Анализ полученных результатов и выводы1)По входным характеристикам биполярного транзистора (рис. 1) видно, что с ростом напряжения выходной цепи Uкэ входной ток Iб уменьшается. Это связанно с тем, что при увеличении напряжения Uкэ уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, так как почти все носители заряда (дырки) экстрагируют в коллектор, то есть, уменьшается “толщина” базы. Входной ток Iб начинает протекать через эмиттерный переход, только тогда, когда на этом переходе устанавливается требуемое значение прямого напряжения. При малом увеличении напряжения Uбэ наблюдается сильное увеличение тока базы Iб, в случае если Uбэ не превышает потенциального барьера (требуемого значения прямого напряжения, зависящего от материала полупроводника, использующегося в транзисторе), то можно наблюдать малый ток утечки, но его значениями обычно пренебрегают. 2)По выходным характеристикам биполярного транзистора (рис. 5) видно, что выходной ток Iк зависит от входного тока Iб .. Причем эта зависимость в активном режиме определяется формулой Iк = h21Iб по которой можно вычислить коэффициент усиления тока h21= const =Iк/Iб. Из графика можно определить зоны, определяющие работу транзистора (левее линии 0А – режим работы насыщения, правее – активный режим, существует еще режим отсечки в случае, если Uкэ<0). В активном или рабочем режиме Iк мало зависит от Uкэ. 3)Проходная характеристика биполярного транзистора линейна и зависимость тока коллектора от тока базы определяется значением коэффициента по току Iк = h21Iб. 4)По входным характеристикам униполярного транзистора, понятно что униполярный транзистор также как биполярный является управляемым нелинейным элементом цепи, только в отличии от биполярного управляется напряжением. По выходным (стоковым) характеристикам униполярного транзистора (рис. 11) видно, что при большем управляющем напряжении Uзи, ток стока Iс становится меньше из-за уменьшения проводимости канала. Также видно, что выходной ток стока Ic зависит от напряжения Uси линейно на первом участке (режим насыщения при малых значениях Uси). По мере увеличения Uси сужение токопроводящего канала оказывает большее влияние на его проводимость, происходит уменьшение крутизны нарастания тока, которая описывается формулой S=ΔIс./ΔUзи. В дальнейшем, с ростом Uси будет расти сопротивление канала, и ток Ic увеличиваться не должен, однако, небольшой рост происходить будет, это объясняется наличием различных утечек и влиянием сильного электрического поля в p-n переходах, прилегающих к каналу. 5) По сток-затворным характеристикам униполярного транзистора (рис. 13) видно, что выходной ток Ic управляется входным напряжением Uзи. При большем напряжении Uси, нужно приложить большее напряжение Uзи, чтобы полностью прекратить течение Ic. Однако, в эксперименте напряжение отсечки Uзи отс для разных значений Uси оказалось одинаковым. Это можно объяснить погрешностью приборов.
При больших значениях Uкэ характеристики идут значительно положе, так как практически все носители, инжектированные из эмиттера в базу, принимают участие в образовании коллекторного тока и дальнейшее увеличение Uкэ не приводит к пропорциональному росту тока Iк. Однако небольшой наклон характеристики все же имеется, так как с увеличением Uкэ увеличивается ширина коллекторного перехода, а ширина базовой области, с учетом ее и без того малой величины, уменьшается. Это приводит к уменьшению числа рекомбинаций инжектированных в базу носителей и, следовательно, к увеличению количества носителей, переброшенных в область коллектора. Кроме того, по этой же причине несколько снижается базовый ток Iб, а поскольку характеристики снимаются при условии Iб=const, то при этом необходимо несколько увеличивать напряжение Uбэ, что приводит к некоторому возрастанию тока эмиттера Iэ и, следовательно, тока коллектора Iк. Еще одной причиной некоторого роста Iк является то, что с увеличением Uкэ возрастает и та его часть, которая приложена к эмиттерному переходу в прямом направлении. Это тоже приводит к некоторому увеличению тока эмиттера Iэ и, следовательно, тока коллектора Iк.
Спецификация к рис.1
Спецификация к рис.2
|