Обзор существующих средств и систем исследования характеристик полупроводниковых приборов.

Глава 1

Измерение параметров и характеристик полупроводниковых приборов.

 

1.1 ВАХ.

Под статическими ВАХ полупроводниковых приборов понимаются зависимости между токами и напряжениями включенного в электрическую цепь полупроводникового прибора. Для двухэлектродных приборов (диодов, стабилитронов) это зависимость тока диода Iд от напряжения на диоде Uд: Iд = f(Uд), являющаяся функцией одного аргумента, для трех-электродных (транзисторов) – это функции двух аргументов, образующие семейства ВАХ. Например, зависимости Iк = f(Uкэ)|Iб = const тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ при фиксированных значениях тока базы Iб представляют выходные ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Определению ВАХ полупроводниковых приборов отвечает базовый метод их измерения – метод вольтметра-амперметра. В соответствии с этим методом к электродам полупроводникового прибора подключаются управляемые источники (генераторы) ЭДС или тока и с помощью измерительных приборов вольтметров и амперметров (миллиамперметров) измеряются напряжения и токи в цепях полупроводникового прибора при различных значениях ЭДС или тока источников. Общие базовые схемы измерения ВАХ методом вольтметра-амперметра для двух- и трёх-электродных полупроводниковых приборов с использованием управляемых генераторов ЭДС приведены на рис. 1, а, б.

 

а б

Рис. 1. Общие схемы измерения ВАХ методом вольтметра-амперметра для двух- (а) и трёх-электродных (б) объектов исследования

Кроме управляемых генераторов ЭДС Е1 и Е2 они содержат миллиамперметры mA и вольтметры V, измеряющие ток I1 и напряжение U1 двухэлектродного прибора и входные (I1, U1) и выходные (I2, U2) токи и напряжения трех-электродного прибора. Общим схемам измерения, представленным на рис. 1, а, б, соответствуют приведенные на рис. 2, а, б, в базовые схемы измерения ВАХ полупроводникового диода, биполярного и полевого транзисторов.

ВАХ диода получается путем изменения ЭДС источника Е и измерения тока диода Iд и напряжения на диоде Uд [1].

Рис. 2. Базовые схемы измерения ВАХ методом вольтметра-амперметра для диода (а), биполярного транзистора (б) и полевого транзистора (в)

В отличие от общей схемы измерения ВАХ трех-электродных полупроводниковых приборов, представленных на рис. 1, б, во входной цепи биполярного транзистора n–p–n-типа (рис. 2, б), включенного по схеме с общим эмиттером, использован управляемый генератор тока I1. Токами и напряжениями входной (I1, U1) и выходной (I2, U2) цепей транзистора являются в данной схеме ток базы Iб, напряжение база-эмиттер Uбэ, ток коллектора Iк и напряжение коллектор-эмиттер Uкэ. Путем изменения ЭДС источника Е2 и измерения напряжения Uкэ и тока Iк при фиксированных значениях тока базы Iб, задаваемых генератором тока Iг1, получают выходные ВАХ биполярного транзистора Iк = f(Uкэ)|Iб = const. Изменяя ток генератора Iг1 и измеряя ток базы Iб и напряжение Uбэ при фиксированных напряжениях Uкэ, задаваемых генератором Е2, получают семейство входных ВАХ биполярного транзистора Iб = f(Uбэ)|Uкэ = const.

В схеме измерения ВАХ полевого транзистора (рис. 2, в) с управляющим р–n-переходом и р-каналом, включенного по схеме с общим истоком, измеряются входное напряжение затвор-исток Uзи (U1), выходной ток стока Iс(I2) и выходное напряжение сток-исток Uси (U2). Схема не предусматривает измерения входного тока затвора Iз ввиду его малости. Для полевого транзистора измеряются семейство выходных характеристик Iс = f(Uси)|Uзи = const путем изменения ЭДС источника Е2 при фиксированных значениях напряжения затвор-исток Uзи = Е1 и семейство передаточных (или проходных) ВАХ Iс = f(Uзи)|Uси = const, получаемое путем изменения ЭДС источника Е1 при фиксированных напряжениях сток-исток Uси. Сопротивление Rз на схеме, представленной на рис. 2, в, используется в качестве сопротивления утечки.

