Микросхемы стабилизаторов постоянного напряжения

Стабилизаторы напряжения, подобные схеме рис. 15.7, выполняются в виде интегральных микросхем. Основные характеристики микросхем стабилизаторов напряжения серии К142 приведены в таблице 15.1. Среди них

– коэффициент нестабильности по напряжению;

– коэффициент нестабильности по току.

Таблица 15.1 – Характеристики микросхем стабилизаторов постоянного напряжения серии К142

К142	, А	, В	, В	, %/В	, %	, Вт
ЕН1Б ЕН2Б ЕН3, 4 ЕН5А ЕН6 ЕН8В	0, 15 0, 15 0, 2 1, 5	35	3–12 12–30 15–30 5 1% 15	0, 1 0, 1 0, 05 0, 05 0, 001 0, 05	0, 2 0, 2 0, 5 0, 2	0, 8 0, 8

Для стабилизаторов К142ЕН1 (2, 3, 4) требуется подключение внешних компонентов (делителя цепи обратной связи, элементов коррекции, защиты по току). Микросхемы К142ЕН5 (6, 8) являются функционально законченными стабилизаторами на фиксированные значения U _вых. Выходное напряжение микросхемы К142ЕН5 равно 5 В с возможным изменением этой величины в зависимости от экземпляра ИМС на ±0, 2 В. Максимальный ток нагрузки 3 А. Минимальное входное напряжение 7, 5 В. Тепловая защита выключает стабилизатор при температуре кристалла 175^оС ± 10%, при превышении допустимого значения по току на (20–25)% срабатывает защита по току.

Существенным недостатком стабилизаторов параллельного и последовательного типов, называемых линейными, являются большая потеря мощности в регулирующем транзисторе (управляемом сопротивлении) и, как следствие этого, недостаточно высокий КПД. Стремление повысить КПД привело к созданию стабилизаторов с импульсным регулированием, в которых регулирующим элементом служит периодически замыкающийся ключ (как правило, транзистор в ключевом режиме), подключающий нагрузку к источнику входного постоянного напряжения U _вх. Если при периоде включения T ключ находится в замкнутом состоянии в течение времени t _вкл, то постоянная составляющая напряжения на нагрузке U _вых = U _вх t _вкл / T.

Регулирующий транзистор в импульсном стабилизаторе работает в ключевом режиме, т.е. большую часть времени находится либо в режиме отсечки, либо в режиме насыщения. Ключевые режимы работы транзистора и импульсные устройства будут рассмотрены при изучении дисциплины «Электронные цепи и микросхемотехника» [10].