Вых. хар-ки транзистора в схеме с ОБ. Их зав-ть от тока эмиттера и температуры

Семейство выходных характеристик:

(зав-ти тока К от напряжения К-Б при постоянном токе Э). Вых. хар-ки в осн. режиме работы транзистора в схеме включения с общей базой описываются соотношением . При токе эмиттера, равном нулю () зависимость представляет собой характеристику обратносмещенного рn-перехода (зав-ть 1). В этом случае в цепи коллектора протекает ток - тепловой ток или ток насыщения; - ток термогенерации; - ток утечки. При токе эмиттера больше нуля () - зависимости 2 - 4, хар-ка смещается вверх и влево относительно начала координат. При на объемном сопротивлении базы создается падение напряжения за счет тока рекомбинационных потерь базы (1-α) , КП оказывается обратносмещенным и работает в режиме экстракции. Ввиду этого для тока коллектора справедливо соотношение и выходная характеристика транзистора соответствует т.А (зав-ть 2, рис.1).

В т.С выходной характеристики при токе (рис.1) переход К-Б имеет нулевое смещение. При дальнейшем увеличении прямого напряжения на КП его ток инжекции быстро возрастает, противодействуя току К экстракции, и общий ток уменьшается до нуля (т.D на рис.1). Чем больше ток эмиттера, тем выше и левее смещается вых. характеристика (зав-ти 3, 4, рис.1).

Рис. 3. Влияние температуры на выходные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой при __ Т1 = +20; --------- Т2= +50

При (разрыв цепи эмиттера) исходная характеристика соответствует обратной ветви вольтамперной характеристики электронно­дырочного перехода: Данная зависимость представлена на рис.3 сплошной линией при температуре Тl =+200С. При увеличении температуры возрастет ток . Ток , так же как и обратный ток pn-перехода, растет по экспоненциальному закону. Температурная зависимость выходных характеристик при токах эмиттера больше нуля () показана на рис. 4. При увеличении температуры возрастает ток коллектора из­-за увеличения тока и коэффициента передачи по току α

Рис. 4. Влияние температуры на выходные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой при __ Т1 = +20; ---- Т2= +50

Поскольку ток мал, а α с ростом температуры растет незначительно, то изменение температуры в широких пределах приводит к незначительному изменению характеристик, поэтому выходные характеристики транзистора в схеме включения с ОБ можно считать термостабильными. Слабая зависимость выходных характеристик транзистора в схеме включения с общей базой в активном режиме работы от напряжения коллектор - база отражает их линейность.