Институт радиотехники и электроники РАН. 1. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО КУРСУ «ЭЛЕКТРОНИКА»
Examination card 6
1. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. Влияние сопротивления базы. 2. Модель Эберса-Молла биполярного транзистора. 3. Эквивалентная схема дискретного МДП транзистора с каналом n - типа. 4. Электронно-лучевые приборы (условие фокусирующего действия электростатической электронной линзы). 5. Траектории движения электронов в многорезонаторном магнетроне, парабола критического режима. 6. Принцип действия и вольтамперные характеристики фотодиода при его различной освещенности.
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ФАКУЛЬТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ КАФЕДРА 405 Преподаватель – профессор К. П. Кирдяшев,
|