Пример решения задачи 2

Определим h-параметры для транзистора КТ315А при напряжении на коллекторе U_КЭ=5 В. Например, найдем параметр h_11Э в точке А при токе базы I_Б0=350 мкА. На входных характеристиках (рисунок 2.1) при напряжении на коллекторе U_КЭ=10 В (хотя задано напряжение на коллекторе U_КЭ=5 В выбираем напряжение U_КЭ=10 В, т.к. в активном режиме входные характеристики практически совпадают) задаемся приращением тока базы DI_Б= ±50=100 мкА относительно рабочей точки I_Б0=350 мкА. Соответствующее приращение напряжения база-эмиттер составит DU_БЭ=0,018 В. Тогда входное сопротивление

.

Результаты заносим в таблицу 2.1.

Таблица 2.1

IБ0, мкА
DUБЭ, В				0,018
h11, Ом

 

Аналогично находим h_11Э в других точках при токах базы 50, 150, 250, 450 и 550 мкА и строим зависимость h_11Э=f(I_Б), ΔI_Б=const. Пример зависимости приведен на рисунке 2.4.

 

Рисунок 2.1

Рисунок 2.2

 

По выходным характеристикам находим параметры h_21Э и h_22Э при том же токе базы и заданном напряжении U_КЭ0=5 В. Определение параметра h_21Э показано на рисунке 2.2.

Задаемся приращением тока базы относительно рабочей точки также

DI_Б= ±50=100 мкА и соответствующее приращение тока коллектора составляет DI_К= 5,8 мА. Коэффициент передачи тока базы составит

 

.

 

Аналогично определяем этот параметр и при других токах базы. Резуль- таты помещаем в таблицу 2.2 и строим зависимость h₂₁=f(I_Б) (рисунок 2.4).

Таблица 2.2

IБ0, мкА
DIK, мА				5,8
h21,

 

На рисунке 2.3 показано определение выходной проводимости h_22Э. Около точки А с напряжением U_КЭ=5 В задаемся приращением напряжения коллектор-эмиттер DU_КЭ=±2 В. Соответствующее приращение тока коллектора составляет DI_К=1 мА. Выходная проводимость равна

.

Рисунок 2.3

Результаты помещаем в таблицу 2.3.

Таблица 2.3

IБ0, мкА
DIK, мА
h22, Сим×10-3			0,25

 

Строим зависимость h_22Э=f(I_Б) (рисунок 2.4).

Рисунок 2.4

 

Параметр h_12Э по характеристикам обычно не определяется, так как входные характеристики для рабочего режима практически сливаются, и определение параметра даёт очень большую погрешность.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Варианты заданий.

 

Таблица П.1.1. Варианты задания для полевых транзисторов

№ вар	Тип ПТ	UСИ0, В	UЗИ0, В	№ вар	Тип ПТ	UСИ0, В	UЗИ0, В
	КП 302А		-8		КП 303А		-2,5
	КП 303А		-2,5		КП 303Б		-3,2
	КП 303Б		-3,2		КП 303Д		-8
	КП 303Д		-8		КП 303Е		-8
	КП 303Е		-8		КП 303В		-3,2
	КП 303В		-3,2		КП 307Ж		-4
	КП 307Ж		-4		КП 307В		-3,2
	КП 307В		-3,2		КП 312А		-3,6
	КП 312А		-3,6		КП 903 А		-8
	КП 903 А		-8		КП 903 Б		-4
	КП 903 Б		-4		КП 903 В		-6
	КП 903 В		-6		КП 302А		-8
	КП 302А		-8		КП 303А		-2,5
	КП 303А		-2,5		КП 303Б		-3,2
	КП 303Б		-3,2		КП 303Д		-8
	КП 303Д		-8		КП 303Е		-8
	КП 303Е		-8		КП 303В		-3,2
	КП 303В		-3,2		КП 307Ж		-4
	КП 307Ж		-4		КП 307В		-3,2
	КП 307В		-3,2		КП 312А		-3,6
	КП 312А		-3,6		КП 903 А		-8
	КП 903 А		-8		КП 903 Б		-4
	КП 903 Б		-4		КП 903 В		-6
	КП 903 В		-6		КП 302А		-8
	КП 302А		-8		КП 303А		-2,5

 

Таблица П.1.2. Варианты задания для биполярных транзисторов

№ вар	Тип БТ	UКЭ, В	№ вар	Тип БТ	UКЭ, В	№ вар	Тип БТ	UКЭ,В
	КТ601А			КТ819А			КТ608А
	КТ602А			КТ902А			КТ815А
	КТ603А			КТ903А			КТ817А
	КТ605А			КТ601А			КТ819А
	КТ608А			КТ602А			КТ902А
	КТ815А			КТ603А			КТ903А
	КТ817А			КТ605А			КТ601А
	КТ819А			КТ608А			КТ602А
	КТ902А			КТ815А			КТ603А
	КТ903А			КТ817А			КТ605А
	КТ601А			КТ819А			КТ608А
	КТ602А			КТ902А			КТ815А
	КТ603А			КТ903А			КТ817А
	КТ605А			КТ601А			КТ819А
	КТ608А			КТ602А			КТ902А
	КТ815А			КТ603А			КТ903А
	КТ817А			КТ605А