Зависимой ООС в каскадах на биполярном транзисторе
Работа схемы (рис.8.8) не отличается от работы каскада на ПТ. Коррекция в схеме ОЭ осуществляется цепью эмиттера: R Экорр и С Экорр. Расчётные
соотношения остаются такими же, меняются только обозначения: A
R К
R 1 C р
C р VT
R 2
R Экорр C Экорр
Рис.8.8. Принципиальная схема каскада ОЭ с эмиттерной ВЧ коррекцией с использованием
частотно-зависимой ООС
Связь между оптимальным значением параметра mopt и глубиной ООС определяется выражением (8.24).
mopt Порядок расчета элементов ВЧ коррекции с использованием частотно-
зависимой ООС в каскаде на БТ:
1) Разработчик должен принять решение: насколько можно снизить коэффициент усиления, то есть задаться фактором ООС F.
2) Из известного значения крутизны транзистора S (справочный параметр) определяется сопротивление цепи эмиттера: R Экорр F 1. (8.25)
3) По формуле (10.21) определяется оптимальная величина параметра m.
F mopt
4) Определяется постоянная времени цепи эмиттера:
|
m F,
E К
R Н 
C Н
R’ Э C’ Э
S
F 21
