Обробка результатів. 1. Побудова графіків статичних характеристик транзистора.

1. Побудова графіків статичних характеристик транзистора.

Побудувати І_Б= f(U_БЕ) при U_KЕ = const і І_К = f(U_KЕ) при І_Б= const. На основі результатів спостережень, записаних в таблиці 1 і 2, в прямокутній системі координат будують сімейство вхідних і вихідних статистичних характеристик транзистора.

Приблизний вид графіків цих характеристик приведений на малюнку:

 

2. Визначення коефіцієнта підсилення по струму і вхідного опору транзистора.

1).Використовуючи сімейство вхідних характеристик транзистора, неважко визначити значення коефіцієнта підсилення по струму. Нехай працюємо при напрузі між колектором і емітером U_КЕ = 5 В, а струм бази І_Б = 40 мкА. Цьому режиму в сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка А. Взявши приріст ΔІ_К і ΔІ_Б між точками В і С при постійній напрузі U_KЕ, знайдемо

β=DІк/DІ_Б=1мА/40мкА при U_KЕ = 5 В = const

 

Вимірювання потрібно. виконувати для напруги U_KЕ, яка становить приблизно 50%найбільшої величини цієї напруги для даного типу транзистора.

2) Вхідний опір транзистора R_BX можна знайти із вхідних
характеристик. Точка А відповідає тому ж режиму, що і на вихідних
характеристиках. За приростом ΔІ_Б і ΔU_БЕ між точками В і С при
постійній U_KЕ = 5 В знаходимо

 

R_ВХ =DU_БЕ/DI_Б=70мВ/40мкА=1750 Ом

 

3. Побудова динамічної характеристики транзистора.та вибір робочої точки на вихідних характеристиках транзистора.

По заданим значенням Е₂ та R_Б побудувати динамічну характеристику транзистора U_КЕ = Е_К – I_БR_Б по двом точкам:

N – режим повного закриття транзистора (І_Б =0);

М - режим повного відкриття транзистора (U_КЕ =0).

Вибрати робочу точку і графічно визначити значення І_Кр, І_Бр, U_Кер.