При вычислении берется значение Lmin, ближайшее к Lкз (со стороны генератора или нагрузки).
lb – длина волны в волноводе на данной частоте. Так как сдвиг минимума при подключении короткозамыкателя произошел в направлении к генератору, поворачиваем подвижную шкалу диаграммы на величину нормированного сдвига в направлении «К ГЕНЕРАТОРУ» и определяем комплексное нормированное сопротивление нагрузки в точке с рассчитанной величиной КСВ. На окружности «ФАЗОВЫЙ УГОЛ КОЭФФИЦИЕНТА ОТРАЖЕНИЯ» определяем фазу комплексного коэффициента отражения. Учитывая, что четвертьволновый отрезок линии обладает свойством трансформации сопротивления нагрузки в проводимость этой же нагрузки поворачиваем подвижную шкалу на 180 градусов и находим величину нормированной проводимости нагрузки . Нагрузка представляет собой параллельное соединение индуктивной проводимости диафрагмы и активной проводимости согласованной нагрузки, следовательно, полученное значение В соответствует искомой нормированной проводимости индуктивной диафрагмы. 2. Экспериментально определить величину нормированной проводимости заданной емкостной диафрагмы. Последовательность определения проводимости емкостной диафрагмы такая же как и в случае индуктивной диафрагмы. Однако смещение минимума поля при замене емкостной нагрузки на короткозамыкатель происходит в направлении к нагрузке, следовательно при определении Lкз зонд надо перемещать от Lmin к нагрузке и при определении нагрузки по круговой диаграмме подвижную шкалу перемещать в направлении «К НАГРУЗКЕ». 3. Экспериментальные и расчетные данные свести в табл.2. Таблица 2
4. Сравнить теоретические и экспериментальные величины нормированных проводимостей диафрагмы и комплексных коэффициентов отражения нагрузок. Сделать выводы по проделанной работе.
5 КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Неоднородности в волноводных трактах (диафрагмы, штыри, стыки волноводов) используются в качестве конструктивных элементов сложных СВЧ устройств – резонаторов, фильтров, согласующих устройств, направленных ответвителей. При расчетах электрических характеристик этих устройств неоднородности представляются в виде эквивалентных схем замещения. Схемы замещения проходных неоднородностей представляют собой простейшие четырехполюсиники. Основная идея описания типичных неоднородностей схемами замещения заключается в том, что элементы схемы и способ их соединения подбирается так, что внешние характеристики четырехполюсника (входное сопротивление, комплексные коэффициенты отражения и передачи) достаточно точно соответствуют этим же характеристикам неоднородности на СВЧ. Очевидно, что сложные СВЧ устройства можно анализировать, представляя их в виде соединения схем замещения простейших базовых элементов. Наиболее распространенными неоднородностями являются тонкие металлические перегородки, частично перекрывающие поперечное сечение волновода (1). В индуктивной диафрагме, рисунок 3а, поперечные токи на широких стенках волновода частично замыкаются через пластины диафрагмы, соединяющие эти стенки. В магнитном поле этих токов запасается дополнительная магнитная энергия, поэтому схема замещения, рисунок 3б, представляет собой индуктивность, включенную параллельно в линию передачи. Нормированную к проводимости волновода индуктивную проводимость диафрагмы определяют по формуле
,
где λb – длина волны в линии. а
b D Рис. 3а Рис. 3б
Емкостная диафрагма, рисунок 4а, уменьшает зазор между широкими стенками волновода. Между кромками диафрагмы концентрируется энергия электрического поля, поэтому схемой замещения, рисунок 4б, является емкость, включенная параллельно в линию передачи с волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению волновода. Нормированная проводимость емкостной диафрагмы определяется по приближенной формуле
b d jBc
a Рис. 4а Рис. 4б
Точное определение параметров схем замещения неоднородностей с учетов толщины диафрагм, диаметров штырей теоретически не всегда возможно, поэтому на практике эти параметры часто определяют экспериментально при помощи измерительной линии и круговой диаграммы полных сопротивлений. Измеряемая неоднородность включается в волноводный тракт между измерительной линией и поглощающей нагрузкой, рисунок 5а.
Рис. 5
Комплексный коэффициент отражения нагрузки равен
,
где: - нормированное комплексное сопротивление нагрузки, ZO – нормированное волновое сопротивление линии, равное 1. Учитывая, что нормированное сопротивление согласованной нагрузки R = 1, легко определить нормированную проводимость комплексной нагрузки и .
В результате появления отраженной от неоднородности волны в линии образуется смешанная волна, распределение напряженности поля вдоль линии которой приведено на рисунке 5б. Коэффициент стоячей волны связан с коэффициентом отражения нагрузки следующим выражением:
При помощи измерительной линии легко определить КСВ и координату минимума поля Lmin. Входное сопротивление линии с комплексной нагрузкой в точке минимума поля всегда является активным Rвх, и на круговой диаграмме полных сопротивлений будет находиться на вертикальной оси против значения измеренного КСВ, рисунок 6а.
Рис. 6
Если вместо комплексной нагрузки подключить короткозамыкатель, рисунок 5в, тогда точки минимумов поля Lкз будут располагаться на расстояниях кратных половине длины волны в линии, рисунок 5г. В этих точках входное сопротивление линии равно сопротивлению нагрузки, поэтому эти точки условно можно считать «точками подключения нагрузки». Следовательно, чтобы найти комплексное сопротивление измеряемой нагрузки, надо повернуть подвижную шкалу диаграммы в сторону смещения Lкз относительно Lmin на величину нормированного сдвига в «точке подключения нагрузки» определить , рисунок 6б, и фазу коэффициента отражения. Нормированную проводимость нагрузки находим, используя трансформирующие свойства четвертьволнового отрезка линии. Поворот шкалы на 180 градусов приводит в точку, отстоящую от нагрузки на четверть длины волны, рисунок 6в. Входное сопротивление чертвертьволнового отрезка равно проводимость нагрузки . Действительная часть проводимости равна проводимости согласованной нагрузки, а мнимая – проводимости измеряемой неоднородности В.
6 СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА
1. Структурная схема измерений с обязательным указанием типов используемых приборов. 2. Результаты предварительного расчета. 3. Результаты экспериментальных исследований. 4. Выводы по проделанной работе.
7 СПИСОК РЕКОМЕНДОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Сазонов Д.М. Антенны и устройства СВЧ: Учеб. для радиотехнич. спец. вузов. – М.: Высш. шк., 1988. – 432 с. 2. Семенов Н.А. Техническая электродинамика: Учеб. для вузов. – М.: Связь, 1973. – 480 с. 3. Чернышов В.П. Круговые диаграммы полных сопротивлений: Метод. указ. к прак. занятиям по курсу АФУ. – НЭИС. Новосибирск, 1974. – 20 с.
8 КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Дать определение индуктивной и емкостной диафрагмы. 2. Дать определение резонансной диафрагмы. 3. Принцип работы с круговой диаграммой полных сопротивлений. 4. Дать определение коэффициента стоячей волны и коэффициента отражения. 5. Представить эквивалентные схемы индуктивной, емкостной и резонансной диафрагм. 6. Какой характер имеет входное сопротивление штыря, погруженного в волновод на глубину ? 7. Как определяется длина волны в волноводных трактах? 8. Назовите другие виды неоднородностей в волноводных трактах. 9. Как определяется КСВ в волноводном тракте?
|