Схемы измерения для биполярных транзисторов p–n–p-типа и полевых транзисторов других типов (с n-каналом, с изолированным затвором) отличаются от рассмотренных только полярностями прикладываемых к их электродам напряжений управляемых источников. ВАХ для других схем включения биполярных и полевых транзисторов (например, с общей базой или c общим затвором) могут быть получены путем пересчета измеренных ВАХ для схем включения с общим эмиттером, общим истоком. Для биполярного транзистора пересчетные соотношения имеют вид Iэ = Iб + Iк; Uкб = Uкэ – Uбэ [1].

1.2 НЧ-параметры полупроводниковых приборов.

Методом вольтметра-амперметра измеряются не только ВАХ, но и определяемые ими низкочастотные параметры полупроводниковых приборов – статические и динамические. Они могут быть найдены для любой рабочей точки ВАХ, заданной значениями соответствующих ей токов и напряжений. К статическим параметрам относятся параметры, определяемые отношением постоянных напряжений и токов полупроводникового прибора в заданной рабочей точке ВАХ. Они находятся по измеренным значениям его входных и выходных постоянных напряжений и токов: U1/I1 – входное статическое сопротивление транзистора или статическое сопротивление диода Ri д=Uд/Iд; U2/I2 – выходное статическое сопротивление транзистора; I2/I1 – статический коэффициент передачи по току транзистора.

Динамические (или дифференциальные) параметры, называемые также малосигнальными параметрами полупроводникового прибора, соответствуют значениям производной его ВАХ в заданной рабочей точке. Для диода таким параметром является дифференциальное сопротивление ri д = dUд/dIд|Iд = Iд0, где Iд0 – значение тока диода в рабочей точке. Практически дифференциальное сопротивление находится по конечным измеряемым приращениям напряжения и тока относительно их значений в рабочей точке: ri д = ∆Uд/∆Iд|Iд = Iд0. Выполнив такие измерения и расчёты в различных точках ВАХ, можно построить зависимости статического и динамического сопротивлений диода от тока диода Iд. По измеренным значениям токов и напряжений биполярного транзистора и их конечным приращениям могут быть вычислены значения низкочастотных параметров линейной физической модели транзистора или низкочастотных характеристических параметров эквивалентного ему линейного активного четырёхполюсника в заданной рабочей точке (Uбэ0, Iб0, Iк0, Uкэ0), например, значения низкочастотных h-параметров:

h11 =∆Uбэ/∆Iб |Uкэ = const; h21 =∆Iк/∆Iб |Uкэ = const;

h12 =∆Uбэ/∆Uкэ|Iб = const; h22 =∆Iк/∆Uкэ|Iб = const.

По измеренным значениям токов и напряжений полевого транзистора (или по измеренным ВАХ) могут быть вычислены его низкочастотные y-параметры – крутизна и выходная проводимость: y21 = S21 =∆Ic/∆Uзи |Uси = const; y22 = ∆Ic/∆Ucи | Uзи = const [1].

1.3 Измерение ВАХ на основе измерения напряжений

Использование метода вольтметра-амперметра для измерения ВАХ связано с измерением тока в электрической цепи, представляющим определенные трудности. При электронных измерениях оно осуществляется, как правило, косвенным методом путем измерения падения напряжения Urt на образцовом (токоизмерительном) резисторе Rт, являющимся датчиком измеряемого тока: . Часто этот резистор одновременно выполняет и токоограничивающие функции. Поэтому в практических схемах измерение ВАХ и параметров полупроводниковых приборов сводится к измерению напряжений. На рис. 3 приведена схема измерения ВАХ полупроводникового диода с применением резистивного датчика тока. Измерение напряжения на образцовом резисторе выполняется с помощью вольтметра V1. Его показания могут быть непосредственно отградуированы в единицах измеряемого тока, который определяется как , где α – масштабный размерный множитель.

Рис. 3. Схема измерения ВАХ полупроводникового диода с токоизмерительным резистором.

Если источник E1 выдаёт калиброванные (точно известные) значения ЭДС, то вольтметр V1 не нужен. Значение тока в цепи при этом определяется как Iд = (E1 – Uд)/Rт, где Uд – напряжение на диоде, измеряемое вольтметром V2. В противном случае напряжение источника E1 можно измерять параллельно подключенным к нему вольтметром V1. Соответствующая этому схема измерения для полупроводникового стабилитрона приведена на рис. 4. К стабилитрону подключено нагрузочное сопротивление Rн, задающее ток нагрузки Iн. Значения тока нагрузки Iн и стабилитрона Iст находятся по измеренным с помощью вольтметров V1, V2 ЭДС E1 и напряжения на стабилитроне Uст: Iн = Uст/Rн; Iст = (E1–Uст)/Rт – Iн. Резистор Rт совмещает функции токоизмерительного и балластного сопротивлений.

