Особенности применения интегральных перемножителей
Перемножитель на базе К525ПС1 (рис. 6.7) имеет сравнительно большое количество вспомогательных внешних элементов и требует выполнения трех балансировок: по входам X и Y (резисторы R П1 и R П2) и масштабного коэффициента умножения КП (резистор R П3). Частично эти недостатки устранены в микросхеме К525ПС2, функциональная схема которой приведена на рис. 6.8. В отличие от К525ПС1 в К525ПС2 введен выходной преобразователь дифференциального тока в напряжение, выполненный на ОУ. Благодаря чему простой перекоммутацией внешних выводов этой микросхемы можно реализовать такие устройства, как делитель напряжения, схему возведения в квадрат и извлечения квадратного корня (рис. 6.9). Делитель напряжения (рис. 6.9, а) образуется в том случае, если в обратную связь встроенного в перемножитель ОУ включить собственно перемножающую часть устройства (соединить выводы 2 и 13 через переменный резистор 5,1 к). При параллельном соединении двух входов X и Y ПН реализуется схема, возводящая в квадрат входное напряжение (рис. 6.9, б). Возведение в более высокие степени X3, X4, X5,... достигается простым последовательным включением нескольких ПН.
Для создания устройства, извлекающего квадратный корень необходимо в цепь обратной связи ОУ включить квадратор (рис. 6.9, в). Напряжение Uz может быть только положительным. Для предотвращения запирания схемы или отрицательном напряжении Uz на выходе включен диод, который в этом случае разрывает цепь ОС. ПН К525ПС3 в отличие от К525ПС2 не требует дополнительных внешних элементов, так как необходимая балансировка выполняется индивидуально для каждой микросхемы в ходе её изготовления. Простейшие функциональные схемы на базе ПН К525ПС3 приведены на рис. 6.10.
Остановимся более подробно на схеме рис. 6.10, в. Модулируемое по амплитудеколебание описывается выражением  , в котором  – колебания несущей частоты,  – модулирующее колебания,  коэффициент амплитудной модуляции. При изменении KM от 0 до 1 амплитуды боковых колебаний изменяются от 0 до U0/2. В схеме рис. 6.10, в глубину модуляции можно регулировать с помощью внешнего резистора за счет добавления к модулирующему сигналу Ux части потенциала источника положительного напряже
ния питания.
|
