Фотопроводимость полупроводников

 

Фотопроводимость (см. § 202) полупроводников — увеличение электропроводности полу проводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (hv > DE), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 324, а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.

 

Рис. 324

 

Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать и при hv < DE: для полупроводников с донорной примесью фотон должен обладать энергией hv > DE_D, а для полупроводников с акцепторной примесью — hv ³ DE_A.При поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости в случае полупроводника n-типа (рис. 324, б) или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника р-типа(рис. 324, в). В результате возникает примесная фотопроводимость, являющаяся чисто электронной для полупроводников n-типа и чисто дырочной для полупроводников р-типа.

Таким образом, если

hv ³ DE для собственных полупроводников,

hv ³ DE_П для примесных полупроводников (244.1)

(DE_П — в общем случае энергия активации примесных атомов), то в полупроводнике возбуждается фотопроводимость. Из (244.1) можно определить красную границу фото проводимости — максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается:

l₀ =сh/DE для собственных полупроводников,

l₀ =сh/DE_П для примесных полупроводников.

Учитывая значения DE и DE_П для конкретных полупроводников, можно показать, что красная граница фотопроводимости для собственных полупроводников приходится на видимую область спектра, для примесных же полупроводников — на инфракрасную.

На рис. 325 представлена типичная зависимость фотопроводимости j и коэффициента поглощения æот длины волны l падающего на полупроводник света. Из рисунка следует, что при l > l₀ фотопроводимость действительно не возбуждается. Спад фотопроводимости в коротковолновой части полосы поглощения объясняется большой скоростью рекомбинации в условиях сильного поглощения в тонком поверхностном слое толщиной x» 1мкм (коэффициент поглощения» 10⁶ м^-1).

Рис. 325

 

Наряду с поглощением, приводящим к появлению фотопроводимости, может иметь место экситонный механизм поглощения. Экситоиы представляют собой квазичастицы — электрически нейтральные связанные состояния электрона и дырки, образующиеся в случае возбуждения с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны. Уровни энергии экситонов располагаются у дна зоны проводимости. Так как экситоны электрически нейтральны, то их возникновение в полупроводнике не приводит к появлению дополнительных носителей тока, вследствие чего экситонное поглощение света не сопровождается увеличением фотопроводимости.