Рис. 4. Схема измерения ВАХ стабилитрона на основе измерения напряжений

На рис.5 приведена схема измерения ВАХ для биполярного транзистора n–p–n-типа с токоизмерительными резисторами Rб, Rк в цепях базы и коллектора транзистора.

Рис. 5. Схема измерения ВАХ для биполярного транзистора на основе измерения напряжений.

Управляющие напряжения в цепях базы и коллектора задаются генераторами ЭДС Eб и Eк. Использование генератора ЭДС Eб в цепи базы обосновано в ряде случаев более простой его реализацией по сравнению с генератором тока базы в схеме рис. 2, б. Вольтметрами V1, V4 измеряются напряжения управляемых генераторов Eб, Eк, вольтметрами V2, V3 напряжения Uбэ, Uкэ, а значения токов Iб и Iк вычисляются как Iб = (Eб – Uбэ)/Rб; Iк = (Eк – Uкэ)/Rк.

В базовой практической схеме измерения ВАХ для полевого транзистора с управляющим р–n-переходом и n-каналом (рис. 6) измерение тока стока Iс осуществляется с помощью измерительного резистора Rс по измеряемым с помощью вольтметров V2, V3 значениям напряжения сток-исток Uси и ЭДС управляемого генератора Eс: Iс = (Eс – Uси)/Rс.

Рис. 6. Схема измерения ВАХ для полевых транзисторов на основе измерения напряжений.

Вольтметром V1 в этой схеме измеряется напряжение затвор-исток Uзи, задаваемое генератором ЭДС Eз.

Значения токоизмерительных резисторов Rт при известных пределах изменения ЭДС управляемых источников выбираются исходя из диапазонов задаваемых и измеряемых токов и напряжений полупроводникового прибора и необходимого разрешения по току. Разрешение по току ∆iр определяется разрешением по напряжению ∆uр вольтметра, измеряющего падение напряжения на токоизмерительном резисторе Rт: ∆iр = ∆uр/Rт. Например, для полупроводникового диода (рис. 3), приняв E1 max= 10 В, Uд = 0,5 В (прямое падение напряжения на диоде), найдем сопротивление Rт, при котором измеряемый ток диода ограничивается значением Iизм max= 30 мА: Rт = (E1 max–Uд)/Iизм max ≈ 300 Ом. Если используемый для измерения падения напряжения URт вольтметр обеспечивает разрешение по напряжению ∆uр = 3 мВ, то разрешение по току составит ∆iр = ∆uр/Rт = 3/300 = 10 мкА. Такое разрешение более чем достаточно при измерении прямой ветви ВАХ. Для измерения малых токов и токов обратной ветви ВАХ необходимо использовать токоизмерительный резистор с большим сопротивлением Rт. 2.

Так, при сопротивлении Rт = 100 кОм получается разрешение по току ∆iр = (3/100000) = 0,03 мкА в диапазоне измеряемых токов диода до Iизм max = (E1 max– Uд)/Rт ≈ 0,1 мА. Для схемы измерения ВАХ стабилитрона (рис. 4) токоизмерительное сопротивление Rт рассчитывается как балластное сопротивление Rб параметрического стабилизатора напряжения. При этом обеспечиваются, как правило, и необходимое разрешение по току и диапазон измеряемых токов. При расчете токоизмерительных резисторов в выходной цепи биполярного и полевого транзисторов (Rк, Rс на рис. 5, рис. 6) нужно также обеспечить необходимый диапазон измерения ВАХ по напряжению коллектора (стока). Он ограничивается сверху максимальным напряжением на коллекторе (стоке) Uк(с)max, которое может быть задано при максимальном измеряемом токе коллектора (стока) Iк(с)max и максимальной (по модулю) ЭДС источника Eк(с)max: Uк(с)max = Eк(с)max – Iк(с)max Rк(с). Желательно, чтобы это напряжение было близко к Eк(с)max, например, Uк(с)max ≥ 0,95Eк(с)max. Отвечающее этому условию сопротивление Rк(с) находится как Rк(с) ≤ (Eк(с)max – Uк(с)m)/Iк(с)max = 0,05Eк(с)max /Iк(с)max. Например, при Eк(с)max = 10 В, Iк(с)max = 30 мА получается Rк(с) ≤ 16,7 Ом. Если принять Rк(с) = 10 Ом, то Uк(с)max = 0,97 Eк(с)max. Однако на таком малом сопротивлении при максимальном токе коллектора (стока) получается малое измеряемое падение напряжения ∆URк(с)max = Iк(с)maxRк(с) = 0,3 В и, соответственно, неудовлетворительное разрешение по току: ∆iр = ∆uр/Rк(с) = (3/0,01) = 0,3 мА. Его можно улучшить путем измерения падения напряжения на резисторе Rк(с) с помощью вольтметра с дифференциальным входным усилителем, усиливающим напряжение ∆URк(с)max практически до напряжения Eк(с)max. Это соответствует коэффициенту усиления измерительного усилителя Кu = Eк(с)max/∆URк(с)max = 33. Разрешение по току коллектора (стока) с учетом усиления составит ∆iр = ∆uр/(Rк(с)· Кu) ≈ 10 мкА, что является вполне достаточным. Для измерения выходных токов Iк(с) ≤ 1 мА можно использовать токоизмерительное сопротивление Rк(с) = 300 Ом без измерительного усилителя (или при коэффициенте усиления усилителя Кu, равном единице). При таком сопротивлении также получаем Uк(с)max = 0,97 Eк(с)max и ∆iр = 10 мкА. Токоизмерительное сопротивление Rк(с) = 300 Ом является сопротивлением нагрузки биполярного и полевого транзисторов при исследовании их работы на переменном токе.

