Многоэмиттерный транзистор

Каждый из элементов может работать независимо друг от друга. Эти транзисторы широко используются в цифровых интегральных схемах при создании ТТЛ. Между соседними элементами могут образовываться паразитные транзисторы. Для их исключения расстояние между элементами делают >> дифференциальной длины(в 3,5 раз).

Интегральные p-n-p транзисторы.

Обычно n-p-n транзисторы, т.к. М_п>М_р поэтому быстродействие n-p-n больше быстродействия p-n-p.

Эти транзисторы уст-ют по частным свойствам и по коэффициентом передачи n-p-n транзисторам.b£30 f£20-40МГц.

Полевые и биполярные тр-ры, применяемые в интегральных микросхемах, изготовляют по технологии монолитных ИС. Иногда используют отдельные дискретные миниатюрные бескорпусные тр-ры, поскольку тонкоплёночная технология пока не всегда позволяет получать биполярные тр-ры удовлетв. качества.

Технологию, по которой изготовляют тонкоплёночные полевые тр-ры (ПТ), условно называют кремний на сапфире (КНС). При этом в качестве подложки используют синтетический сапфир, на котором с помощью эпитаксиального наращивания выращивают плёнку кремния толщиной 1 мкм и более, на которой выполняют тр-р.

Биполярные тр-ры монолитных ИС по сравнению с дискретными тр-рами имеют более высокое сопротивление коллектора из-за необходимости выводить контакт наверх и добавления сопротивления(кристалла) м/у коллекторным контактом и переходом.

Технология изготовления монолитных ИС сводится к следующему. В пластинку кремния(подложку), имеющую электропроводность р-типа, проводят локальную диффузию мышьяка для формирования скрытого слоя . Затем на неё наращивают эпитаксиальный слой n. Полученную поверхность окисляют. Получ. диэлектрический слой диоксида , который наз-ся маскирующим.В нем травлением вскрывают окно под базу. Далее – двухэтапная диффузия атомов бора. В рез-те в эпитаксиальном слое появляется зона с электропроводностью р-типа.Вследствие особенностей процесса двухэтапной диффузии- пов-ть покпывается диоксидом.

Вскрываются окна под эммитор и под контакт к коллектору. В эти окна- 2-хэтапную диффузию примесей фосфора. В рез-те- эмиттер и низкоомная область для подключения коллекторного контакта. Тем же методом контакты Э,К,Б.