Инерционные свойства транзистора в режиме большого сигнала. Ненасыщенный, насыщенный, переключательный режим работы. Искажения импульса выходного тока, временные параметры

1) Ненасыщенный: рабочая точка всё время находится в активной усилительной области

 

 

 

τ_н>>t_нар

→ t_нар t_спад=0,35/f_s

 

2) Насыщенный: р.т. находится в активной усилительной области, на вершине импульса уходит в область насыщения.

 

3) Переключательный: исходно р.т расположена в области отсечки, на вершине импульса уходит в область насыщения

 

 

t_зад – время от момента прямого входного импулься, до момента 0.1 У_{к нас макс}

t_зад связано с t_пр носителей через базу

t_зад 0,2/ω_п

t_зад<<τ_имп

р_n – неравновесная концентрация

∆ р_n= р_n- р_n0

t_вкл= t_зад+ t_нар

↓t_вкл: ↓ t_пр, С_ЭП, С_КП

↑↑β

t_рас – время рассеивания не основных носителей заряда из базы. Длиться до тех пор, пока у КП неравновесная концентрация не упадёт до нуля

н.ч. в.ч.

t_спада (2 – 3)мкс (0,2 – 0,3)мкс

t_рас до 10 мкс n*10 нс

 

↑У_э, ↑ t_рас

↑τ_{имп макс}, ↑ t_рас

26. Дрейфовые транзисторы - особенности конструкции, структура диффузионно-сплавного транзистора. Поле в базе. Зависимость параметров транзисторов (f_τ, β,U_кбmax) от технологии их изготовления. Достоинства и недостатки дрейфовых транзисторов.

Дрейфовый транзистор -Би.ТР, в котором используется и дрейфовое и диффузионное движение носителей в базе.

Особенности изготовления: База изготавливается методом диффузии: исходная пластина - коллектор,примесь в базе распространяется неравномерно(макс у ЭП, мин у КП)

Из-за неравномерности концентрации примесей в базе, электроны уходят к КП а у ЭП остаются нескомпенсированные положительные ионы доноров. Возникает внутр эл поле независящее от уровня инжекции.

Диффузионно-сплавная технология позволяет получить тонкую базу, а это сокращает время пролета неосновных носителей через базу, что дает выигрыш:

-в быстродействии

-в коэффициенте передачи b»1/W²

+ графики

Зависимость параметров от технологии изготовления:

1. Сплавная: f_t=1МГц; β=200; U_{кб макс}=80В

2. Диффузионная ВЧ: f_t=160МГц; β=200; U_{кб макс}=200В

3. Диффузионно-сплавная: ВЧ: f_t=1000МГц; β=250; U_{кб макс}=150В

4. Планарная ВЧ: f_t=2400МГц; β=400; U_{кб макс}=300В

_5. Эпитаксиальна-планарная: f_t=3000МГц; β=1000; U_{кб макс}=60В

Достоинства дрейфовых транзисторов:

хорошие частотные свойства.

малые величины емкостей.

малое сопротивление базы.

Недостатки:

1. малое пробивное напряжение эмиттерного перехода (запирающее) U_{эб.пробоя}=1..6 В

2. большая величина объемного сопротивления коллектора

3. более высокая чувствительность к изменениям окружающей температуры.