Тема 1.1 Конструктивные особенности резисторов различного типа

Постоянный непроволочный поверхностный резистор цилиндрической формы, характерный для групп С1, С2 и С3, представляет собой круглый керамический стержень, на внешнюю поверхность которого нанесен тонкий слой (от долей до единиц микрометра) токопроводящий слой. На оба конца стержня насажены латунные колпачки с аксиальными (чаще всего) выводами. Для защиты от внешней среды резистор покрывают гидрофобной (водоотталкивающей) эмалью, а выводы облуживают. Цвет эмали обычно обозначает ту или иную группу резисторов (например, красный – группу С2). Токопроводящий слой низкоомных резисторов (не более 200-300 Ом) сплошной, а резисторов с более высокими сопротивлениями – с нарезкой, причем чем выше сопротивление, тем мельче шаг нарезки.

Переменный непроволочный резистор круглой формы, характерный для большой группы резисторов СП3, представляет собой токопроводящий элемент в виде нанесенного на подковообразную гетинаксовую пластину композиционного тонкого слоя, по которому скользит подвижный проволочный контакт, укрепленный на текстолитовой подвижной части поворотной оси расчеканкой. На концах «подковки» и подвижном контакте имеются развальцованные выводы. Резистор заключен в пластмассовый или керамический корпус, закрываемый металлическим экраном из стали или латуни (на рисунке не показан).

Подстороечные непроволочные резисторы круглой формы могут быть неэкранированными.

Переменные резисторы СП0 и СП4 в отличие от резисторов СП3 имеют запрессованные в керамическое основание объемные композиционные «подковки» на органической связке и армированные в основании аксиальные штыревые выводы.

СП, СП3-6, СП3-9, СП3-16, СП3-23 лакосажевая компенсация, невысокая теплостойкость.

ПЭВ – постоянный проволочный резистор, отличаются повышенной стойкостью и стабильностью. ТКС – очень мал и не указывается. Имеют большую мощность рассеивания до 100Вт. Однако они имеют заметные паразитные параметры, поэтому используются на низких частотах. (Низкоомные – на частотах до 1МГц; высокоомные - на частотах ниже 50-100 кГц).

Конструкция: на цилиндрический каркас из керамики наматывается проволока, константан, манганин, нихром. Снаружи покрывают тепло влагостойкой эмалью.

Пленочные резисторы ГИС – тонко- и толсто пленочные.

Полупроводниковые.

Терморезисторы, медно-марганцевый, кобальтово-марганцевый. В цепях термостабилизации термодатчик. Для обнаружения и регистрации светосигнала. СТ1-21, СТ3-27, ММТ, КМТ, Т8Д, Т8Е R=f(T)

Фоторезисторы Сернистый кадмий. СФ2-1, СФ3-5, ФСК-2, ФСД1. R=f(E)

 

 

Варисторы. Карбидкремния. СН1-1, СН1-6. Стабилизация токов ОС кинескопов, в схемах размагничивания кинескопов. R=f(U)

 

Прецизионные – С2-13, С2-14, С5-41

ВЧ и СВЧ – МОН, С2-11, С2-34

Высокомегаомные - КИМ-Е

Высоковольтные –С3-6, С3-14

 

В отличие от постоянных резисторов, имеющих два вывода у переменных, как вы уже знаете, таких выводов три. На схеме указывают сопротивление между крайними выводами переменного резистора. Сопротивление же между средним выводом и крайними изменяется при вращении выступающей наружу оси резистора. Причем, когда ось поворачивают в одну сторону, сопротивление между средним выводом и одним из крайних возрастает, соответственно уменьшаясь между средним выводом и другим крайним. Когда же ось поворачивают обратно, происходит обратное явление. Это свойство переменного резистора и используется, например, для регулирования громкости в усилителях, радиоприемниках, магнитофонах.

Мощность переменных резисторов на схемах не ставится, просто в пояснительном тексте указывается тип. Кроме того, в тексте может оговариваться и вид так называемой функциональной характеристики переменного резистора:

А – с линейной

Б – с логарифмической

В – с обратно логарифмической зависимостью сопротивления между правым (со стороны крышки корпуса) и средним выводами от угла поворота оси (она соединена с движком) резистора.