Контрольная работа по истории России
Выполнил: студент группы МТЭ –101 Грибанова Ю.М. зачетная книжка № 210345 Проверил: профессор Горлов М.И.
Воронеж 2013
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» (ФГБОУ ВПО «ВГТУ», ВГТУ)
Кафедра полупроводниковой электроники и наноэлектроники
ЗАДАНИЕ
по дисциплине «Общие закономерности технологического процесса производства полупроводниковых приборов» Тема: «Анализ технологических процессов и применение для этой цели качественных диаграмм» Студент группы МТЭ –101 Грибанова Ю.М. Номер варианта 8
Изучить графические методы исследования качества изделий электронной техники: метод диаграмм Исикава и Парею. Научиться строить диаграммы Исикава и Парето. Научиться делать выводы о качестве изделий, необходимым мерам по их повышению на основе построенных диаграмм.
Работа содержит 5 рисунков, 2 таблицы, объем 12 стр.
Руководитель М.И. Горлов Задание принял студент Ю.М. Грибанова
Замечания руководителя
Содержание
Задание 2 Замечания руководителя 3 1. Построение диаграммы причин и результатов (диаграмма Исикава) 5 2. Метод выделения наиболее важных факторов, влияющих на качество продукции (диаграмма Парето) 7 2.1 Построение диаграммы Парето для пооперационных потерь при изготовлении кремниевых ИМС стабилизаторов напряжения серии КР 142 8 2.2 Построение нормированной диаграммы Парето 9 2.3 Построение диаграммы Парето по видам брака для одной технологической операции 11 Список литературы 12
1. Построение диаграммы причин и результатов (диаграмма Исикава)
Результат процесса зависит от многочисленных факторов, между которыми существуют отношения типа причина-результат. Диаграмма причин и результатов (диаграмма Исикава) показывает отношение между показателями качества и воздействующими на него факторами. Основные причины разброса любого параметра качества готовых изделий или изделий на любой стадии технологического процесса укрупнено можно разбить на четыре группы: - причины, возникающие из-за колебаний свойств исходных материалов и комплектующих изделий; - причины, возникающие из-за колебаний параметров оборудования и оснастки; - причины, возникающие вследствие влияния факторов, связанных с деятельностью людей; - причины, обусловленные особенностями применяемых технологических методов изготовления и контроля. Технологический процесс, согласно заданному варианту – диффузия бора (рисунок 1). Диффузия является основным технологическим методом создания электрически гетерогенных структур при изготовлении различных типов полупроводниковых приборов и ИМС. Для осуществления диффузии полупроводниковую пластину помещают в нагретую до высокой температуры кварцевую трубу диффузионной печи. Через трубу пропускают пары легирующей примеси, которые адсорбируются на поверхности пластины и диффундируют в кристаллическую решетку полупроводника. Процесс осуществляется в две стадии: предварительная загонка нужного количества примеси и последующая разгонка на требуемую глубину и до необходимого уровня концентрации. Важными технологическими факторами являются способы проведения диффузии и виды диффузантов.
2. Метод выделения наиболее важных факторов, влияющих на качество продукции (диаграмма Парето)
При проведении анализа производства весьма важно сосредоточить внимание на важнейших проблемах. Особое значение приобретает методология выделения из множества различных проблем таких, решение которых обеспечивает наибольшую эффективность. Для этого целесообразно пользоваться так называемой диаграммой Парето, которая представляет собой график-диаграмму, по оси абсцисс которой откладывают последовательно различные элементы изучаемого явления (виды брака), а по оси ординат - вклад каждого элемента в общий результат (потери, обусловленные наличием брака каждого вида). При этом элементы изучаемого явления должны откладываться по оси абсцисс в порядке убывания вклада каждого явления. Характерная особенность диаграммы: небольшое количество операций является источником основной доли потерь. Эта особенность «служит» отражением общего принципа Парето, который гласит, что для любого результата, являющегося следствием многих причин, небольшое количество причин оказывает сильное влияние на этот результат, в то время как очень большое количество остальных причин оказывает малое влияние на результат. Именно поэтому диаграмма Парето позволяет выделить те главные элементы (операции), которые являются важнейшими и требуют первоочередного внимания.
2.1 Построение диаграммы Парето для пооперационных потерь при изготовлении кремниевых ИМС стабилизаторов напряжения серии КР 142
Таблица 1 - Пооперационный выход годных и пооперационные потери при изготовлении ИС серии KP 142
По данным графы 8 (потери от запуска, %) таблицы 1 построена зависимость потерь на операциях при изготовлении ИС серии КР 142 - диаграмма Парето (рисунок 2). Номера технологических операции на диаграмме расположены в порядке убывания потерь.
Рисунок 2 - Зависимость потерь на операциях от запуска при сборке ИС серии КР 142 (диаграмма Парето).
2.2 Построение нормированной диаграммы Парето Для более четкого выделения важнейших элементов построим нормированную диаграммы Парето (рисунок 3). Сумму потерь всех элементов приравниваем к 100 % и вычисляем значение потерь отдельных элементов в зависимости от общей суммы потерь (графа 9 – Потери на операции, отнесенные к общему количеству потерь, % – таблица 1). Проведем на нормированной диаграмме две линии, параллельные оси абсцисс с ординатами, равными соответственно 75 и 95 %, они разбивают все операции на три группы. Из диаграммы (рисунок 3) видно, что потери на трех операциях (группа А – 10,13,4) составляют 74,72 % от всех потерь, имеющих место в технологическом процессе, в то время как другие десять операций (группы Б и В) вместе дают только 25,28 % от общего количества потерь. Очевидно, что для существенного снижения технологических потерь (повышение выхода годных) необходимо в первую очередь рассмотреть и устранить причины потерь (или, по крайней мере, ослабить влияние этих причин на ход процесса) именно на операциях группы А.
Рисунок 3 - Потери на операциях при изготовлении ИС серии KP 142 (нормированная диаграмма Парето)
2.3 Построение диаграммы Парето по видам брака для одной технологической операции Диаграмму потерь можно построить и по видам брака для одной технологической операции (рисунок 4).
Таблица 2 – Анализ брака на технологической операции «Проверка внешнего вида» при изготовлении ИС серии KP 142
Рисунок 4 - Распределение по видам брака на операции «Проверка внешнего вида» при изготовлении ИС серии KP 142
Рисунок 5 - Нормированная диаграмма Парето по видам брака
Список литературы
1. Анализ технологических процессов и применение для этой цели качественных диаграмм: Методические указания к выполнению контрольных работ по дисциплине «Общие закономерности технологического процесса производства полупроводниковых приборов» / ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет»: сост. М.И. Горлов. Воронеж, 2007. 44с. 2. Горлов М.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых изделий в процессе серийного производства: учеб. пособие / М.И. Горлов, Е.П. Николаева. Воронеж: ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет», 2009. 167 с.
Контрольная работа по истории России
|