1.4 Статические, динамические и квазистатические измерения ВАХ.

Изменение ЭДС или тока управляемых генераторов и считывание измеренных значений токов и напряжений при измерении ВАХ могут осуществляться ручным способом или автоматически. Измерения ВАХ разделяются на статические, динамические и квазистатические в зависимости от скорости и характера изменения задаваемых ЭДС или тока (непрерывного или ступенчато-непрерывного) и инерционности (времени измерения) измерительных средств. При статических измерениях значение измеряемой величины в течение времени измерения измерительного средства является неизменным. Статическими являются ручные измерения, а также автоматические измерения при очень низкой скорости непрерывного изменения задаваемых значений ЭДС (тока) или при большой длительности ступенек в случае их ступенчато-непрерывного изменения. Статические измерения обеспечивают высокую точность из-за отсутствия составляющей погрешности, обусловленной изменением измеряемой величины во время измерения (динамической погрешности), но требуют достаточно большого времени на измерение ВАХ. Однако при выборе способа измерения необходимо учитывать особенность полупроводникового прибора как объекта измерения. Она заключается в том, что даже при неизменных значениях приложенных к нему ЭДС или тока его измеряемые токи и напряжения изменяются во времени за счет изменения температуры кристалла, зависящей от рассеиваемой кристаллом мощности и времени приложения заданного воздействия. При большом времени измерения, свойственном статическим измерениям, изменение температуры кристалла является значительным и приводит к большим искажениям измеренной ВАХ. Уменьшение температурной составляющей погрешности измерения достигается при динамическом измерении ВАХ путем увеличения скорости непрерывного периодического изменения (свипирования) ЭДС (тока) управляемых генераторов и повышения быстродействия измерительных средств, т. е. уменьшения их времени измерения или инерционности. При этом за счет тепловой инерционности полупроводникового прибора температура кристалла не успевает существенно измениться за время одного измерения, а после нескольких периодов изменения задаваемых воздействий (после прогрева полупроводникового прибора) в кристалле устанавливается некоторая средняя практически постоянная температура. Уменьшение погрешности измерения, связанной с необходимым при динамических измерениях малым временем измерения токов и напряжений полупроводникового прибора, обеспечивается усреднением результатов многократных измерений по заданному числу периодов изменения ЭДС или токов управляемых генераторов.

Преимущества динамического режима измерения практически сохраняются и при квазистатическом измерении ВАХ. В этом режиме используется ступенчато-непрерывное изменение задаваемых значений ЭДС или тока с минимальной длительностью ступеньки, определяемой временем измерения измерительного средства и задержкой измерения на время установления переходных процессов в схеме измерения. Возможно также измерение ВАХ в импульсном квазистатическом режиме, когда в паузах между измерениями значения ЭДС или тока управляемых генераторов принимают нулевые значения, как и измеряемые значения тока и напряжения. Такой режим измерения используется для измерения ВАХ и параметров мощных полупроводниковых приборов.

1.5 Средства измерения ВАХ и параметров полупроводниковых приборов.

