Студопедия — Задание 1. Плоскостной p-n-переход представляет собой слоисто-контактный элемент в объеме кристалла на границе двух полупроводников с проводимостями p- и n-типов (рис
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Задание 1. Плоскостной p-n-переход представляет собой слоисто-контактный элемент в объеме кристалла на границе двух полупроводников с проводимостями p- и n-типов (рис






Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n-типа, а другая p-типа, называется электронно-дырочным переходом (p-n-переходом). Он является основой большинства полупроводниковых приборов. Наиболее широко применяются плоскостные и точечные p-n-переходы.

Плоскостной p-n-переход представляет собой слоисто-контактный элемент в объеме кристалла на границе двух полупроводников с проводимостями p- и n-типов
(рис. 1.2, а). В производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем применяются переходы типа р+- n- или р- п+ переходы. Индекс «+» подчеркивает большую электропроводность данной области монокристалла.

 

 

6) Рассмотрим контакт металл - полупроводник. В случае контакта возможны различные комбинации (p- и n-типы полупроводника) и соотношения термодинамических работ выхода из металла и полупроводника. В зависимости от этих соотношений в области контакта могут реализоваться три состояния. Первое состояние соответствует условию плоских зон в полупроводнике, в этом случае реализуется нейтральный контакт. Второе состояние соответствует условию обогащения приповерхностной области полупроводника (дырками в p-типе и электронами в n-типе), в этом случае реализуется омический контакт. И, наконец, в третьем состоянии приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями, в этом случае в области контакта со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется блокирующий контакт, или барьер Шоттки.

 

Отличительной особенностью барьера Шоттки(контакта «металл – полупроводник») является то, что в отличие от обычного p-n-перехода здесь высота потенциального барьера для электронов и дырок разная. В результате такие контакты могут быть при определенных условиях неинжектирующими, т. е. при протекании прямого тока через контакт в полупроводниковую область не будут инжектироваться неосновные носители, что очень важно для высокочастотных и импульсных полупроводниковых приборов.

 

 

7)?

 

8) Под пробоем p-n-перехода понимают значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающееся возрастанием обратного тока при увеличении приложенного напряжения. Различают три вида пробоя: туннельный, лавинный и тепловой.

 

 

9) Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников.

Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах).

10) Фотоэффе́кт, Фотоэлектрический эффект — испускание электронов веществом под действием света (или любого другого электромагнитного излучения). В конденсированных (твёрдых и жидких) веществах выделяют внешний и внутренний фотоэффект. Так как при обычных условиях в полупроводниках очень мало свободных носителей зарядов (электронов и дырок), полупроводники имеют большое удельное сопротивление. Однако в полупроводниках валентные электроны слабо связаны с атомами и, получив избыточную энергию, могут оторваться от атома и перейти в свободное состояние. При облучении полупроводника связанные электроны поглощают проникающие в него кванты и переходят в свободное состояние.
При этом в случае ионизации атома примеси образуются свободный электрон и дырка, а при ионизации атома самого полупроводника генерируются пары электрон - дырка. Таким образом, облучение полупроводника ведет к увеличению концентрации свободных носителей зарядов в нем, следствием чего и является уменьшение его удельного сопротивления. Генерация свободных носителей зарядов в полупроводнике, происходящая вследствии его облучения, называется внутренним фотоэффектом.

Задание 1.

 

Начертить схему включения пентода и указать назначение всех электродов. По данным таблицы построить семейство анодных характеристик лампы 6Ф5П (пентодная часть). Для точки = 110 В и

= -10 В рассчитать главные параметры при = 240 В.

               
, мА               = 0
, мА               = -1 В
, мА               = -2 В

 

Расшифровать марку лампы 6Ф5П.

 

Ответ:

В пентоде имеются три сетки: - управляющая, - экранирующая и еще одна сетка, расположенная между анодом и экра­нирующей сеткой (рис.1).

Рис.7. Схема пентода

 

Ее называют защитной сеткой , так как она защищает лампу от возникновения динатронного эффекта. Встречаются и другие названия этой сетки: антидинатронная, противодинатронная, пентодная, третья. Защитная сетка обычно соединяется с катодом, т. е. имеет нулевой потенциал относительно катода и отрицательный относительно анода. В некоторых схемах на нее подается неболь­шое положительное или отрицательное постоянное напряжение. Однако и в этих случаях ее потенциал значительно ниже потенциала анода и антидинатронное действие остается. Во многих пентодах соединение защитной сетки с катодом делают внутри лампы, и тогда на этой сетке напряжение всегда равно нулю. Действие защитной сетки состоит в том, что между ней и анодом создается электрическое поле, которое тормозит, останав­ливает и возвращает на анод вторичные электроны, выбитые из анода. Они не проникают на экранирующую сетку, и динатронный эффект полностью устра­няется.

Между экранирующей и защитной сетками для электронов, летящих от катода, создается тормозящее поле, и может показаться, что это вызовет умень­шение анодного тока. Однако электроны, получив большую скорость под действием экранирующей сетки, долетают до защитной сетки и не теряют полностью ско­рость, так как между витками этой сетки потенциал не нулевой, а положи­тельный.

На рис.2 представлена схема включения пентода с источником питания.

 

Рис.2. Схема включения пентода

Достоинства пентода — малая про­ходная емкость, левое расположение се­точных характеристик анодного тока при невысоком анодном напряжении и устранение динатронного эффекта — обеспечивают ему очень широкое при­менение. Наличие трех сеток делает коэффи­циент усиления пентодов очень большим (свыше тысячи). Следовательно, очень большим оказывается, и внутреннее со­противление (сотни тысяч Ом).

Рис.3. Семейство анодных характеристик лампы 6Ф5П

 

В результате построенной характеристик и заданных значений определяю: ; .

Расшифровка марки лампы 6Ф5П: лампа 6Ф5П: - сетевой триод - пентод, пятая модель пальчикового типа.

 







Дата добавления: 2015-12-04; просмотров: 306. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Вопрос. Отличие деятельности человека от поведения животных главные отличия деятельности человека от активности животных сводятся к следующему: 1...

Расчет концентрации титрованных растворов с помощью поправочного коэффициента При выполнении серийных анализов ГОСТ или ведомственная инструкция обычно предусматривают применение раствора заданной концентрации или заданного титра...

Психолого-педагогическая характеристика студенческой группы   Характеристика группы составляется по 407 группе очного отделения зооинженерного факультета, бакалавриата по направлению «Биология» РГАУ-МСХА имени К...

ОЧАГОВЫЕ ТЕНИ В ЛЕГКОМ Очаговыми легочными инфильтратами проявляют себя различные по этиологии заболевания, в основе которых лежит бронхо-нодулярный процесс, который при рентгенологическом исследовании дает очагового характера тень, размерами не более 1 см в диаметре...

Примеры решения типовых задач. Пример 1.Степень диссоциации уксусной кислоты в 0,1 М растворе равна 1,32∙10-2   Пример 1.Степень диссоциации уксусной кислоты в 0,1 М растворе равна 1,32∙10-2. Найдите константу диссоциации кислоты и значение рК. Решение. Подставим данные задачи в уравнение закона разбавления К = a2См/(1 –a) =...

Экспертная оценка как метод психологического исследования Экспертная оценка – диагностический метод измерения, с помощью которого качественные особенности психических явлений получают свое числовое выражение в форме количественных оценок...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.011 сек.) русская версия | украинская версия