Институт радиотехники и электроники РАН. 1. Ёмкости p-n – перехода при его прямом и обратном смещении.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО КУРСУ «ЭЛЕКТРОНИКА»
Examination card 8 1. Ёмкости p-n – перехода при его прямом и обратном смещении. 2. Транзистор как линейный четырехполюсник. 3. Методы улучшения параметров МДП транзисторов в ИМС. 4. Условие реализации динамического управления электронным потоком. 5. Условие передачи энергии от активной среды электромагнитному полю. Понятие отрицательной температуры квантового перехода. 6. Структура и эквивалентная схема фототранзистора.
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ФАКУЛЬТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ КАФЕДРА 405 Преподаватель – профессор К. П. Кирдяшев,
|
