ВВЕДЕНИЕ. Сканирующая зондовая микроскопия 4
Введение………………………………………………………………….…………….2 Сканирующая зондовая микроскопия……………………………………………4 Сканирующий туннельный микроскоп…………………………………………..6 Атомно-силовой микроскоп………………………………………………………...8 Сканирующая оптическая микроскопия ближнего поля……………………..12 ВВЕДЕНИЕ Сканирующий Зондовый Микроскоп (СЗМ) - это прибор, дающий возможность исследования свойств поверхностей материалов от микронного до атомарного уровня.
В зависимости от природы взаимодействия “зонд-образец” различают следующие основные виды микроскопов:
· сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) – детектируется туннельный ток, · сканирующий силовой микроскоп (ССМ) – детектируется силовое взаимодействие, · сканирующий оптический микроскоп ближнего поля (СОМБП) – детектируется электромагнитное излучение. · Сканирующая силовая микроскопия, в свою очередь, подразделяется на атомно-силовую микроскопию (АСМ), магнитно-силовую микроскопию (МСМ) и другие – в зависимости от вида силового взаимодействия.
Двумя важнейшими методами сканирующей зондовой микроскопии являются сканирующая туннельная микроскопия и атомно-силовая микроскопия. Именно с этими методами связывается основной прогресс в развитии техники наноструктурных исследования. Сканирующий зондовый микроскоп (СЗМ) состоит из следующих основных компонентов: · зонд; · пьезоэлектрические двигатели для прецизионного перемещения зонда над поверхностью исследуемого образца; · генератор развертки, подающий напряжения на пьезоэлектрические двигатели, обеспечивающие сканирование зонда в горизонтальной плоскости (в направлениях x и y); · электронный сенсор, детектирующий величину локального взаимодействия между зондом и образцом; · компаратор, сравнивающий текущий сигнал в цепи сенсора V(t) с изначально заданным VS и, при его отклонении, вырабатывающий корректирующий сигнал Vfb; · электронная цепь обратной связи, управляющая положением зонда по вертикальной оси z; · компьютер, управляющий процессом сканирования и получением изображения z(x,y).
В основе СЗМ-техники лежит детектирование локального взаимодействия, возникающего между зондом и поверхностью исследуемого образца при их взаимном сближении до расстояния ~ λ, где λ – характерная длина затухания взаимодействия “зонд-образец”.
|