| Полупровод-ник типа А3В5
| Еg, эВ
| Тип
| Материал контакта
| Технология изготовления
| Температура вплавления
|
| AlN
| 5.9
| Полуизо-лятор
| Si
Al, Al-In
Mo, W
| Формовка
Формовка
Распыление
| 1500-1800
|
| AlP
| 2.45
| n
| Ga-Ag
| Формовка
| 500-1000
|
| AlAs
| 2.16
| n, p
n, p
n, p
n
| In-Te
Au
Au-Ge
Au-Sn
| Формовка
Формовка
Формовка
Формовка
|
|
| GaN
| 3.36
| Полуизо-лятор
| Al-In
| Формовка
|
|
| GaP
| 2.26
| p
p
n
n
| Au-Zn
(99:1)
Au-Ge
Au-Si
(62:38)
Au-Si
(98:2)
| Формовка
Напыление
Формовка
Формовка
Напыление
|
|
| GaAs
| 1.42
| p
| Au-Zn
(99:1)
| Электролиз,
Напыление
|
|
| GaSb
| 0.72
| p
| In
| Формовка
|
|
| InP
| 1.35
| p
| In
| Формовка
| 350-600
|
| InAs
| 0.36
| n
| In
Sn-Te
(99:1)
| Формовка
|
|
| InSb
| 0.17
1.42
2.31
| n
p
n
| In
Sn-Te
(99:1)
Au-Zn
Au-Ge-Ni
| Формовка
Формовка
Напыление
Напыление
|
|
| AlxGa1-xAs
| 1.42 2.16
| p
n
p
p
n
n
| Au-In
Au-Si
Au-Zn
Al
Au-Ge-Ni
Au-Sn
| Анодирование
Напыление
Напыление
Напыление
Напыление
Напыление
Электролиз
| 400-450
450-485
|
| Ga1-xInxSb
| 0.7-0.17
| n
| Sn-Te
| Напыление
|
|
| AlxGa1-xP
| 2.312.45
| n
| Sn
| Формовка
|
|
| Ga1-xInxAs
| 1.47 2.35
| n
| Sn
| Формовка
|
|
| InAsxSb1-x
| 0.17
| n
| In-Te
| Формовка
|
|
Материалы навесок, дающие омические контакты к различным полупроводникам при плавлении с помощью лазера. Приложение №2
| Полупроводник
| Тип проводимости
| Материал навески
|
| Ge
| n
| Sb, Sn, Te, Sn+40% Pb
|
| Ge
| p
| In, Al, Cd, Zn
|
| Si
| n
| Sb, Sn, Te, Sn+40% Pb
|
| Si
| p
| In, Al, Cd, Zn
|
| GaAs
| n
| Te, Au+10% Te
|
| GaAs
| p
| Zn
|
| GaP
| n
| Te, Sn, In, Te, Au+10% Te
|
| GaP
| p
| Zn
|
| GaSb
| n
| Te, Sn, In, Te, Au+10% Te
|
| GaSb
| p
| Zn
|
| SiC
SiC
| n
p
| Al+50% Si
Te, Sn
|
Приложение №3.
Параметры лазеров, использованных для отжига.
| Тип
| L, мкм
| tи
| Eи, Дж/см*см
| Порог поврежде-ния Дж/см*см
|
| Рубиновый одномодовый
| 0.69
|
| 0.5-1.4
| 0.9
|
| Рубиновый многомодовый
| 0.69
|
| 0.2-1.2
| 0.8
|
| Неодимовый многомодовый
| 1.06
|
| 0.3-0.6
| 0.6
|
| CO2
| 10.0
|
| 0.9-30
| >3
|
Список используемой литературы:
1. А. В. Двуреченский, Г. А. Кочурин, Е. В. Нидаев, Л. С. Смирнов
Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. Изд. " Наука", М., 1982.
2. В. И. Стриха, Е. В. Бузанева Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. Изд. " Радио и связь", М., 1987.
3. Э. Х. Родерик Контакты металл-полупроводник. Изд. " Радио и связь", М., 1982.
4. С. Зи Физика полупроводниковых приборов М., Изд. " Мир", 1984.
5. В. И. Стриха, Г. Д. Попова Физические основы изготовления омических контактов металл-полупроводник Изд. " Наукова Думка", Киев 1975.
