Пример решения задачи 1. Приведены выходные характеристики полевого транзистора с р-каналом типа КП103 (рисунок 1.1)

Приведены выходные характеристики полевого транзистора с р-каналом типа КП103 (рисунок 1.1). Построим характеристику прямой передачи и определим параметры при напряжении сток-исток U_СИ0=-6 В. Напряжение отсечки транзистора U_ЗИ0=4 В.

 

Рисунок 1.1

 

Для построения характеристики прямой передачи определяем ток стока при U_ЗИ=0 В; 0,5 В и т.д. (рисунок 1.1). Результаты заносим в таблицу 1.1.

 

Таблица 1.1

UЗИ, В		0,5	1,0	1,5	2,0	2,5	3,0
IC, мА	4,0	3,13	2,31	1,6	1,05	0,61	0,3

 

По полученным результатам строим характеристику прямой передачи (рисунок 1.2).

По выходным характеристикам определяем крутизну в 6-8 точках и строим её зависимость от напряжении на затворе. В нашем примере сначала находим крутизну при напряжении на затворе U_ЗИ=0,25 В. Для этого, относительно этой точки берем приращение напряжения

DU_ЗИ=0,25 В. Определяем токи при напряжениях U¢_ЗИ=0 В и U²_ЗИ=0,5 В. Они равны соответственно I¢_С=4 мА и I²_С=3,13 мА (рисунок 1.1). Затем вычисляем крутизну

=1,74 мА/В.

Рисунок 1.2

 

Аналогично проделываем эту операцию для U_ЗИ=0,75В; 1,25 В и т.д.

Определяем приращение тока стока I_C и результаты вычислений заносим в таблицу 1.2. Строим график S=f(U_ЗИ) (рисунок 1.3)

 

Таблица 1.2

UЗИ, В	0,25	0,75	1,25	1,75	2,25	2,75
IC, мА	0,87	0,82	0,71	0,55	0,44	0,31
S, мА/В	1,74	1,64	1,42	1,1	0,88	0,62

 

Для определения выходного сопротивления R_i задаемся приращением DU_СИ=±2 В относительно напряжения U_СИ= - 6 В (рисунок 1.4). Определяем приращение тока DI_C стока при напряжении на затворе 0 В, вычисляем значение . Результат заносим в таблицу 1.3. Аналогично проделываем для U_ЗИ=0,5 В; 1,0 В и т.д. На рисунке 1.3 cтроим зависимость R_i=f(U_ЗИ).

 

Таблица 1.3

UЗИ, В		0,5	1,0	1,5	2,0	2,5	3,0
DIС, мА	0,14	0,1	0,07	0,06	0,05	0,045	0,04
Ri, кОм		39,2	54,8	65,6		88,9
S,мА/В	1,85	1,7	1,5	1,25	1,0	0,75	0,5
m	51,8	66,6	82,2			66,6

 

 

Рисунок 1.3

 

Из рисунка 1.3 определяем значение крутизны для тех же величин U_ЗИ, что и R_i. Результат так же заносим в таблицу 1.3.

В заключении определяем коэффициент усиления транзистора m= S× R_i.

Результат так же заносим в таблицу 1.3 и строим зависимость m=f(U_ЗИ) (рисунок 1.3).

 

Рисунок 1.4