Основными средствами измерения ВАХ и параметров полупроводниковых приборов являются:

· набор стандартных измерительных приборов для ручного измерения ВАХ и параметров полупроводниковых приборов;

· специализированные измерительные приборы для измерения параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем;

· специализированные приборы – характериографы для автоматического измерения ВАХ;

· автоматические измерители ВАХ и параметров полупроводниковых приборов на базе персональных компьютеров (ПК).

1.5.1 Ручные измерения.

Метод вольтметра-амперметра непосредственно реализуется при ручных измерениях ВАХ с помощью стандартных измерительных приборов – управляемых источников питания и измерителей напряжения и тока различного типа: электромеханических, электротепловых или электронных (аналоговых и цифровых), а также многофункциональных измерителей тока и напряжения – мультиметров.

1.5.2 Специализированные измерительные приборы.

Специализированные промышленные измерительные средства обеспечивают измерение как низкочастотных параметров полупроводниковых приборов, определяемых их вольт-амперной характеристикой, так и большого числа других – высокочастотных, температурных и т. д. параметров. Примерами их являются микропроцессорные измерители параметров диодов и биполярных транзисторов типа Л2-76, Л2-77 и микропроцессорные измерители параметров полевых транзисторов типа Л2-78, Л2-80.

1.5.3 Характериографы.

Автоматическое измерение ВАХ с отображением их на экране дисплея – электронно-лучевой трубки или монитора ПК – обеспечивают специализированные измерительные приборы – характериографы. Измерители ВАХ на основе электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) выпускаются как самостоятельные измерительные приборы или в виде приставки к электронно-лучевым осциллографам – аналоговым и цифровым. Осциллографические средства вследствие высокого их быстродействия обеспечивают практически безынерционное измерение токов и напряжений. Ими наиболее полно реализуются преимущества динамического режима измерения ВАХ с непрерывным автоматическим изменением ЭДС или тока управляемого генератора, называемого в данном случае генератором развертки. Структурная схема измерителя ВАХ на основе ЭЛТ (рис.7) содержит генератор развертки, генератор ступенчатой функции, устройство их синхронизации, контролируемый (исследуемый) объект и дисплей на ЭЛТ.

Рис. 7. Структурная схема измерителя ВАХ на основе ЭЛТ.

Генератор развертки используется при измерении ВАХ как двухэлектродных, так и трех электродных полупроводниковых приборов, генератор же ступенчатой функции – только при измерении ВАХ трех-электродных приборов, при этом один из генераторов подключается ко входной цепи полупроводникового прибора, а другой – к выходной в зависимости от вида прибора и измеряемой ВАХ. Напряжение или ток генератора ступенчатой функции изменяются дискретно с заданным шагом через каждый цикл генератора развертки. Напряжение между электродами полупроводникового прибора, являющееся аргументом измеряемой ВАХ, прикладывается к горизонтальным отклоняющим пластинам ЭЛТ или ко входу внешней развертки осциллографа (входу Х), а напряжение между другими электродами или ток электрода, также преобразуемый с помощью датчика тока в пропорциональное напряжение, прикладываются к вертикальным отклоняющим пластинам ЭЛТ или ко входу Y осциллографа. В результате на экране ЭЛТ динамически воспроизводится семейство измеряемых ВАХ, соответствующих дискретным значениям тока электрода или напряжения между электродами, задаваемым генератором ступенчатой функции.

При использовании цифрового осциллографа снимаемые с электродов полупроводникового прибора непрерывные сигналы напряжения и тока дикретизируются во времени с частотой дискретизации fда аналого-цифрового преобразователя и оцифровываются. В результате получаются пары отсчетов напряжений или пары отсчетов напряжения и тока или пары отсчетов токов электродов, определяющие координаты дискретных точек измеряемой ВАХ, которые динамически выводятся на экран цифрового осциллографа. Такой измеритель обеспечивает высокую скорость измерения ВАХ, но ему присуща динамическая погрешность измерения напряжений и токов вследствие их непрерывного изменения. Эта погрешность дополнительно возрастает при использовании одного АЦП для поочередного измерения двух напряжений или токов за счет обусловленной этим неодновременности их измерения.

1.5.4 Измерители на базе ПК.

К современным средствам автоматизированного измерения ВАХ и параметров полупроводниковых приборов относятся измерители ВАХ на базе ПК, реализуемые на основе компьютерных измерительных технологий.

