Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Цикл чтения из микросхем ОЗУ и его временная диаграмма;





Вар 1.

Для чтения информации из памяти надо выставить код адреса читаемой ячейки и подать сигналы –CS и –OE (если он имеется). Сигнал -WR в процессе чтения должен оставаться пассивным (равным единице). В некоторых микросхемах памяти (называемых нетактируемыми, например, К155РУ7, КР541РУ2, HM62256) можно держать активным (нулевым) сигнал –CS для всех читаемых адресов. В других микросхемах (называемых тактируемыми, например, КМ132РУ10, К537РУ8) необходимо подавать свой импульс –CS для каждого читаемого адреса. Понятно, что нетактируемые микросхемы гораздо удобнее в применении, чем тактируемые.

 

Вар 2.

Цикл чтения начинается со сброса сигнала CS (Chip Select - Выбор Чипа) в низкое состояние, давая понять тем самым микросхеме, что чип "выбран" и сейчас с ним будут работать (и работать будут, и прорабатывать!).

К тому моменту, когда сигнал стабилизируется, на адресных линиях должен находиться готовый к употреблению адрес ячейки (т.е. номер строки и номер столбца), а сигнал WE должен быть переведен в высокое состояние (соответствующее операции чтения ячейки). Уровень сигнала OE (Output Enable - разрешение вывода) не играет никакой роли, т.к. на выходе пока ничего не содержится, точнее выходные линии находятся в, так называемом, высоко импедансом состоянии.

Спустя некоторое время (tAddress Access), определяемое быстродействием управляющей логики и быстротечностью переходных процессорах в инверторах, на линиях выхода появляются долгожданные данные, которые вплоть до окончания рабочего цикла (tCycle) могут быть непосредственно считаны. Обычно время доступа к ячейке статической памяти не превышает 1 - 2 нс., а зачастую бывает и меньше того!

 

 


Рис. 12.2. Типичные временные диаграммы записи в память (а) и чтения из памяти (б)







Дата добавления: 2015-06-15; просмотров: 684. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...


Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...


Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Гидравлический расчёт трубопроводов Пример 3.4. Вентиляционная труба d=0,1м (100 мм) имеет длину l=100 м. Определить давление, которое должен развивать вентилятор, если расход воздуха, подаваемый по трубе, . Давление на выходе . Местных сопротивлений по пути не имеется. Температура...

Огоньки» в основной период В основной период смены могут проводиться три вида «огоньков»: «огонек-анализ», тематический «огонек» и «конфликтный» огонек...

Упражнение Джеффа. Это список вопросов или утверждений, отвечая на которые участник может раскрыть свой внутренний мир перед другими участниками и узнать о других участниках больше...

Этические проблемы проведения экспериментов на человеке и животных В настоящее время четко определены новые подходы и требования к биомедицинским исследованиям...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия