Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Дифференциальные усилители постоянного тока





В настоящее время наибольшее распространение получили УПТ на основе дифференциальных каскадов. Такие усилители реализуются в виде монолитных ИМС и широко выпускаются промышленностью (КТ118УД, КР198УТ1 и др.).

 

Дифференциальный каскад представляет собой симметричный усилитель

 

параллельного баланса (рис.13.4).


 

 


    E п    
R б R к1 R к2 R б    
U вх1 U вых вх  
  U    

VT 1 a b Vt 2

R э

 

Рис.13.4. Принципиальная схема дифференциального УПТ

 

Схема дифференциального усилителя УПТ состоит из двух каналов усиления. Выходное напряжение представляет собой разность выходных напряжений двух каналов усиления. Таким образом, при условии симметрии плеч усилителя удается уменьшить напряжение дрейфа УПТ. Пусть на усилитель действует некоторое дестабилизирующее воздействие

 

(непостоянство напряжение питания, изменение температуры окружающей среды и др.). В этом случае выходное напряжение на выходе каждого из каналов изменяется одинаково:

 

U к1 U U к2 U (13.5)

 

Поскольку выходное напряжение равно разности выходных напряжений двух каналов, то при условии идентичности плеч имеем:

 

U вых U к1 U к2 (13.6)

Для дифференциального УПТ вводится понятие ослабления синфазных сигналов Fs. Чем больше коэффициент ослабления синфазных сигналов, тем меньше напряжение дрейфа. Для хорошей дифференциальной пары Fs 80дБ.

 

При общей эмиттерной нагрузке обоих активных элементов усиление увеличивается в два раза. Напряжение на общем сопротивлении в цепи эмиттера R э, вызванное изменением входного напряжения на базе транзистора

 

VT 1, оказывается противофазным для транзистора VT 2.


 


Поскольку идентичность двух плеч усиления обеспечить сложно, то включают дополнительное подстроечное сопротивление в цепи эмиттера транзисторов (рис.13.5).

 

a R бал b  
   

 

 

R э

 

E п

 

 

Рис.13.5 Схема включения подстроечного сопротивления R бал

 

Дальнейшее уменьшение напряжение дрейфа требует применения специальных схем для стабилизации тока эмиттера транзисторов VT 1 и VT 2,

 

чем достигается стабильность рабочих точек транзисторов. В качестве таких схем используют генераторы стабильного тока (ГСТ), которые включают в эмиттерную цепь транзисторов. В качестве ГСТ часто используют схему

 

«токовое зеркало» (рис.13.6).

 

 

R 3

 

J 0

 

J 1

 

R 1 R 2

 

Рис.13.6. Принципиальная схема токового зеркала

 

Требуется стабилизировать ток J 0. Самым стабильным элементом является сопротивление. Класс точности этого элемента является достаточно высоким. На этом и основан принцип работы схемы токового зеркала.


 

 


Необходимым и достаточным условием работы схемы является большое значение крутизны транзистора:

 

S 200 300 мА (13.7)  
В  
     

 

При выполнении условия J б J к, J э током базы можно пренебречь, по сравнению с токами коллектора и эмиттера транзистора, при этом:

 

U бэ J 0 R 1 U д J 1 R 2 (13.8)  
Если допустить, что напряжения U бэ и U д одинаковы, то    
J 0 J 1 R 2 (13.9)  
R    
       

 

Таким образом, если J 1 стабилен, то будет стабилен и ток J 0.

 

Вместо диода в схемах токового зеркала часто используют транзистор в диодном включении.

 







Дата добавления: 2014-11-12; просмотров: 1130. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...


Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...


Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Лечебно-охранительный режим, его элементы и значение.   Терапевтическое воздействие на пациента подразумевает не только использование всех видов лечения, но и применение лечебно-охранительного режима – соблюдение условий поведения, способствующих выздоровлению...

Тема: Кинематика поступательного и вращательного движения. 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью, проекция которой изменяется со временем 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью...

Условия приобретения статуса индивидуального предпринимателя. В соответствии с п. 1 ст. 23 ГК РФ гражданин вправе заниматься предпринимательской деятельностью без образования юридического лица с момента государственной регистрации в качестве индивидуального предпринимателя. Каковы же условия такой регистрации и...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Йодометрия. Характеристика метода Метод йодометрии основан на ОВ-реакциях, связанных с превращением I2 в ионы I- и обратно...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия