Обратная ветвь ВАХ
При анализе обратной ВАХ p-n-перехода мы считали, что обратный ток обусловлен только дрейфом неосновных носителей, т.е. тепловым током I0. 1. I0 зависит от концентрации неосновных носителей, от интенсивности их генерации вблизи перехода, а также от подвижности, т.е. от типа материала п/п. I0Ge > > I0Si 2. I0 зависит от площади p-n-перехода (чем больше площадь, тем больше ток) 3. Обратный ток может включаться за счёт генерации пар зарядов в самом переходе Iд и за счёт процессов, происходящих на поверхности контакта п/п Iпов. IдGe мал, IдSi обусловлен преобладанием тепловой генерации пар зарядов над процессами рекомбинации, он больше I0 4. Поверхностные явления образуют ток, величина которого сравнима в германиевых диодах с током I0, в кремниевых – с током Iд. Ток растёт пропорционально величине обратного напряжения, зависит от окружающей среды и от длительности работы диода.
Iобр = Iпов + I0 Ge Si
|
I I
U Iпов U
Iпов
I0
I0 
Iобр = Iпов + I0
