Схема включения транзистора.

В зависимости от того, какой электрод считают общим для входных/выходных напряжений, различают несколько типов схем:

Схема с Общей Базой:

Рассмотрим ВАХ с ОБ:

Для этой схемы заданными величинами являются i_Э и Uкб. Рассмотрим формулы (3.14)-разрешим относительно Iк:

- выходная ВАХ транзистора (3.16)

- входная ВАХ транзистора (3.17)

Н – область, соответствующая режиму насыщения транзистора;

А – область активного режима;

Т – линия допустимой Pмах, гипербола (активный режим);

1 – отклонение происходящее за счет эффекта модуляции базы;

«0» - область соответствующая режиму отсечки.

Uэб

Рассмотрим токи Iко, Iко’ и Iэо, Iэо’ – тепловые токи. В ряде транзисторов изменения тепла невозможны, т.к. там обратные токи, поэтому в справочн ук-ют обратные токи, которые больше чем Iко, Iко’ и т.д. Обозначение Iкбо, Iэ б о означает, что схема с ОБ.

Рассмотрим активный режим (А):

Uкб<0,

Iко = Iкбо (тепловой ток примерно равен обратному току)

С учетом этих условий, формулы (3.16) и (3.17) имеют вид:

(3.18)

(3.19)

Характеристики не влияют на ход, они получаются эфидистантными (расп. на один раст.). α_N=const.

Реальные хар-ки:

На реальные хар-ки влияет:

- эффект модуляции толщины базы;

- зависимость коэфф α от I;

- пробой.

Модуляция:

1 – Линия изображения распр. концентрации дырок.

Прикладываемое U – происходит модуляция.

При неизменном входном напряжении меняется

угол наклона линии или меняется величина

Существует внутренняя связь по U. Меняется Iк, т.к. он определяется коэф-ом диффузии и градиентом. Коэф-т обратной связи по U.

Этот коэф-т показывает во сколько раз н/о изменяет U на коллекторе, чтобы произошло изменение Iэ такое же, как и при изменении U на Э. Знак «-» говорит о том, что имеет разную полярность.

r_КБ~ (0,1 - 1)*10^6 Ом

ВАХ реального режима:

(3.22)

Рассмотрим режим насыщения (Н):

Хар-ся падением Iк за счет встречной инжекции НЗ со стороны К в Б. Эти дырки компенсируют дырки, инжектируемые эмитером, пока не упадёт до нуля.

Область насыщения – второй квадрант, т.к. Uкб=Uвнеш +∆φ(контакта). Если Uвнеш=0, дырки все еще переходят. Когда

Uвнеш = -∆φ(контакта), т.е. скомп. ∆φ при изменении на «+» знака Uкб.

Рассмотрим режим отсечки (О):

Оба перехода в обратном направлении.

Iэ = 0→Iк = Iкб: ток коллектора и его хар-ки равны ВАХ p-n перехода. В этом режиме сопротивления очень велики, а токи – малы.

Входная ВАХ:

С

Растёт Uкб хар-ка, за счет ЭМТБ т.е. растёт и смещается влево.

18. Схема с Общим Эмиттером: