ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРОВ
СХЕМЫ СОЕДИНЕНИЙ
Рис. 1 Схема исследования биполярного транзистора
Рис. 2 Схема исследования полевого транзистора
Таблица 1 Входные характеристики биполярного транзистора Iб = f (Uбэ) при Uкэ = const
Рис. 3 График входных характеристик биполярного транзистора
Рис. 4 Нахождение входного сопротивления (h11)
Таблица 2 Выходные характеристики биполярного транзистора Iк = f (Uкэ) при Iб = const
Рис. 5 График выходных характеристик биполярного транзистора
Рис. 7 Нахождение коэффициента усиления по току (h21)
Таблица 3 Проходная характеристика биполярного транзистора Iк = f (Iб) при Uкэ = 5 В
Рис. 8 График проходной характеристики биполярного транзистора Параметры биполярного транзистора H-параметры Входное сопротивление транзистора h11 = ∆Uбэ/∆Iб (Uкэ = const) = коэффициент обратной связи по напряжению h12 = ∆Uбэ/∆Uкэ (Iб = const), так как он очень мал, то считаем его равным 0; коэффициент усиления по току h21 = ∆Iк/∆Iб (Uкэ = const) = выходная проводимость транзистора h22 = ∆Iк/∆Uкэ (Iб = const)
|
Рис. 6 Нахождение выходной проводимости (h22)
103 = 80 Oм;
= 29,625;
10-3 = 0,00125 Cм.
