Задержка включения транзистора. При отпирании транзистора включающим током базы наблюдается задержка его включения (рис
При отпирании транзистора включающим током базы
Рис. 1.1 Полная расчетная схема на этапе задержки включения показана на рис. 1.2, где
Напряжение
Рис. 1.4 Приняв следующие обозначения:
Например: 1) 2)
|
наблюдается задержка его включения (рис. 1.1). Последнее объясняется тем, что эффективная инжекция неосновных носителей из эмиттера в базу начинается не мгновенно, а после достижения такого напряжения на переходе база–эмиттер, которое приводит к существенному изменению тока коллектора транзистора [1, 2]. Примем за это напряжение величину 
[3].
– барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Так как в большинстве реальных схем выполняется соотношение 
, то коллектор можно по переменному току закоротить с эмиттером через 
; таким образом, схему можно упростить, представив ее в виде эквивалентной схемы рис. 1.3, где 
– внутреннее сопротивление источника 
; 
– внутреннее сопротивление базы транзистора.
Рис. 1.2
Рис. 1.3
в схеме рис. 1.3 изменяется во времени по экспоненте. Учитывая это, целесообразно привести общую формулу для определения временного интервала 
(рис. 1.4), справедливую как для возрастающей, так и для спадающей экспоненты [2, 4]:
. 
, 
, 
, 
, можно записать соотношение для времени задержки включения (задержки фронта) транзистора
.
, 
, 
, 
В, 
, следовательно, 
.
, 
, 
.
