const.

За цими характеристиками визначають основні параметри транзистора:

1. Вхідний опір R_вх = D U_бе /D I_б при U_ке = const.

2. Вихідний опір R_вих = D U_ке /D I_к при I_б = const.

3. Коефіцієнт підсилення струму b = D I_к /D I_б при U_ке = const.