Напряжение пробоя. Виды самостоятельного разряда в газах

Разряд, который существует после прекращения действия ионизатора – самостоятельный.

Напряжение, при котором происходит лавинообразное размещение ионов – напряжение пробоя. Различают 4 основных типа самостоятельных зарядов:

1. Коронный (возникает при высоких Р газа вблизи поверхности электродов с большой кривизной).

2. Тлеющий (возникает при низких Р газа, характеризуется большим напряжением и маленьким током).

3. Искровой разряд (возникает при высоких Р и больших напряжениях).

4. Дуговой (возникает после зажигания искрового при малом расстоянии между е^-; без искры, если электроды привести в сопряжение, а затем развести.

 

67. Энергетические уровни материалов.

В полупроводниках степень связанности электронов невелика, и они легко покидают атомы при таких воздействиях как нагревание, облучение и т.д. При объединении атомов в кристаллические решетки валентные электроны образуют систему. Энергетически возможные состояния электронов образуют разрешенный зоны, которые отделены друг от друга запрещенными, т.е. такими в которых энергетические состояния электронов при данных условиях невозможны.

Согласно принципу запрета Паули, каждое возможное состояние либо вакантно, либо занимается 1 электроном. Исходя из этого в материалах возможны три основных случая:

1. горизонтальные линии – разрешенные состояния; отсутствие линий – запрещенное состояние; линии с точками – заполненное состояние; линии без точек – пустые состояния.

 

2. В верхней зоне запрещенная часть уровней; при обычных t° нижняя часть. Электроны могут свободно переходить на незанятые уровни. Это энергетическая структура металла. Частично заполненная верхняя зона у металла может образовываться в двух случаях: число электронов в зоне <, чем число уровней; число электронов равно числу уровней, но в этих металлах верхняя граница запрещенной зоны выше, чем нижняя граница следующей зоны, т.е. зоны частично перекрываются.

 

 

3. Картина та же, что и в 1-м случае, только ширина запрещенной зоны сравнима с тепловой Е kT. В этом случае некоторое количество электронов из заполненной зоны может переходить на незаполненные уровни. Это структура полупроводника. Верхнюю заполненную зону называют валентной, а зону с пустыми состояниями – зоной проводимости.