ВАХ p-n-перехода
Если умножить все j на площадь p-n-перехода, то получим токи:
Iпр
Iобр
P-n-переход под обратным внешним напряжением
Если к р-области приложить отрицательное внешнее напряжение, а к n-области положительное, то jк увеличится и через запирающий слой потечёт лишь ток, образованный перемещением неосновных носителей. При напряжении –0, 5 В обратный ток равен току насыщения:
I обр= I нас= I ps+ I ns
Все имеющиеся в п/п носители будут участвовать в создании дрейфового тока. Диаграмма изменения потенциального барьера:
Ширина запирающего слоя (ЗС) Область существования контактного поля определяется пределами запирающего слоя 2L. Исходя из этого, L – это глубина проникновения э.п. в п/п. Глубина проникновения э.п. в тело определяется уравнением Пуассона, связывающее E с q и e:
r - объёмная плотность электрических зарядов, создающих э.п. Е. r=eN X – расстояние от границы контакта e - диэлектрическая проницаемость п/п N – объёмная концентрация носителей заряда. Проинтегрировав уравнение дважды от 0 до L, получим:
Если к p-n-переходу приложить внешнее напряжение, то вместо jк подставляем суммарную разность потенциалов. При приложении прямого напряжения ширина уменьшается, а обратного – увеличивается. Различные виды переходов
|
- диффузионные токи за счёт движения
основных носителей
- дрейфовые токи, обусловленные движением
неосновных носителей
I
U
W p EК n
E X
eφ 0p eφ 0K
WА u
U WФ
ВЗWД
2LW В
