Научная база.

Условие. Дан транзистор КТ503А

1. Установить его структуру, максимально допустимый постоянный ток коллектора I_{K max}.

2. Построить семейство входных вольт-амперных характеристик I Б = f (U БЭ).

3. Построить семейство выходных вольт-амперных характеристик I К = f (U КЭ).

 

Выполнение. Для использования математической модели полупроводникового диода КТ503А был подключен файл my_diode.lib. С помощью справочных материалов удалось выяснить, что транзистор имеет структуру n-p-n, максимально допустимый постоянный ток коллектора I_{K max}=150 мА

 

В программе MicroCAP составлена схема включения транзистора для измерения входных ВАХ (рисунок 1)

Рисунок 1 – Схема включения транзистора структуры n - p - n для измерения входных ВАХ

Рисунок 2 – Семейство входных вольт – амперных характеристик I _Б = f (U _БЭ)

 

Входное сопротивление транзистора:

Ом

Коэффициент обратной связи по напряжению:

Для измерения выходных вольт-амперных характеристик воспользуемся другой схемой (рисунок 2)

 

Рисунок 3- Схема включения транзистора для измерения выходных ВАХ

 

 

Рисунок 4– семейство выходных вольт – амперных характеристик I _к = f (U _КЭ)

 

 

Дифференциальный коэффициент передачи тока:

Входная проводимость:

 

Контрольные вопросы:

1) Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими и выпрямляющими переходами и двумя, и более выводами, усилительные свойства которого обусловлены инжекцией и экстракцией не основных носителей. Цепь одного из этих выходов является входной или управляющей, цепь другого - выходной или управляемой. Транзистор образован тремя областями полупроводника. Крайние области имеют один тип проводимости(n- или p-)средняя область - другой. Эти области называются: эмиттер, база, коллектор.

2) Для входных характеристик – при подаче прямого напряжения на базу открывается эмиттерный переход и в цепи базы появляется рекомбинационная составляющая тока. Ток базы в этом режиме изменяется, при увеличении прямого напряжения он уменьшается вначале до нуля, а затем изменяет направление и возрастает почти экспоненциально согласно соотношению.

Для выходных характеристик - пологие ВАХ говорят об активном нормальном режиме работы.

3) Отражает зависимость выходного тока и напряжения от его входного тока и напряжения.

4) Максимально допустимый ток коллектора.

5) -входное сопротивление транзистора при КЗ.

-коэффициент обратной связи по напряжению.

-входная проводимость.

-дифференциальный коэффициент передачи тока.

6) При увеличении обратного напряжения коллектора входная характеристика слегка смещается вниз, что объясняется увеличением тока поверхностной проводимости коллекторного перехода и термотока.

7) Коэффициент передачи тока базы существенно зависит от напряжения коллектора и от тока эмиттера. С ростом тока эмиттера вначале повышается вследствие увеличения напряженности внутреннего поля базы, ускоряющего перенос дырок через базу к коллектору и этим уменьшающего рекомбинационные потери на поверхности базы. При значительной величине тока эмиттера начинает спадать за счет снижения коэффициента инжекции, уменьшение эффективной площади эмиттера и увеличения рекомбинационных потерь.

 

Научная база.

 

Клиническое скрининговое исследование: использование Биофотонного сканера Pharmanex® для исследования содержания каротиноидов кожи как показателя состояния системы антиоксидантной защиты. Карстен Смидт, Ph.D.

Оценка содержания каротиноидов в организме человека при помощи неинвазивной методики – Рамановской спектроскопии. Carsten R. Smidt¹, Werner Gellermann², Jeffrey A. Zidichouski¹. ¹ Научно-исследовательский институт Pharmanex, Прово, Юта, США; ²Кафедра физики, Университета Юты, Солт Лейк Сити, Юта, США