Эффект модуляции толщины базы.

tз – время задержки.

Носители обладают разной E и U. В целом база электр-но нейтральна.

∆p(x)~e^(-x/L) (6.25); W>>L;

∆p(x)=p₀(e^(U/φ_T)-1)(1-x/W); W<<L.

При смещении перехода в активном режиме эмитерный переход смещается в прямом направлении. Толщина базы очень мала.

При изменении U ширина перехода меняется, а переход смещается в область высокоомного слоя, в область базы. Т.е. изменение толщины коллекторного перехода изменяет толщину базы.Слндствия: 1)уменьшается кол-во рекомбинированных носителей в базе и увеличивается коэф-т передачи эмитерного тока; 2) коллекторный переход имеет конечное диф-ное сопротивление; 3)при изменении коллекторного U-ния, меняется заряд в базе, коллекторный переход обладает диффузионной ёмкостью наряду с барьерной; 4)толщина базы влияет на частотные св-ва транзистора.

то ВАХ (эмитерного перехода) является функцией коллекторного напряжения. Существует обратная связь по напряжению.

 

Мат.модель транзистора. Схема Эберса-Мола.

Она показывает равноправность эмиттерного и колекторного переходов. Каждый p-n переход представлен в виде диода. Таким образом Iэ и Iк имеют 2 составляющие:1)инжектированная составляющая I1 и I2 2) собирающая составляющая и .

Идеализированный пример:

Показывает равноправность переходов.

а) б)

Ф-ла Эберса-Мола: