Конфигурации БОМ

На практике используются несколько конструктивных схем ближнепольного оптического микроскопа. Основные конфигурации БОМ показаны схематично на рис 4.1. Наиболее часто реализуется схема, в которой оптическое излучение лазера локализуется в пространстве с помощью волоконного зонда. Такая схема позволяет получить максимальную мощность в области субволнового отверстия и проводить исследования образцов как на отражение (рис. 4.1, а), так и на просвет (рис. 4.1, б). Для увеличения чувствительности излучение, отраженное от образца или прошедшее сквозь образец, собирается на фотоприемнике с помощью фокусирующего зеркала или линзы. Кроме того, данная конфигурация БОМ широко используется в экспериментах по ближнепольной оптической литографии.

В экспериментах, когда требуются высокие уровни оптической накачки (как, например, при исследовании локальных нелинейных свойств образцов), реализуется схема, в которой мощное лазерное излучение направляется на исследуемую структуру, а прием осуществляется с помощью ближнепольного зонда (рис. 4.1, в, г).

На рис. 4.2 в качестве примера приведено АСМ/БОМ изображение полупроводниковой структуры InAs/GaAs с квантовыми точками, полученное с помощью микроскопа, работающего по схеме, показанной на рис. 4.1, а. В эксперименте использовался HeCd лазер (l = 442 нм). Ближнепольное оптическое изображение образца представляет собой совокупность отраженного от поверхности образца излучения и люминесцентного излучения, соответствующего переходу между уровнями размерного квантования в InAs точках.

Интересная, но менее распространенная схема, в которой возбуждение структуры и прием ближнепольного излучения осуществляются через зонд микроскопа, приведена на рис. 4.3.

Такое совмещение ближнепольного источника с ближнепольным приемником является весьма многообещающим методом, обеспечивающим очень высокое пространственное разрешение. Однако в данной схеме излучение дважды проходит через субволновое отверстие. Это приводит к тому, что приходящий на фотоприемник сигнал имеет очень низкую интенсивность, и требуются высокочувствительные методы его регистрации. Сопряжение БОМ с оптическим монохроматором позволяет проводить локальные спектроскопические исследования образцов. Основные области применения ближнепольных оптических микроскопов – это исследование локальных оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых фоточувствительных структур, исследование биологических объектов, нанотехнология.

 

 

Рис. 4.1. Возможные конфигурации
ближнепольного оптического микроскопа

 

 

Рис. 4.2. «force» АСМ изображение рельефа поверхности (слева) и ближнепольное оптическое изображение (справа) образца с квантовыми точками InAs

Частичное представление об основных этапах развития сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) можно получить из хронологической таблицы приведенной ниже. В настоящее время СЗМ – это бурно развивающийся метод исследования поверхности с высоким пространственным разрешением и мощный инструмент для решения задач нанотехнологии – технология создания приборных структур с субмикронными размерами.

Основные этапы развития СЗМ.

1981 – Сканирующая туннельная микроскопия. G. Binning H Rohrer. Атомарное разрешение на проводящих образцах.

1982 – Сканирующий ближнепольный оптический микроскоп. D.W. Pohl. Разрешение 50 нм в оптическом изображении поверхности.

1984 – Сканирующий емкостной микроскоп. J. R. Matey, J. Bkank. Реализовано разрешение 500 нм в емкостном изображении.

1985 – Сканирующий тепловой микроскоп. C.C. Williams, H. K. Wickramasinghe. Разрешение 50 нм в тепловом изображении поверхности.

1986 – Атомно-силовой микроскоп. G. Binning, C. F. Quare, Ch. Gerber. Атомарное разрешение на непроводящих (и проводящих) образцах.

1987 – Магнитно-силовой микроскоп. Y. Martin, H. K. Wickramasinghe. Разрешение 100 нм в магнитном изображении поверхности.

– Микроскоп на силах трения. C. M. Mate, G. M. McClelland, S. Chiang. Изображение латеральных сил на атомных масштабах.

– Электросиловой микроскоп. Y. Martin, D. W. Abraham, H. K. Wickramasinghe. Детектирование единичных зарядов на поверхности образцов.

– Неупругая туннельная СТМ спектроскопия.D. P. E. Smith, D. Kirk,
C. F. Quare. Регистрация фононных спектров молекул в СТМ.

1988 – Микроскоп на основе баллистической эмиссии электронов.
W. J. Kaiser. Исследование братьев Шоттки с нанометровым разрешением.

– Инвертированный фотоэмиссионный микроскоп. J. H. Coombs,
J. H. Gimzewski, B. Reihl, J. K. Sass, R. R. Schlittler. Регистрация спектров люминесценции на нанометровых масштабах.

1989 – Ближнепольный акустический микроскоп. K. Takata, T. Hasega­wa, S. Hosaka, S. Hosoki, T. Komoda. Низкочастотные акустический измерения с расширением 10 нм.

– Сканирующий шумовой микроскоп. R. Moller, A. Esslinger, B. Koz­lowski. Регистрация туннельного тока без приложения напряжения.

– Сканирующий микроскоп, регистрирующий прецессию спина. K. Manassen, R. Hamers, J. Demuth, A. Castellano. Визуализация спинов в парамагнетике с разрешением 1 нм.

– Сканирующий микроскоп на ионной проводимости. P. Hansma,
B. Drake, O. Marti, S. Gould, C. Prater. Получение изображения поверхности в электролите с разрешением 500 нм.

– Сканирующий электрохимический микроскоп. O.E. Husser, D.H. Cras­ton, A. J. Bard.

1990 – Микроскоп, регистрирующий изменения химического потенциала. C. C. Williams, H. K. Wickramasinghe.

– СТМ, регистрирующий фото-ЭДС. R. J. Hamers, K. Markert. Регистрация распределения фото-ЭДС с нанометровым разрешением.

1991 – Сканирующий зондовый микроскоп на методе Кельвина. N. Nonnenmacher, M. P. O Boyle, H. K. Wickramasinghe. Измерения поверхностного потенциала с разрешением 10 нм.

1994 – Безапертурный ближнепольный оптический микроскоп. F. Zenhausern, M. P. O Boyle, H. K. Wickramasinghe. Оптическая микроскопия с разрешением 1 нм.