Дифференциальные параметры.

продифференцируем (*) и подставим:

=>крутизна уменьшается по мере увеличения по модулю напряжения на затворе. В режиме насыщения выходная проводимость (G) близка к 0 поскольку она определяется эффектом модуляции. Усилительные свойства по напряжению полевого транзистора характеризует коэффициент усиления:

Эл. Модели полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Существует эл модель для статического режима(по пост. току)

Ru и Rc –сопротивления области полупроводника от электрода до начала канала. Учет этих сопротивлений уменьшает крутизну выходных характеристик полевого транзистора.

Rзс и Rзи имеют величину 10-100Мом их обычно не учитывают. В полевом транзисторе отсутствуют процессы инжекции поэтому инерционность определяется перезарядом барьерных емкостей и временем прохождения носителей заряда по каналу.

So-крутизна при w=0. Ws-частота при которой крутизна уменьшается в корень из 0.2 раза. τs=Сзк*Rк. Ws=1/ τs

Rк=0.5ρL/S=0.5ρL/zd-оммическое сопротивление. Зависимость Ru от частоты не учитывается.

 

 

 

29. Полевые транзисторы.

Это п.п приборы управление токов в которых осуществляется изменением проводимости токопроводящего канала при воздействии на канал поперечного электрич. Поля. Рабочий ток в полевых транзисторах создается основными носителями только одного знака, поэтому такие транзисторы называются униполярными. Ток в канале создается в результате дрейфового движения основных носителей заряда, вызванного продольным электрич полем. Электрод от которого уходят носители в канал называется истоком. А электрод который принимаетносители-стоком. Исток и сток имеют один и тот же вид электро проводности. Управляющее (поперечное) эл поле создается с помощью электрода называемого затвором. Существуют следующие разновидности:

1)с изолированным затвором 2)с затвором на основе эл перехода(с управляющим переходом.

1) Металлич. затвор изолирован от канала тонким слоем диэлектрика поэтому транзисторвыназываются МДП-транзисторами. Они делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индуцированным каналом.

а)встроенный канал образуется технологическим путем. б) индуцированный канал появляется(индуцируется) при подаче на затвор напряжения определенной полярности и величины.

2)с управляющим переходом делятся на транзисторы с p-n переходом и с переходом Ме-п.п.

Полевые транзисторы с управляющим переходом с n-каналом и p-каналом

со встроенным каналом.

с индуцированным каналом.

В МДП-транзисторах со встроенным каналом и в полевых транзисторах с управляющим переходом канал присутствует всегда. Эти транзисторы называют транзисторами обедненного типа. Полевой транзистор с индуцированным каналом-транзистор обогащенного типа. Канал появляется когда область обогащается носителями заряда. Толщина канала определяется обедненной областью барьера Шоттки.

Толщина канала: (d₀-l_об)

Толщину канала можно менять, как отрицательным напряжением на затворе, так и небольшим положительным (менее 0,5 В) напряжением.

Если канал очень тонкий, то lо превышать dо, даже при отсутствие напряжения на затворе. Чтобы открыть такой канал надо падать небольшое положи- тельное напряжение на затвор. Оно уменьшит толщи- ну обедненного слоя и канал приоткроется. Эти тран- зисторы имеют очень короткий канал. Их изготавливают при относительно низких температурах. Что дает возможность получить резкие границы областей и малые размеры электродов.

Высокая подвижность носителей зарядов способствует увеличению быстродействия.

Всё это позволяет создавать Полевые транзисторы Шоттки с частотой до 30 ГГц.

Схемы включения этих транзисторов аналогичны включению полевых транзисторов.

Схема Общий исток(р-канал)