Электронно-дырочный переходПринцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на явлениях, происходящих на границе двух полупроводников с различными видами проводимости. Электронно-дырочный переход или р - n - переход образуется путем сплавления полупроводников типа n и типа р в единый монокристалл. На границе электронной и дырочной областей существует градиент концентрации зарядов – в области р положительный заряд, обусловленный наличием дырок, в области n - отрицательный заряд свободных электронов. Наличие градиента концентрации зарядов вызывает появление диффузионного тока – переноса заряженных частиц (дырок и электронов) через р - n переход. Таким образом, в области р вследствие ухода дырок возникает не скомпенсированный отрицательный заряд, а в области n вследствие ухода электронов – положительный заряд. Наличие зарядов противоположных знаков на границе между р - и n областями приводит к появлению между этими областями так называемой контактной разности потенциалов и электрического поля Е ДИФ, называемое диффузионным. Диффузионное поле оказывается тормозящим для движения дырок из области р и электронов из области n через р - n переход, т. е. на границе между р - и n областями возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузии основных носителей, рис.6.1.
При прямом подключении к р - и n областям внешнего электрического поля, направленного навстречу диффузионному, при Евн ≥ Едиф, через р - n переход начнется движение основных носителей (дырок из области р и электронов из области n), образующих прямой ток, рис.6.1 (прямое включение). Вольтамперная характеристика р - n перехода при прямом подключении является нелинейной. При подключении внешнего напряжения плюсом к области n, а минусом к области р, что представляет собой обратное включение р - n перехода, электрический ток будет определяться только неосновными носителями (электронами в области р, и дырками в области n). Поскольку концентрация неосновных носителей очень мала, обратный ток оказывается значительно меньше прямого тока и очень мало зависит от обратного напряжения. При некотором значении обратного напряжения происходит пробой р - n перехода, вызывающий резкое увеличение обратного тока. Различают электрический и тепловой пробой. При электрическом пробое число носителей заряда возрастает под действием сильного электрического поля и ударной ионизации атомов решетки полупроводника. Электрический пробой не приводит к выходу р - n перехода из строя. После выключения р - n перехода его свойства полностью восстанавливаются. При тепловом пробое возникает перегрев полупроводника, наблюдается нарушение теплового баланса и выход р - n перехода из строя. 3. Полупроводниковые диоды Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный прибор, основу которого составляет р - n структура, разделенная электронно-дырочным переходом. Изображение полупроводникового диода показано на рис.6.2. Острая вершина треугольника указывает направление прямого тока через диод. Треугольник соответствует р области и называется иногда анодом или эмиттером, а прямолинейный отрезок - области n и называется катодом или базой.
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный ток. Выпрямление переменного тока основано на односторонней проводимости диода. Вольтамперная характеристика р - n перехода, изображенная на рис.6.1, является характеристикой диода. При включении диода в прямом направлении сопротивление его электрическому току очень мало. При обратном включении – сопротивление диода велико и он практически не пропускает электрический ток. Выпрямление переменного напряжения (тока) показано на рис.6.3. При действии положительной полуволны входного напряжения U1 диод включен в прямом направлении, сопротивление его мало и на сопротивлении нагрузки R н падение напряжения U 2 практически равно входному напряжению. При действии отрицательной полуволны напряжения диод включен в обратном направлении, его сопротивление во много раз больше сопротивления нагрузки, поэтому все напряжение обратной полуволны падает на диоде, а напряжение на нагрузке практически равно нулю. Данная схема выпрямления называется однополупериодной, т. к. на нагрузку проходит только один полупериод входного переменного напряжения.
Нагрузочная способность выпрямительных диодов определяется допустимым прямым током I пр, соответствующим ему падением напряжением на открытом диоде U пр, допустимым обратным напряжением U обр и соответствующим ему обратным током I обр, а также допустимой мощностью рассеяния P рас и допустимой температурой окружающей среды (500 С для германиевых и 1400 С для кремниевых диодов). Мощность рассеяния выпрямительных диодов определяется площадью р - n перехода. Вследствие большой площади р - n перехода допустимая мощность рассеяния выпрямительных диодов достигает 1 Вт при значениях прямого тока до 1 А. У выпрямительных диодов большой мощности с радиаторами и искусственным охлаждением допустимая мощность рассеяния достигает 10 кВт при значениях допустимых прямого тока до 1000 А и обратного напряжения до 1500 В. Стабилитроны представляют полупроводниковые диоды, в которых для стабилизации постоянного напряжения используется участок обратной ветви вольтамперной характеристики диода в области электрического пробоя. Схема стабилизации и вольтамперная характеристика стабилитрона показаны на рис.6.4. При изменении тока, протекающего через стабилитрон от Последовательно со стабилитроном, включенным в обратном направлении, соединено балластное сопротивление R, необходимое для задания тока стабилитрона. Сопротивление нагрузки подключается параллельно стабилитрону I ст.мин до I ст.макс., напряжение на нем почти не изменяется, рис.6.3.1. Напряжение на нагрузке также будет оставаться постоянным в указанных пределах изменения тока, протекающего через стабилитрон.
|
