Наноэлектронных схем
На выращенных CVD-методом перпендикулярно подложке углеродных нанотрубках можно создавать ячейки памяти с очень высокой плотностью записи информации (на одной нанотрубке можно записать 1 бит информации, а диаметр однослойных углеродных нанотрубок порядка 1нм). Были сделаны такие ячейки. При этом нанотрубки, которые располагались не перпендикулярно подложке, удалялись с помощью фоторезистивного метода. При деформации нанотрубки она меняет проводимость. Появляются области n- и p-типа. Также, как уже было сказано выше, нанотрубки, в зависимости от их структуры, обладают полупроводниковым и металлическим типом проводимости. Был создан транзистор на основе нанотрубки, обладающей проводимостью n- и p-типа. Расплавленный свинец входит в нанотрубку как в капилляр. Такой нанокомпозит является проводником. Нанотрубки можно разрезать и сшивать с помощью лазера, создавая проводящую разводку для наноэлектронных схем (рис.2).
а)
б) Рис.2 Нанотрубка между двумя контактами: а)SЕМ-изображение; б) Модельное представление.
|