Аппаратное обеспечение таких измерителей включает ПК и УСД и соответствует общей структуре компьютерных измерительных систем, исследуемым объектом в которой является полупроводниковый прибор. Устройство сбора данных содержит каналы аналогового и цифрового ввода-вывода, через которые осуществляется взаимодействие ПК с исследуемым полупроводниковым прибором. По каналам аналогового вывода на полупроводниковый прибор передаются необходимые тестовые воздействия, аналогичные формируемым генераторами развертки и ступенчатой функции в измерителе ВАХ на основе ЭЛТ (рис. 7). Через каналы аналогового ввода поступают в ПК преобразованные в цифровые коды отсчеты напряжений и токов исследуемого полупроводникового прибора. Каналы цифрового ввода-вывода используются для управления измерительным комплексом.

Измерение ВАХ в компьютерных измерителях выполняется, как правило, квазистатическим способом. При этом с соответствующего канала вывода УСД выводится периодическое с периодом Тп ступенчато изменяющееся напряжение (ЭДС) с заданными пределами изменения Енач, Екон и заданными значениями амплитуды ∆Е и длительности ступенек ∆Т (рис. 8).

На интервале каждой ступеньки ∆Т АЦП с некоторой задержкой по времени Тз на установление переходных процессов в схеме измерения оцифровывает постоянные на интервале Тизм значения токов и напряжений исследуемого полупроводникового прибора, по которым на экране монитора и воспроизводится его ВАХ.

Рис. 8. Изменение ЭДС генератора развертки при измерении ВАХ квазистатическим способом

Рис. 9. Схема подключения исследуемого биполярного транзистора

Схема подключения исследуемого биполярного транзистора приведена на рисунке 9. Схема использует два канала вывода УСД AO1, AO2, являющиеся источниками ЭДС цепи стока Ес и цепи затвора Ез, три канала ввода AI1–AI3 и линии цифрового вывода DIO, управляющие через дешифратор ДШ ключами К1, К2, подключающими транзистор к источникам ЭДС стока и затвора Ес, Ез(ключи выбора объектного модуля лабораторного макета). [1]

Глава 2

Примеры реализаций.

2.1 Измеритель Л2-77 [2] - измеритель параметров маломощных транзисторов и диодов

Измеритель Л2-77 предназначен для проверки основных параметров маломощных биполярных транзисторов, диодов и стабилитронов широкой номенклатуры. Обладает автоматическим выбором диапазонов измерения.

Прибор Л2-77 применяется в условиях лабораторий, цехов и ремонтных органов. Имеет широкие пределы измерения параметров, высокую точность измерения, близкую к точности измерения специальной аппаратуры, цифровой отсчет, автоматический выбор диапазонов измерения.Основные технические характеристики прибора Л2-77:

Пределы измерения:

- обратных токов диодов и коллекторов транзисторов: 10 -8 - 10-3 А,

- коэффициента передачи тока транзисторов: 5-2000,

- прямого напряжения диодов: 0,1-5 В,

- напряжения стабилизации стабилитрона: 3-150 В.

Погрешность измерения параметров: ±5 %.

Режимы измерения параметров:

- транзисторов: Iэ =10 мА, Uк =10 В,

- диодов: I пр =5-300 мА, U обр =10-400 В.

Потребляемая мощность: 25 В*А.

 

2.2 Измеритель Л2-78 [3]- измеритель параметров полевых маломощных транзисторов.

Проверка маломощных полевых транзисторов. Измеритель параметров Л2-78 предназначен для проверки основных статических параметров маломощных полевых транзисторов с целью определения их исправности и пригодности для использования в различной аппаратуре. Измеритель Л2-78 применяется в условиях лабораторий, цехов и ремонтных органов. Обеспечивает широкий диапазон измерения параметров, высокую точность измерения, близкую к точности измерения параметров полупроводниковых приборов специальной аппаратурой, простоту и удобство эксплуатации. Основные технические характеристики прибора Л2-78:

Пределы измерения:

- крутизны характеристики: 0,1-100 мСм.

- порогового напряжения (напряжения отсечки): 0,1-30 В,

- тока стока: 0,1-100 мА,

- тока утечки затвора: 0,3*10-12 - 10-3 А,

- тока утечки стока: 3*10 -10 - 10-3 А.

Погрешность измерения крутизны характеристики: ±8%.

Пределы установки:

- напряжения: 0,1-30 В,

- тока: 5*10-6 - 5*10-2 А.

Потребляемая мощность: 80 В*А.

 

2.3 Измеритель Л2-80 [4]- измеритель параметров полевых транзисторов.

