Лабораторные задания.

Схема 1. Переключение диода из прямого направления в обратное.

1. Собрать измерительную схему, показанную на рис.8.

2. Установить прямой ток через диод по заданию преподавателя. Снять осциллограммы обратного тока диода, подавая отрицательный импульс на диод при включенном и закороченном сопротивлении «R₂».

3. При включенном сопротивлении «R₂» установить амплитуду импульса генератора таким образом, чтобы обратный импульс тока диода имел плоскую вершину. Измерить длительность плоской вершины и величину амплитуды импульса U_имп. Рассчитать время жизни неосновных носителей базы диода по формуле (16), полагая в ней:

Схема 2. Включение и выключение диода.

4. Собрать схему показанную на рис.9.

5. От генератора импульсов подать импульс прямого тока на исследуемый диод. Измерить амплитуду начального напряжения на диоде «U₁». Измерить амплитуду напряжения на сопротивлении «R₄». Определить сопротивление базы диода по формуле: Повторить измерение для импульса тока, отличающегося от первоначального в 1,5 - 2 раза.

6. Подать импульс прямого тока через исследуемый диод. Измерить длительность Dt и величину DU линейного изменения напряжения на диоде. Рассчитать время жизни дырок по формуле (22). Сравнить с результатом, полученным в п.3.

7. Снять экспериментальную зависимость величины напряжения от амплитуды импульсов тока через диод. Определить величину контактной разности потенциалов U_к.

 

Схема 3. Частотные свойства диодов.

 

8. Собрать схему, показанную на рис.10.

9. На частоте 2кГц и выходном напряжении генератора Г3-102 2.5 - 3В сопротивлением "R₅" установить величину выпрямленного тока через диод на всю шкалу микроамперметра Р₂. Снять зависимость величины тока диода от частоты до 200кГц. На частотах 2, 20, 200кГц наблюдать и зарисовать с экрана осциллографа форму напряжения на сопротивлении "R₇".

10. Построить график зависимости выпрямленного тока через диод от частоты. Определить граничную частоту диода.

 

Используемые диоды:

1. Д226А

2. КД105А

3. МД218

4. Д220

5. МД217

 

Примечание: Исследования в п.п. 2-10 выполнить для диодов указанных преподавателем.