Статич характер БТ вкл по схеме с ОЭ
Входные статические характеристики: это зависимость Iбазы от Uэб, при Uкэ = сonst. При Iб = 0, харак-ка аналогична хар-ки вкл., прямого вкл., PN-перехода, т.е. при увеличении обратного U в выводах VT протекает большой Iоб как коллекторного перехода. При увеличении Iб ток Iк увеличивается это объясняется тем, что Iб увеличивается Iб3>Iб2>Iб1, U на эмиттерном переходе, а это напряжение увеличивается и Iэ => возрастает сам Iк. Эмиттерная характеристика снятая при Uкэ = 0В, аналогично ВАХ диода при прямом вкл. При увеличении выходного U это хар-ка будет проходить чуть правее первой. Это связано с тем, что увеличение U вызовет расширение КП. В р-те., чего уменьшится толщина Базы => рекомбинация в Б уменьшается, уменьшается Iбазы. Выходные статические характеристики: Iк = F(Uкэ) при Iб = const. При Iбазы = 0 характеристика аналогично прямого вкл., PN-перехода. Т.е. при увеличении обратного U выводов VT протекает небольшой обратный ток КП. При увеличении Iбазы Iк увеличивается. Это объясняется тем, что I базы увеличивает U на ЭП, а это U увеличивает Iэ => Iк увеличивается. Эквивалентные схемы вкл БТ. Схема с общей базой через генератор U. Данная Т образная эквивалентная схема содержит первичные или физические пораметры VT. Эти пораметры не зависят от схемы вкл., VT. К ним относятся: rэ = сопротивление области Э и эмитерного перехода. Десятки Ом. Rб = сопротивление области базы сотни Ом. Rк = сопротивление области К и коллекторного перехода. Сотни кОм, единицы мОм. Е = показывает усилительные св-ва VTов, Ск = емкость коллекторного перехода. Схема с общей базой через генератор I. Iмэ = амплитуда входного тока эмиттера I = генератор тока, которые показывает усилительные св-ва по току. α = статический коэффициент входа VT. Схема с общим эмиттером через генератор I. Rб = сопротивление базы к приложенному току (несколько сотен Ом) Rк = дифференцированное R коллекторного перехода (сотни тысяч Ом) Rэ = дифференцированное R эмитерного перехода. (до десятков Ом) С общей базой. Iвх = Iэ, Uвх = Uэб, Iвых=Iк, Uвых = Uкб. 1) По напряжению: К=Uкб\Uэб (десятки-сотни раз) 2) КI=Iвых\Iвх = Iк\Iэ<1 (0,95-0,99) Cхема не обладает усилением по току. 3) Кр= (десятки сотни раз). Схема не усиливает ток, поэтому Кр в данной схеме < чем в схеме с общим Э. 4) Rвх = Uвх\Iвх = Uэб\Iк десятки Ом 5) Rвых = Uкб\Iк (сотни кОм, единицы мОм). Данная схема имеет самое низкое Rвх и самое высокое Rвых, поэтому требуют спец., согласующ., ус-ва на входе и выходе. Достоинства: Схема с общей базой имеет хорошие температурные и част., св-ва. Сохраняет фазу входного U.
|
