Схема вкл транзистора с общем эмитером.
Хар-ки в I-м квадратное, ~ из начала корд С возрастанием Uкб инжекция прекращается, ток растёт за счет дырок, инж-мых в базу. В Ур-ие (3.22) подставим (3.9)
α~0,95-0,98 β~ 10^1 до 10^2, следовательно, в схеме с общим Э происходит усиление тока rk*- в (1+β) раз меньше, чем в схеме с ОБ и составляет ~ 10^4 Oм. Iкэо больше в (1+β) раз, чем в ОБ, поэтому наклон линий круче (тепловой ток больше). Uкб >> Uэб → Uкб ~ Uкэ:
Рассмотрим входные хар-ки:
Iкэ = 0 – 2 параллельного перехода; Iб = Iк + Iэ; При Uкэ ≠0, Iб<<Iэ, ток базы уменьшается (см.рис2), α,β- интегр. (статистич) коэфф.
20. Малосигнальные параметры транзистора с ОЭ. Если An<<Uconst, то изменение U~, i~ можно связать м/у собой линейной функцией. Тогда транзистор можно рассм-ть как линейную схему. Схема замещения транзистора в физических параметрах:
Все r, кроме rб- диф-ны:
Сэб, Скб соответствуют сумме барьерных и диф. емкостей своих переходов 10-100 пФ. α- диф коэф передачи Iэ:
Величины α при НЧ – const, если возрастает f (ВЧ), то значение α падает за счет фазового сдвига м/у Iэ, Iк и Iб. Для хар-ки частотных свойств используется коэф-т f α – граничная частота.
Т-образная схема замещения для ОЭ:
β- диф-ый коэф-т передачи базового тока:
Сэ* в (1+β)раз больше, чем в схеме ОБ. Это определяется подстановкой вместо rK –zK:
|
, 
- Коэф. передачи базового тока.
(3.24)
(3.21)
(3.26).
(3.27);
(3.28)
, где α0- для F=const, f α - такая частота, при кот |α| падает в 
раз
