Введение. Гид «Быстрый старт» Гид «Начните с продукции» DVD-диск (содержит электронный курс Консультанта-новичка

Содержание.

Введение……………………………………………………………………стр.3

1.Контактная разность потенциалов……………………………………...стр.6

 

2.Термоэлектрические явления и их применение………………………..стр.8

 

3.Эмиссионные явления и их применение………………………………..стр.11

 

Заключение………………………………………………………………….стр.17

 

Список использованной литературы………………………………………стр.18

 

Приложение 1……………………………………………………………….стр.19

 

Приложение 2……………………………………………………………….стр.20

 

Приложение 3……………………………………………………………….стр.23

 

Введение.

Контактная разность потенциалов. При контакте двух разных металлов один из них заряжается положительно, другой - отрицательно и между ними возникает разность потенциалов, называемая контактной. Она не очень мала - от десятых долей вольта до нескольких вольт и зависит только от химического состава и температуры контактирующих тел "(Закон Вольта)".

Контактная разность потенциалов возникает не только между двумя металлами, но и между двумя полупроводниками полупроводником и металлом, двумя диэлектриками и т.д., причем соприкасающиеся тела могут не только твердыми, но и жидкими.

В основе трибоэлектричества (электризации тел при трении) также лежат контактные явления. Причем знаки зарядов, возникающих при трении двух тел, определяются их составом, плотностью, диэлектрической проницаемостью, состоянием поверхности и т.д. Трибоэлектричество возникает при просеивании порошков, разбрызгивании жидкостей, трении газов о поверхности тел и в других подобных случаях.

При контакте металла с проводником наблюдается вентильный эффект. Контактный слой на границе металла и полупроводника обладает односторонней проводимостью, что используется, например, для выпрямления переменного тока в точечных диодах. Это явление используется во многих типах полупроводниковых приборов.

Термоэлектрические явления. В металлах полупроводниках процессы переноса зарядов (электрический ток) и энергии взаимосвязаны, так как осуществляются посредством перемещения подвижных носителей тока - электронов проводимости и дырок. Эта взаимосвязь обуславливает ряд явлений (Зеебека, Пельтье, и Томсона),которые называют термоэлектрическими явлениями.

Эффект Зеебека состоит в том, что в замкнутой электрической цепи из разнородных металлов возникает термо ЭДС, если места контактов поддерживаются при разных температурах. Эта ЭДС зависит только от температуры и от природы материалов, составляющих термоэлемент. Термо ЭДС для пар металлов может достигать 50 мкВ/градус; в случае полупроводниковых материалов величина термоЭДС выше (10 во 2-ой + 10 в 3-ей мкВ/градус).

Если в разрыв одной из ветвей термоэлемента включить последовательно любое число проводников любого состава, все спаи (контакты) которых поддерживаются при одной и той же температуре, то термо ЭДС в такой системе будет равна термо ЭДС исходного элемента.

Термопара, содержащая защитный чехол, термоэлектроды с электрической изоляцией, рабочие концы которых снабжены токопроводящей перемычкой,образующей измерительный спай, отличающийся тем, что с целью увеличения срока службы термопары в условиях повышенной вибрации и больших скоростей нагрева, измерительный спай термопары выполнен в виде слоя порошкообразного металла, расположенного на дне защитного чехла.

Между металлом, сжатым всесторонним давлением, и тем же металлом, находящемся при нормальном давлении тоже возникает термо ЭДС.

Например, для железа при температуре 100 градусов С и давлении 12 кбар, термо ЭДС равна 12,8 мкВ. При насыщении металла или сплава в магнитном поле относительно того же вещества без магнитного поля возникает термо ЭДС порядка 09мкВ/градус.

Эффект Пельтье обратен эффекту Зеебека. При прохождении тока через спай различных металлов кроме джоулева тепла дополнительно выделяется или поглощается, в зависимости от направления тока, некоторое количество теплоты (спай сурьма-висьмут при 20 градусах С -10,7мкал/Кулон). При этом количество теплоты пропорционально первой степени тока.

Явлением Томсона называют выделение или поглощение теплоты, избыточной над джоулевой, при прохождении тока по неравномерно нагретому однородному проводнику или полупроводнику.

Электронная эмиссия. При контакте тел с вакуумом или газами наблюдается электронная эмиссия - выпускание электронов телами под влиянием внешних воздействий: нагревания (теплоэлектронная эмиссия) потока фотонов (фотоэмиссия), потока электронов (вторичная эмиссия), потока ионов, сильного электрического поля (автоэлектронная или холодная эмиссия), механических или других "портящих структуру воздействий (экзоэлектронная эмиссия).

Во всех видах эмиссий, кроме автоэлектронной, роль внешних воздействий сводится к увеличению энергетики части электронов или отдельных электронов тела до значения, позволяющего им преодолеть потенциальный порог на границе тела с последующим выходом и вакуум или другую среду.

Способ контроля глубины нарушенного поверхностного слоя полупроводниковых пластин, отличающихся тем, что с целью обеспечения возможности автоматизации и упрощения процесса контроля, пластину нагревают до температуры, соответствующей максимуму экзоэлектронной эмиссии, которую контролируют одним из известных способов, а по положению пика эмиссии определяют глубину нарушенного слоя.

В случае автоэлектронной эмиссии внешнее электрическое поле превращают потенциальный порог на границе тела в барьер конечной ширины и уменьшает его высоту относительно высоты первоначального порога, вследствие чего становиться возможным квантово-механическое туннелирование электронов сквозь барьер. При этом эмиссия происходит без затраты энергии электрическим полем.

Наличие на поверхности металла тонких диэлектрических пленок в сильных полях не мешает походу электронов через потенциальный барьер. Это явление называется эффектом Мольтера.

Туннелирование электронов по потенциальным барьерам широко используется в специальных полупроводниковых приборах - туннельных диодах. На высоту туннельного барьера можно влиять не только электрическим полем, но и другими воздействиями.