Студопедия — Элементарная теория
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Элементарная теория






Ансамбль заряженных частиц в полупроводнике в первом приближении может быть представлен как газ невзаимодействующих между собой носителей заряда.

Зависимость энергии электронов от импульса в этом случае имеет вид:

 

, (1)

 

где mn * - эффективная масса электронов, k = p / ћ – волновое число электрона, ћ – постоянная Планка, Ec – начало энергетического отсчета.

Совершенно аналогично

, (2)

 

где mh * - эффективная масса дырок, Ev - начало энергетического отсчета для дырок.

Используя понятие эффективной массы, заряженная частица может рассматриваться как свободная, но, т.к. электрон или дырка взаимодействует с потенциальным полем кристаллической решетки, то введение эффективной массы позволяет, в какой-то мере, учитывать это взаимодействие. Энергетически электронные состояния отделены от дырочных состояний энергетическим зазором Eg – шириной запрещенной зоны как это показано схематически на рис.3.

 

рис.3. Схематическое представление процесса излучательной рекомбинации.

 

В процессе излучательной рекомбинации электрон, находящийся в определенном состоянии в зоне проводимости аннигилирует с дырочным состоянием в валентной зоне. Избыточная энергия, выделяющаяся в этом процессе, излучается в виде фотона, имеющего круговую частоту ω;≈ Eg / ћ, при k ≈0. Таким образом, выполняется закон сохранения энергии в этом процессе. С другой стороны, закон сохранения импульса, в силу малого значения величины импульса фотона, требует, чтобы электрон имел практически тот же самый импульс, как и дырка (вертикальные переходы, показанные на рис.1). Поэтому для качественного рассмотрения излучательных переходов с фиксированной энергией фотонов ћω; можно рассматривать двухуровневую систему дискретных энергетических уровней, как первое приближение к описанию сложных процессов в реальной полупроводниковой структуре.

 







Дата добавления: 2015-08-27; просмотров: 468. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Интуитивное мышление Мышление — это пси­хический процесс, обеспечивающий познание сущности предме­тов и явлений и самого субъекта...

Объект, субъект, предмет, цели и задачи управления персоналом Социальная система организации делится на две основные подсистемы: управляющую и управляемую...

Законы Генри, Дальтона, Сеченова. Применение этих законов при лечении кессонной болезни, лечении в барокамере и исследовании электролитного состава крови Закон Генри: Количество газа, растворенного при данной температуре в определенном объеме жидкости, при равновесии прямо пропорциональны давлению газа...

Типология суицида. Феномен суицида (самоубийство или попытка самоубийства) чаще всего связывается с представлением о психологическом кризисе личности...

ОСНОВНЫЕ ТИПЫ МОЗГА ПОЗВОНОЧНЫХ Ихтиопсидный тип мозга характерен для низших позвоночных - рыб и амфибий...

Принципы, критерии и методы оценки и аттестации персонала   Аттестация персонала является одной их важнейших функций управления персоналом...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.011 сек.) русская версия | украинская версия