Режимы работы транзистора
Активный режим работы используется при усилении малых сигналов, прямое напряжение подается на эмиттерный переход, а обратное - на коллекторный. В режиме отсечки оба перехода смещаются в обратном направлении. Ток транзистора в этом режиме мал, он практически заперт (транзистор заперт). В режиме насыщения оба перехода смещаются в прямом направлении, через транзистор протекает максимальный ток, он полностью открыт (транзистор открыт).
Полевой транзистор полупроводниковый прибор, ток которого изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным напряжением. Полевые транзисторы (ПТ) в отличие от биполярных (БТ) ряд специфических особенностей: - высокое входное сопротивление; - малое потребление энергии по цепи управления
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом - это полевой транзистор, управление потоком основных носителей в котором происходит с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещенного в обратном направлении.
Эффектом поля называется изменение к онцентрации свободных носителей в приповерхностном слое полупроводника (и, следовательно, его удельного сопротивления) под действием внешнего электрического поля, направленного нормально к поверхности
Режим обеднения Под действием поля, направление которого показано на рис, дырки (основные носители) смещаются от поверхности вглубь полупроводника, так что их концентрация у поверхности уменьшается. Концентрация электронов у поверхности возрастает за счет их дрейфа к поверхности под действием электрического поля. Электроны (неосновные носители) притягиваются к поверхности, но их концентрация здесь остается очень малой. Поэтому у поверхности образуется обедненный слой толщиной Lo6. Режим инверсии При большой напряженности внешнего электрического поля наблюдается режим инверсии. Режим обогащения При изменении направления внешнего электрического поля возникает режим обогащения, так как дырки притягиваются к поверхности и образуют обогащенный слой,где их концентрация выше концентрации акцепторов. Обогащенный слой характеризуется повышенной проводимостью, он также экранирует полупроводник от внешнего поля.
Гетеропереход (г/п) - контакт двух различных по химическому составу полупроводников.
Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) - эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений - метод получения эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения (пиролиза) металлорганических соединений, содержащих необходимые химические элементы. Гетероструктура — выращенная на подложке слоистая структура из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Электрическим переходом называется область контактирования двух материальных сред с различной величиной или типом электрической проводимости
В зависимости от того, какие материальные среды контактируют, выделяют следующие виды электрических переходов (рис. 12.2): 1) Переходы Джеферсона (S-i, S-…) – это переходы, образованные сверхпроводниками и любой другой средой. 2) Поверхностные или краевые переходы – это переходы, образованные вакуумом и любой другой средой (V-i, V-Me, V-….). 3) Биметаллические переходы - это переходы, образованные двумя металлическими средами. Применяются в датчиках температуры (Мe1-Мe2). 4) Тонкокраевые переходы - это переходы, образованные диэлектриком и любой другой средой (D-I, D-p, D-n, D- ….). ПО ТИПУ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ и используемых в переходах материалов Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом). p‑n переход Электронно-дырочный переход (p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.
|