Измеритель Л2-80 предназначен для проверки статических параметров полевых транзисторов. Применяется прибор Л2-80 при входном и выходном контроле в условиях цехов при лабораторных исследованиях. Основные технические характеристики прибора Л2-80:

Пределы измерения:

- порогового напряжения (напряжения отсечки): 0,1-30 В,

- тока утечки затвора: 0,3*10 -12 - 10-5 А,

- тока стока и остаточного тока стока: 0,3*10-9 - 10 -1 А,

- импульсного тока стока: 0,1-30 А,

- крутизны характеристики: 0,1-3000 мСм,

- сопротивления сток - исток открытого транзистора: 0,3-1000 Ом.

Потребляемая мощность: 250 В*А.

Цены на приборы этого семейства колеблются от 4000 до 26000 рублей [11].

2.4 National Instruments [5].

К современным средствам измерения характеристик и параметров полупроводниковых приборов относятся системы сопряженные с ПК. Создание измерительных систем на базе ПК (измерительных приборов, измерительных комплексов, автоматизированных систем сбора и обработки данных) связано с решением широкого круга задач, включающих разработку:

• конфигурации (архитектуры) системы;

• аппаратного обеспечения – устройства сбора данных и его программного обеспечения (драйверов);

• алгоритмов измерения, соответствующих реализуемым измерительным функциям, и их отладку (моделирование);

• измерительного программного обеспечения;

• виртуальных лицевых панелей управления и отображения;

• сопряжения аппаратного и программного обеспечения;

• сетевого программного обеспечения при создании систем с удаленным доступом.

С учетом сложности и трудоемкости этих задач корпорацией NI (США) были разработаны технологии их комплексного и эффективного решения, получившие название компьютерных измерительных технологий NI. Технологии NI охватывают вопросы разработки аппаратного, алгоритмического и программного обеспечения измерительных систем на базе ПК, а также автоматизации их проектирования [http://www.ni.com/].

Технологией NI унифицированы и стандартизированы архитектуры измерительных систем на базе ПК. Это системы, использующие модульные УСД, одноплатные УСД, одноплатные модульные приборы и автономные PXI-системы [5].

Рис. 10. Внешний вид некоторых устройств и модулей NI: а – шасси PXI; б – модули PXI; в – платы сбора данных серии «М»

Принципиальным отличием и преимуществом технологии NI является наличие созданной корпорацией среды графического программирования виртуальных инструментов LabVIEW, обеспечивающей автоматизацию проектирования измерительных систем на базе ПК. Система LabVIEW отвечает принципу «программирование без программирования» и доступна для освоения и самостоятельного применения разработчиками измерительных систем. Программирование в LabVIEW осуществляется на уровне блок-диаграмм и виртуальных лицевых панелей приборов.

2.5 Система АЛП УД на базе АПК «Электроника».

В состав системы АЛП УД «Электроника» входят:

• АПК УД «Электроника»;

• комплекс математических моделей;

• интерактивное электронное техническое руководство;

• методическое обеспечение;

• электронная тестовая система с банком тестовых заданий.

Общий вид разработанного региональным инновационным центром «Центр технологий National Instruments» при ФГОУ ВПО «Сибирский федеральный университет» [http://sfu-kras.ru/studies/sdo/ni] АПК УД «Электроника» приведен на рис. 11.

Рис. 11. Общий вид конструкции лабораторного макета АПК УД «Электроника».

В АПК УД «Электроника» в качестве лабораторного макета выступает набор объектных модулей (ОМ): «Диод», «Стабилитрон», «Биполярный транзистор», «Полевой транзистор». При этом для расширения исследовательских возможностей ОМ в их состав включены: два комплекта по четыре однотипных кремневых и германиевых диода (в ОМ «Диод»); две группы по четыре однотипных стабилитрона (в ОМ «Стабилитрон»); четыре однотипных транзистора n–p–n-типа и четыре однотипных транзистора p–n–p-типа (в ОМ «Биполярный транзистор»); четыре однотипных полевых транзистора с изолированным затвором и каналом n-типа и четыре однотипных транзистора с p–n-переходом и каналом p-типа (в ОМ «Полевой транзистор»).

