Фоторезистор. Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. Схематическое изображение структуры фоторезистора приведено на рис. 6.5, а, а его условное графическое изображение – на рис. 6.5, б. Поток фотонов, падающих на полупроводник, вызывает появление пар электрон-дырка, увеличивающих проводимость (уменьшающих сопротивление). Это явление называют внутренним фотоэффектом (эффектом фотопроводимости). Фоторезисторы часто характеризуются зависимостью тока i от освещенности Е при заданном напряжении на резисторе. Это так называемая люкс-амперная характеристика (рис. 6.6).
Рис. 6.5. Структура (а) и схематическое обозначение (б) фоторезистора
Рис. 6.6. Люкс-амперная характеристика фоторезистора ФСК-Г7 Часто используют следующие параметры фоторезисторов: · номинальное темновое (при отсутствии светового потока) сопротивление (для ФСК-Г7 это сопротивление равно 5 МОм); · интегральную чувствительность (чувствительность, определяемая при освещении фоторезистора светом сложного спектрального состава). Интегральная чувствительность (токовая чувствительность к световому потоку) S определяется выражением:
где iф – так называемый фототок (разность между током при освещении и током при отсутствии освещения); Ф – световой поток. Для фоторезистора ФСК-Г7 S =0, 7 А/лм.
|
,
