Студопедия — Диффузия из источника ограниченной мощности
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Диффузия из источника ограниченной мощности






Профиль распределения примеси описывается уравнением Гаусса:

(7.6)

Начальные условия: N(x, 0)=0.

Граничные условия: Q0 - число атомов легирующего вещества, осажденного на единицу площади полупроводника, равно интегралу от N(x, t) по всей глубине полупроводника и N(x, t>>0)=0.

При x=0 концентрация легирующей примеси на поверхности будет равна:

(7.7)

Количество диффузанта, необходимого для осуществления диффузии на определенную глубину полупроводника заданного количества примеси, изменяющейся пропорционально exp(-z2), где z = 0.5x , очень мало. Такое количество примеси можно ввести ионным легированием или предварительным проведением диффузии (преддиффузии) при низкой температуре в течение короткого времени. При этом на поверхности сформируется источник с необходимым малым содержанием примеси Q0:

, (7.8)

где Q0 - количество примеси, поступающее в течение преддиффузии, N01 - поверхностная концентрация при температуре преддиффузии, D1 - коэффициент диффузии при температуре преддиффузии, t1 - продолжительность преддиффузии.

Общее уравнение, позволяющее определить концентрацию примеси в полупроводнике, записывается в следующем виде:

, (7.9)

где индексы 1 относятся к разгонке примеси из источника сформированного на преддиффузии, а индексы 2 - к самому процессу диффузии.

Уравнение (7.9) справедливо для случая, когда выполняется следующее условие:

 

На рис. 7.7 изображен профиль легирования из ограниченного источника.

Рис. 7.7. Рис. 7.8

 

Профили легирования при диффузии из бесконечного (кривая 1) и ограниченного (кривая 2) источников в сравнении изображены на рис. 7.8.

 

Рис. 7.9. Формирование областей базы и эммитера биполярного транзистора

 

На рис. 7.9 показано формирование областей базы и эммитера биполярного транзистора и указаны возможные значения глубин слоев с разным типом проводимости.

 

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 705. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...

Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...

Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Пункты решения командира взвода на организацию боя. уяснение полученной задачи; оценка обстановки; принятие решения; проведение рекогносцировки; отдача боевого приказа; организация взаимодействия...

Что такое пропорции? Это соотношение частей целого между собой. Что может являться частями в образе или в луке...

Растягивание костей и хрящей. Данные способы применимы в случае закрытых зон роста. Врачи-хирурги выяснили...

Правила наложения мягкой бинтовой повязки 1. Во время наложения повязки больному (раненому) следует придать удобное положение: он должен удобно сидеть или лежать...

ТЕХНИКА ПОСЕВА, МЕТОДЫ ВЫДЕЛЕНИЯ ЧИСТЫХ КУЛЬТУР И КУЛЬТУРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МИКРООРГАНИЗМОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЛИЧЕСТВА БАКТЕРИЙ Цель занятия. Освоить технику посева микроорганизмов на плотные и жидкие питательные среды и методы выделения чис­тых бактериальных культур. Ознакомить студентов с основными культуральными характеристиками микроорганизмов и методами определения...

САНИТАРНО-МИКРОБИОЛОГИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВОДЫ, ВОЗДУХА И ПОЧВЫ Цель занятия.Ознакомить студентов с основными методами и показателями...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия