Студопедия — СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ






 

А - амплитуда колебаний
АГ - автогенератор
АДМХ - амплитудная динамическая модуляционная характеристика
АМ - амплитудная модуляция
АЧМХ - амплитудно-частотная модуляционная характеристика
АЧХ - амплитудно-частотная характеристика
АЭ - активный элемент
ВАХ - вольт-амперная характеристика
ВЧ - высокая частота (3…30 МГц)
ГВВ - генератор с внешним возбуждением (усилитель)
ЗЧ - звуковые частоты (16…20000 Гц)
КР - кварцевый резонатор
КПД - коэффициент полезного действия
КС - колебательная система
ЛГР - линия граничного режима
М - индекс угловой модуляции
ОБ - общая база
ОВЧ - очень высокие частоты (30…300 МГц)
ОЭ - общий эмиттер
П - эффективная ширина спектра ЧМ-колебания
СВЧ - сверхвысокие частоты (3…30 ГГц)
СКП - средняя квадратическая погрешность
СМХ - статическая модуляционная характеристика
ТКЕ - температурный коэффициент емкости
ТКЧ - температурный коэффициент частоты
УВЧ - ультравысокие частоты (300…3000 МГц); усилитель высокой частоты
УМ - угловая модуляция, усилитель мощности
УРЭ - управляемый реактивный элемент, например, варикап
ФМ - фазовая модуляция
ЦС - цепь согласования; цепь связи
ЧМ - частотная модуляция
ЧМХ - частотная модуляционная характеристика
C - емкость колебательного контура, емкость перехода варикапа
- полная емкость коллекторного перехода транзистора
- емкость активной области перехода транзистора
- суммарная емкость эмиттерного перехода транзистора
D - проницаемость активного элемента; дисперсия
- напряжение смещения на базе
- напряжение отсечки (запирания) транзистора
- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора
- управляющее напряжение
- граничная частота транзистора по крутизне
- предельная частота усиления по току в схеме с ОЭ
- коэффициент формы импульса по первой гармонике тока
- мгновенное значение тока коллектора
- амплитуда импульса (максимальное мгновенное значение) коллекторного тока
- постоянная составляющая коллекторного тока
- амплитуда первой гармоники коллекторного тока
- максимально допустимый постоянный ток коллектора
- максимально допустимый импульсный ток коллектора
- ток в колебательном контуре
- амплитуда тока в режиме молчания (несущей частоты)
- обратный ток варикапа
К - коэффициент обратной связи
Кн - коэффициент нелинейных искажений
Кр - коэффициент усиления по мощности
Кс - коэффициент перекрытия емкости варикапа
- индуктивность колебательного контура
- глубина (коэффициент) модуляции
, - коэффициенты модуляции для верхней и нижней полуволн огибающей АМ колебания
р - коэффициент включения колебательного контура, частотного модулятора
Р0 - мощность, потребляемая от источника питания
Р1 - колебательная мощность
Рк - мощность, рассеиваемая коллектором
Ркmax - максимальная мощность, рассеиваемая коллектором
Рп - полезная мощность генератора (в нагрузке)
- добротность колебательного контура, добротность варикапа
- сопротивление базы транзистора
- сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером транзистора на ВЧ;
R - резонансное сопротивление колебательного контура
Rэк - сопротивление коллекторной цепи
S - крутизна характеристики тока коллектора на низких частотах
S0 - дифференциальная крутизна активного элемента
S1 - модуль средней крутизны активного элемента
- крутизна линии граничного (критического) режима
Sп - крутизна характеристики тока коллектора по переходу
S f - модуль крутизны тока коллектора на рабочей частоте f; крутизна модуляционной характеристики при ЧМ
Т - период следования импульсов
uк - мгновенное значение напряжения на коллекторе
Uб - амплитуда напряжения возбуждения
Uбэ max - максимально допустимое напряжение база-эмиттер транзистора
Uк - амплитуда коллекторного напряжения
Uкэ max - максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uобр - обратное напряжение на варикапе
UΩ - амплитуда модулирующего напряжения
- среднее арифметическое результатов измерений
Z - комплексное входное сопротивление контура
- статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
- девиация частоты
- девиация фазы
- относительная погрешность измерений
- общий КПД
- электронный КПД
- контурный КПД
θ - угол отсечки
ξ - коэффициент использования коллекторного напряжения
ρ - характеристическое сопротивление колебательного контура
σ - средняя квадратическая погрешность (СКП)
τ - время усреднения
- время задержки
- длительность импульсов
- постоянная времени цепи обратной связи транзистора на высокой частоте;
φ - сдвиг фаз
- сдвиг фаз в цепи обратной связи
- сдвиг фаз в активном элементе
- контактная разность потенциалов
- резонансная частота колебательного контура;
- частота модулирующего напряжения;






Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 704. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Ганглиоблокаторы. Классификация. Механизм действия. Фармакодинамика. Применение.Побочные эфффекты Никотинчувствительные холинорецепторы (н-холинорецепторы) в основном локализованы на постсинаптических мембранах в синапсах скелетной мускулатуры...

Шов первичный, первично отсроченный, вторичный (показания) В зависимости от времени и условий наложения выделяют швы: 1) первичные...

Предпосылки, условия и движущие силы психического развития Предпосылки –это факторы. Факторы психического развития –это ведущие детерминанты развития чел. К ним относят: среду...

Виды сухожильных швов После выделения культи сухожилия и эвакуации гематомы приступают к восстановлению целостности сухожилия...

КОНСТРУКЦИЯ КОЛЕСНОЙ ПАРЫ ВАГОНА Тип колёсной пары определяется типом оси и диаметром колес. Согласно ГОСТ 4835-2006* устанавливаются типы колесных пар для грузовых вагонов с осями РУ1Ш и РВ2Ш и колесами диаметром по кругу катания 957 мм. Номинальный диаметр колеса – 950 мм...

Философские школы эпохи эллинизма (неоплатонизм, эпикуреизм, стоицизм, скептицизм). Эпоха эллинизма со времени походов Александра Македонского, в результате которых была образована гигантская империя от Индии на востоке до Греции и Македонии на западе...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия