Диффузионная ёмкость образуется неосновными носителями заряда
Односторонняя проводимость p-n перехода наглядно иллюстрируется его ВАХ, показывающей зависимость тока через p-n переход от величины и полярности приложенного напряжения. Пробой p-n перехода Возникает припревышении обратного напряжения Uобр некоторого допустимого значения Uo6p max
Электрический пробой При движении через p-n переход под действием электрического поля неосновные носители заряда приобретают достаточную энергию для ионизации атомов решетки. Это приводит к дальнейшему нагреву р-n перехода и увеличению обратного тока до значений при которых наступает разрушение перехода. Такой процесс называется тепловым пробоем. Контакт металл-полупроводник получается вакуумным напылением пленки металла на очищенную поверхность полупроводника
Выпрямляющий контакт (переход) - контакт с нелинейной ВАХ, когда прямое сопротивление перехода металл - полупроводник меньше обратного. Омический контакт (переход) – невыпрямляющий контакт, сопротивление в прямом и обратном направлении подчиняется закону Ома Выпрямляющим свойством обладает обедненный слой. Такой переход получил название “ переход Шоттки ”. Полупроводниковый диод - это полупроводниковый прибор с двумя выводами, содержащий один p-n переход. Сплавной диод малой мощности — диод со средним значением выпрямленного тока не более 0,3 а. В середину пластинки кремния (Si) проводимостью n-типа (рис. 6.2.1) вплавлен цилиндрический столбик из алюминия (Аl). Атомы алюминия диффундирует (проникает) в пластинку, вследствие чего проводимость части объема пластинки вблизи столбика становится дырочной (р-типа). Между нею и остальным объемом пластинки образуется р-n переход с хорошей проводимостью от алюминия к кремнию. Сплавной диод средней мощности — диод со средним значением выпрямленного тока от 0,3 до 10 а. Между пластинками кремния n-типа и p-типа прокладывают алюминиевую фольгу и нагревают. Алюминий сплавляется с кремнием и внутри получившейся монолитной пластинки образуется р-n переход (рис. 6.2.2). Эпитаксиальные диоды Эпитаксиальные (планарные, эпитаксиально - планарные диффузионные диоды) изготавливаются методом эпитаксии и локальной диффузии. Эпитаксией называется процесс наращивания монокристаллических слоев на подложку, выполняющую роль несущей конструкции структуры с сохранением ориентации кристаллов подложки.
Локальной диффузией называется создание p-n перехода путем диффузии примесных атомов в эпитаксиальный слой через окно в маске (например, из оксида кремния) Стабилитрон - полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Нормальным режимом работы стабилитрона является работа при обратном напряжении на участке электрического пробоя р-n перехода. В основе работы стабилитрона лежат два механизма: - лавинный пробой Туннельный пробой
Полупроводниковый стабистор - это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области прямого смещения слабо зависит от тока в заданном его диапазоне и который предназначен для стабилизации напряжения. Импульсный полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор, имеющий малую длительность переходных процессо в и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. - с p-n переходом; - с переходом Шоттки. Диод Шоттки — это полупроводниковый прибор,выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод (СВЧ-диод) -это полупроводниковый прибор, предназначенный дляпреобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала. Туннельный диод -это полупроводниковый приборв которомтуннельный эффектприводит к появлению на характеристике при прямом включенииучасткаотрицательной дифференциальной проводимости. Варикап — это полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости емкости перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Варактор - диод с р-n переходом, имеющий существенно нелинейную характеристику суммарной емкости (барьерной и диффузионной), как функции напряжения
Светодиод - излучающий полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию некогерентного светового излучения.
Фотодиод представляет собой полупроводниковый прибор, обратный ток которого зависит от освещенности р-n перехода.
Оптрон (оптоэлектронная пара, или отопара) – полупроводниковый прибор, содержащий излучатель и приемник излучения, связанные оптическим каналом.
|