Схема вкл транзистора с общем эмитером.

Хар-ки в I-м квадратное, ~ из начала корд

С возрастанием Uкб инжекция прекращается, ток растёт за счет дырок, инж-мых в базу.

В Ур-ие (3.22) подставим (3.9)

, - Коэф. передачи базового тока.

α~0,95-0,98 β~ 10^1 до 10^2, следовательно, в схеме с общим Э происходит усиление тока

r_k^*- в (1+β) раз меньше, чем в схеме с ОБ и составляет ~ 10^4 Oм.

Iкэо больше в (1+β) раз, чем в ОБ, поэтому наклон линий круче (тепловой ток больше).

Uкб >> Uэб → Uкб ~ Uкэ:

(3.24)

Рассмотрим входные хар-ки:

Iкэ = 0 – 2 параллельного перехода;

Iб = Iк + Iэ;

При Uкэ ≠0, Iб<<Iэ, ток базы уменьшается (см.рис2), α,β- интегр. (статистич) коэфф.

 

 

(3.21)

 

 

 

20. Малосигнальные параметры транзистора с ОЭ.

Если An<<Uconst, то изменение U~, i~ можно связать м/у собой линейной функцией. Тогда транзистор можно рассм-ть как линейную схему.

Схема замещения транзистора в физических параметрах:

(3.26).

Все r, кроме r_б- диф-ны:

(3.27);

Сэб, Скб соответствуют сумме барьерных и диф. емкостей своих переходов 10-100 пФ.

α- диф коэф передачи Iэ:

(3.28)

Величины α при НЧ – const, если возрастает f (ВЧ), то значение α падает за счет фазового сдвига м/у Iэ, Iк и Iб.

Для хар-ки частотных свойств используется коэф-т f _{α –} граничная частота.

, где α₀- для F=const, f _α - такая частота, при кот |α| падает в раз

Т-образная схема замещения для ОЭ:

β- диф-ый коэф-т передачи базового тока:

Сэ* в (1+β)раз больше, чем в схеме ОБ. Это определяется подстановкой вместо r_K –z_K: