Хід роботи. 1. Найменування і мета роботи.
1. Найменування і мета роботи. 2. Схему стенду. 3. Таблиці вимірів. 4. Тимчасові діаграми. 5. Короткі виведення. Контрольні питання 1. Які функції виконують аналогові схеми в електронній апаратурі? 2. Поясніть особливості побудови схем ОП. 3. Які властивості має " ідеальний" ОП? 4. Перелічіть основні параметри ОП.
Лабораторна робота № 10 Дослідження транзисторів по схемі із спільним емітером Мета роботи: Вивчення особливостей роботи транзистора по схемі із спільним емітером. Зняти вхідну і вихідну статичні характеристики, визначати коефіцієнт підсилення по струму і вхідний опір транзистора. Обладнання: 1. ПК 2. Multisim V2001, Microsoft Excel. 3. Cтенд Теоретичні данні. Біполярним транзистором називають електроперетворювальний прилад, який складається із трьох областей з чергуванням типів електропровідностей які придатні для підсилення потужності. У біполярних транзисторів середній шар називають базою (Б). зовнішній шар, який є джерелом носіїв заряду і який створює струм приладу, - емітером (Е), другий зовнішній шар - колектором (К), який приймає носії заряду, які поступають від емітера. Як основну схему включення біполярного транзистора застосовують схему включення із спільним емітером. Для такої схеми вхідний контур проходить через перехід база - емітер і в ньому виникає струм бази: ІБ = ІЕ-ІК = (1-α)ІЕ Мале значення струму бази на вхідному контурі і зумовило широке застосування схеми із спільним емітером. Схема для зняття характеристик транзистора із спільним емітером приведена на малюнку. Для підбору елементів схеми необхідно знати параметри Таблиця 1.
Хід роботи 1. Зборка і випробування схеми. Транзистор, який досліджується, джерело живлення, вимірювальні прилади з'єднують за схемою. Для випробування схеми за допомогою потенціометра R2 встановлюють напругу колектор-емітер UKЕ порядку 50-60% від найбільшого значення цієї напруги для транзистора, який досліджується. Підтримуючи всю напругу незмінною, змінюють напругу UБЕ (за допомогою E1) і слідкують за показами приладу, який вимірює струм бази IБ. Величина IБ повинна вимірюватись в межах, достатніх для зняття вихідної характеристики. Для цього встановлюють повзунок потенціометра R1 в середнє положення, помічають значення струму ІБ і підтримують його незмінним. Змінюючи напругу UKЕ, слідкують за величиною струму колектора Iк. цей струм повинен плавно змінюватись в достатньо широких межах, щоб зняти вихідну статичну характеристику транзистора. 2. Заняття вхідних статичних характеристик транзистора. Перед заняттям характеристик заготовляють таблицю спостережень: Таблиця 2. Транзистор типу
ІБ = f(UБЕ) = const Вхідні статистичні характеристики транзистора знімають для трьох значень напруги UKЕ, які відрізняються між собою на 30-50%. Величини напруг UКЕ залежать від типу транзистора, який досліджується. Наприклад, для транзистора типу МП40 ці напруги можуть бути відповідно 3 В, 6 В і 10 В. Напруга між базою і емітером UБЕ змінюється за допомогою потенціометра R1 від 0 до 200-300 мВ через 20-30 мВ. 3. Зняття вихідних статичних характеристик транзистора. Дані спостережень записують в заготовлену таблицю: Таблиця 3. Транзистор типу
IК = f(UКЕ) при ІК - const Вихідні статистичні характеристики знімають для чотирьох значень струму бази ІБ. Ці значення струму встановлюють потенціометром R1 і підтримують в процесі спостережень незмінними. Величини струму бази залежать від типу транзистора. Наприклад, для МП40 ІБ можуть складати відповідно 0; 40; 80; 120 мкА. Напруга UKe змінюють за допомогою потенціометра R2 від 0 до 10-15 В через інтервал 2-3 В.
|