При исследовании биполярного транзистора измеряются семейства статических входных и выходных ВАХ и динамические входная и выходная ВАХ в схемах с общим эмиттером и общей базой, статические ВАХ группы однотипных биполярных транзисторов для оценки их технологического разброса. Исследование работы биполярного транзистора осуществляется в схеме усилительного каскада с общим эмиттером при гармоническом входном воздействии различной частоты и амплитуды и различных положениях исходной рабочей точки, задаваемых пользователем на измеренных динамических ВАХ биполярного транзистора. На динамических ВАХ отображаются и мгновенные значения его токов и напряжений, обусловленные входным сигналом. Их зависимости от времени выводятся на экран четырехканального запоминающего осциллографа. При исследовании биполярного транзистора на переменном токе предусмотрен режим анимации с виртуально изменяемой нагрузкой по постоянному и переменному токам [5].

2.6 Измеритель параметров полупроводниковых приборов ИППП-1 [6].

Данный прибор имеет следующие преимущества:

● Измерение параметров полупроводниковых приборов (ППП) и контроль тест-структур) на пластинах в процессе их производства, анализ брака.

● Синхронизация измерений с другими, используемыми в испытаниях,измерительными устройствами.

● Ограничение тока и напряжения на измеряемом объекте по установленному порогу.

● Курсорные измерения.

● Представление ВАХ в виде графиков и таблиц на экране персонального компъютера (ПК).

● Вычисление расчётных параметров ППП и их функциональных зависимостей по результатам измерений.

● Документирование и передача результатов измерений параметров ППП в электронном виде по локальной сети предприятия.

● Формирование отчёта о полученных результатах.

● Создание баз данных стандартных тестов по изделиям.

● Работа с анализатором не требует специальных знаний в области программирования.

Рис. 12. Измеритель параметров полупроводниковых приборов ИППП-1

Измеритель параметров полупроводниковых приборов ИППП-1 предназначен для контроля и исследований вольтамперных характеристик (ВАХ) электронных компонентов, путём их визуального наблюдения на экране ПК в виде графиков или таблиц, расчёта на их основе стандартных параметров исследуемого объекта и отображения функциональных зависимостей этих параметров, запоминания и документирования результатов измерений.

Измеритель ИППП-1 позволяет осуществлять межоперационный контроль тестовых структур на пластинах в условиях производства и проводить детальное изучение интересующих оператора участков ВАХ (до 1000 измеряемых точек на участок) при анализе брака или разработке новых изделий или технологий.

Измеритель ИППП-1 содержит 4 измерительных канала, каждый из которых выполняет функции источника тока или напряжения и измерителя напряжения или тока, соответственно, и управляющего пакета программного обеспечения, функционирующего в среде Windows 98 на базе внешнего персонального компьютера, классом не ниже Pentium 3 [6].

 

Глава 3.

Выводы.

Для специалистов в различных областях электроники не является секретом, что основные параметры большинства полупроводниковых приборов (ПП) варьируются в достаточно широких пределах от экземпляра к экземпляру даже в рамках одного и того же типономинала и при близких условиях испытаний, не говоря уже об изменении характеристик каждого экземпляра в реальных условиях эксплуатации. Такая нестабильность ПП в процессе их производства и эксплуатации не позволяет без принятия специальных мер обеспечить высокую повторяемость параметров электронных устройств, в составе которых используются полупроводниковые изделия. На практике при разработке электронных схем проблему зависимости параметров изделия в целом от параметров используемых в нем ПП удается решить путем ввода некоторой избыточности по количеству активных и пассивных элементов для организации различного рода обратных связей. Тем не менее, существуют области, в которых просто невозможно обойтись без специализированных устройств для измерения параметров ПП и получения их вольт-амперных характеристик (ВАХ). Прежде всего, они крайне необходимы в научных и учебных лабораториях, работающих в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов при разработке новых изделий, где важно уже на начальном этапе строго контролировать параметры разрабатываемых устройств и исследовать влияние на них различных внешних факторов, например, климатических. Работа отбраковочных участков на производстве ПП также немыслима без приборного контроля за параметрами компонентов, в том числе, на испытательных стендах (климатических, термоциклических и т. п.). Еще одной областью, где применение приборов для измерения и графического отображения вольт-амперных характеристик ПП весьма эффективно, является проведение практических лабораторных работ в процессе изучения основ полупроводниковой техники. Использование таких приборов позволяет наглядно демонстрировать не только качественные зависимости в соответствии с теорией, но и различные особенности реальных изделий относительно соответствующих теоретических выкладок в этой области, что значительно повышает эффективность обучения. Особенно полезно сопоставление на одном графике зависимостей теоретических, заданных в аналитическом виде, и реально снятых для конкретного изделия.

Существующие отечественные серийно выпускаемые приборы для измерения параметров ПП не вполне подходя