ФоторезисторПредставляет собой п/п, к которому подключено 2 вывода и в котором имеется окно, через которое свет попадает в фоторезистор.
Электроны п/п получают при поглощении света энергию и переходят из ВЗ в ЗП. При этом уменьшается сопротивление, и ток в цепи увеличивается. Поглощение света происходит в том случае, если энергия света больше ширины запрещённой зоны. При Ф = 0 к фоторезистору прикладывается рабочее напряжение. Следовательно, в цепи протекает темновой ток Iт. При возрастании Ф ток IФ увеличивается, однако при больших значениях Ф наступает замедление роста фототока, т.к. происходит столкновение электронов, потеря ими энергии, замедление скорости дрейфа и увеличение процесса их рекомбинации.
Ф2
U Ф l П/п в зависимости от длины волны света неодинаково реагируют на световой поток, их реакция зависит от ширины запрещённой зоны. Т.к. п/п могут быть сложными веществами, то возможно наличие нескольких локальных максимумов. Параметры фоторезистора: § Uраб § Iт § Rт (темновое сопротивление, измеряется через 30 с после снятия освещённости в 200 Лк) § Rсв (световое сопротивление, измеряется после 30 с при освещённости в 200 Лк) § кратность сопротивления Rт / Rсв § коэффициент интегральной чувствительности § коэффициент чувствительности к монохроматическому свету
|
IФ Ф3 > Ф2 > Ф1 IФ IФ
Ф3
Ф1 Iт
, десятки мА/Лм
